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"웨이퍼공정" 검색결과 1,521-1,540 / 2,814건

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  • CVD
    공급 시스템을 개발하여야 한다.MOCVD 공정변수화학적 안정, 온도, 증기압, 증착률, 순도, 휘발성MOCVD의 용도MOCVD는 보통 반도체, 고체기판(wafer)위에 source ... MOCVD(Metal Organic CVD)기본적으로 CVD공정으로써 CVD에 의한 박막 성장 시 전구체로써 MO-source를 중심으로 Hydride나 반응물들을 사용하여 박막 ... 적 반응을 하여 기판에 증착이 된다.5. 반응된 반응 부산물과 미반응 Gas는 Pump를 통해 Chamber 밖으로 배출함.PECVD 공정 변수기판온도, 가스, 조성비, 압력, 고주파수
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • ITO 증착에 관한 이론보고서
    ◈ 재료물리화학 이론보고서 ◈3조실험 주제ITO Film 제조 및 특성 평가실험 일시2010년 4월 10일실험 목적- 실험을 통해 ITO film의 제조공정을 알아본다.- 제조 ... -Emitting Laser, VCSEL)ㅂ) 확대 반사경(레이저)4) Sputtering 공정RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에 너지를 갖고 있 ... 는 gas ion이 target 표면과 충돌하여 증착하 고자 하는 target 입자들이 튀어나와 기판에 증착되는 공정.실험이론2.Sputtering 장치현재 산업체에서 가장 보편
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.22
  • 반도체결정의 제조공정에 대하여
    반도체결정의 제조공정에 대하여반도체 칩의 제작은 다섯가지 단계로 크게 나눌수가 있다.웨이퍼 제조->반도체 칩의 제작->테스트/분류->조립과 패키징 ->마지막 테스트로 나눌수가 있 ... 다.고순도 다결정 실리콘은 EGS라고 불리며 IC공정에서 단결정 실리콘 잉곳으로 바로 만들어질수 있으며 이를 이용하여 웨이퍼가 제작된다.3.결정성장단결정 실리콘 잉곳을 만들기 위해 ... 끝을 잘라내고 자동 직경 제어 공정에 의해 발생한 홈을 제거하기 위해 잉곳의 일정한 면에 플랫이 나타나도록 연마한다.다음에 잉곳으로부터 웨이퍼를 잘라내기 위해 다이아몬드가 코팅
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.30
  • 삼성전자 반도체 R&D
    한 단가경쟁단가에 영향을 미치는 요인웨이퍼의 크기가클수록 생산단가는 내려간다.“300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우, 200㎜ 공정대비 단일 웨이퍼에서 생산되는 반도체 개수를 2 ... , 2010-1웨이퍼 생산 공정반도체 산업의 특징(2)Knowledge Engineering, 2009..PAGE:7기술경영개론, 2010-1표면연마절단좋은 품질의 웨이퍼를크 ... 게 만드는것이 핵심지속적 연구가 필요반도체 산업의 특징(2)Knowledge Engineering, 2009..PAGE:8기술경영개론, 2010-1웨이퍼 크기의 증가에 따라 공정시설 재
    리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.07.01
  • Self-healing polymer & Super hydrophobic coating 자가치유고분자와 초발수 표면 최근 동향
    효과게 만들 수 있는 대표적인 하향식 공정 기술이다. X-선 리소그래피를 사용하여 실리콘 웨이퍼에 스파이크 형태의 규칙적인 나노 구조물을 제조하고, 수 nm 두께로 금을 증착한 후 ... 된 초발수 표면 코팅 기술의 경우 고온의 열처리로 안정화 시켜야 하는 공정상의 단점이 있었던 반면에 초분자 실란을 사용할 경우 다중 수소 결합에 의한 강한 자기조립 특성 때문 ... 에 이런 안정화 공정없이 초발수 나노 구조 표면이 구현되는 장점이 있다.전기방사법(electrospinning)은 정전기력(electrostatic force)에 의해 낮은 점도 상태
    리포트 | 20페이지 | 10,000원 | 등록일 2014.12.30 | 수정일 2020.06.18
  • 판매자 표지 자료 표지
    박막제조장비회사 조사
    이 있었다.본 발명의 다른 목적은 별도의 장치를 사용하지 않고 하나의 설비로서 박막증착과 이온 도핑을 수행할 수 있도록 하여 설비원가의 절감과 공정의 간소화를 기할 수 있도록 한 이온 ... -. Material Usage : 30 ~ 60%4) Intergration 기술(자동화)- 자동화는 양산장비의 생산성 확보와 정밀한 조절을 위해 필요로 하는 기술로 공정과 H/W ... 을 가지는 태양전지용 박막을 얻을 수 있는 효과가 있다.2) 증착장치 및 이를 이용한 증착방법본 발명에 따른 증착장치는 반응 공간을 형성하는 공정 챔버와, 공정 챔버에 연결된 이송 챔버
    리포트 | 10페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.05.05
  • 태양광발전과 활용 레포트
    중에 만들어진 전자와 정공이접촉. 전위차 때문에 분리되어 양쪽 물질에서 서로 다른 종류의전기가 나타나는 현상입니다.3. 다결정 실리콘 공정도다결정 실리콘 공정순서1. 원재료인 다 ... 결정실리콘 7. 후면 접합부 형성2. 잉곳제조 8. 반사방지막 코팅3. 잉곳 절단 9. 전극 형성4. 웨이퍼 제작 10. 전극 열처리 후 전지 완성5. 에칭 표면처리6. Pn접합부
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.06.27
  • 유비쿼터스비즈니스 연습문제 1
    의 차이점을 비교 설명하시오.● 집적회로와의 차이점은 MEMS 기술은 다품종을 소량 생산을 하며 웨이퍼의 크기는 3~6인치로 집적회로의 6~12인치 보다 작다. 기판재질에서도 실리콘 ... . 장치의 종류는 반도체용과 MEMS용이 있고 제조공정의 표준화는 집적회로는 쉬운반면 MEMS기술은 어렵다. 고부가 가치 대응은 직접하고 LSI는 MEMS 3차원화 이다. 산업규모
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.07
  • 식각 바막 결과 보고서
    이 그려진 마스크를 웨이퍼 위에 얹은 다음 , 조준을 하여 강한 자외선을 통과 시킨다 .Si substrate SiO 2 9 . Re 노광 ( Exposure) 다시 한 번 더 노광 공정 ... Si substrate 1. Si substrate 생성 단결정 성장 및 경면 연마를 통해 Si substrate 를 얻는다 .Si substrate SiO 2 2. 산화공정 ... 고온 (800~1200C) 에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 산화막 (SiO 2 ) 을 형성하는데 , SiO 2 가 증착하는 정도 ( 두께 ) 에 따라 색깔이 달라진다 .Si
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.15
  • 단결정 성장 공정
    1.단결정 성장 공정1) 반도체에 단결정을 사용하는 이유 2) 결정성장이란? 3) 결정 성장법의 종류 및 원리 4) 사용분야단결정단결정 정의: 원자가 규칙적으로 배열하여 하나 ... growth method사용분야1. CZ (Czochralski) Silicon Wafers ⇒ IC, LSI, Transistors, Diodes, Power Transistors 등 ... 의 정류소자. 2. MCZ (Magnetic Czochralski) Silicon Wafers ⇒ IC, LSI, Power Transistors, Diodes etc. 3. FZ
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.27
  • 디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정11
    ..??연마제에 의한 화학반응효과, 연마장치의 압력/회전에 의한 기계적 효과를 결합하여 Wafer 표면을 평탄화하는 공정이다.4. CMP의 필요성..??최근 반도체 소자의 회로선폭이 미세 ... 1. CMP란..??연마해서 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들어 주는것.촉진제(chemical)를 연마장치(Mechanical)에 공급하면서 연마(polishing)를 진행하는 과정 ... .2. CMP에 기본구성이 되는 장치는..??A. Wafer Head : Wafer를 보유하면서 회전/가압B. 연마 Pad : Wafer 표면을 직접 적총하는 신축성 있는 연마표C
    리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20
  • LED의 개념 및 특징
    된다.1) 반도체 광원공정: 기판 단결정 제조공정, 에피웨이퍼 제작공정, 칩 제조공정, 패키지공정, 모듈조립공정 이다.2) 패키지/모듈공정: 웨이퍼에서 생산된 LED 칩을 이용하여 고 ... 라이트 부문의 3단계 제조공정은 반도체광원 공정, 패키지/모듈공정, 시스템 및 응용공정이며좀 더 넓게 나누면 LED 제조부문과 백라이트 부문(BLU) 제조공정의 2단계공정으로 구분
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.08.06
  • 태양광 패널의 기초와 취급방법
    를 이루고 있는 청색의 다결정 태양전지이다. 다결정 태양전지는 디바이스로서의 변환효율이 단결정에 비해떨어지지만 단결정이 갖고 있는 복잡한 웨이퍼 제조 공정을 몇가지 생략할수 있 ... 효율이 한계점에 이른다는 것을 의미한다.(2) 형상의 제약이 작은 다결정 실리콘 태양전지가 유용하게 사용된다.예전의 연구원들은 단결정 웨이퍼 측면을 재단함으로써 면적당 셀의 충전율
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.07
  • 대화면 터치스크린
    glass(Window) 위에 직접 제작되는 TSP이다. 그런데, 강화유리 위에 형성된 ITO 전극은 공정 과정에서 열처리 온도에 제약을 받는다. 열처리 온도가 높을수록 결정성이 높 ... 과 치환된 K이온이 용출되어 ITO 박막 특성을 약화시켰기 때문이다. 따라서 저저항 ITO를 구현하기 위해서는 공정과정에서 열처리 온도에 신경을 써야한다.열처리 온도에 따른 ITO ... 면저항 변화2)열처리효과 - IPVD 공정 최적화IPVD는 기존의 PVD(Sputter) 증착에서 기상의 플라즈마 밀도를 높여주어 증착되는 입자를 활성화시켜주는 방법을 적용
    리포트 | 25페이지 | 6,000원 | 등록일 2013.07.14
  • 디스플레이 물성및재료 반도체 제조공정 디스플레이 제조공정8
    문제 1번웨이퍼 금속화란무엇인가? 답: 물리적 공정의 화확약품을 사용해서 웨이퍼 위에 전도성을 띤 금속의 박막을 증착하는것문제 2번금속들의 유형을 쓰시오. 답: 1.전도성: 높 ... 되고 아래의 막들을 공격하지 않는 용액으로 식각된다.문제 5번알루미늄-구리 합금(Aluminum-copper alloys ) 의 특징을 쓰시오 답: 웨이퍼 제조공정에서 실리콘 ... 된다. 결점은 균일한 스텝 커버리지를 생산하지 못한다. 웨이퍼를 가열하고 반구형태를 가진 공정실 안에서 웨이퍼를 회전시킴으로써 가열된 웨이퍼에 의해서 스텝 커버리지를 개선시킨다.문제
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.20
  • 반도체 집적회로에 대하여
    ♣ IC(집적회로)의 제작공정IC(집적회로)의 제작공정을 알기 위해서 먼저 반도체가 무엇인지 알아보고, 구체적으로 웨이퍼의 제작 공정웨이퍼의 가공 공정 대해 알아보겠습니다.← ... ------웨이퍼 제작 공정------→ ←------웨이퍼 가공 공정-----→1. 반도체 개요반도체 산업은 전자, 통신, 정보사업 부문과 함께 두드러진 발전과 성장을 기록 ... (실리콘)IC는 단결정제조·웨이퍼처리를 하고, 마스크제조공정을 거쳐 만들어진다. 단결정제조공정에서는 실리콘의 원료인 규소석에서 순수한 실리콘을 빼내어 단결정으로 만들고, 그것
    리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.17
  • ITO patterning 공정 예비
    1. 실험제목 : ITO patterning 공정2. 실험목적 :?OLED 소자의 투명전극으로 사용되는 ITO를 원하는 모양으로 식각하는 법을 습득 ... 한다.?Photolithograph에 사용하는 각 공정의 원리와 공정 시 주의 점을 습득한다.3. 실험이론 및 배경 : (고분자재료실험(한국고분자학회) 책의 key word는 꼭 조사할 것)저분자 혹은 고분자 ... . 따라서 ITO patterning전 전처리 공정을 통하여 표면을 개질시켜 주어야 한다.이 과정이 끝나면 Photoresist(PR)를 roll coater 또는 spin coater
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.15
  • 판매자 표지 자료 표지
    이건희 리더십
    몇 가지가 웨이퍼 선택과 생상공정 방식의 선택이다. 삼성전자가 반도체에서 글로벌 기업이 될 수 있었던 여러 이유 중 하나는 이건희가 스택 방식을 선택했다는 것이다.1986년 10월
    리포트 | 15페이지 | 3,500원 | 등록일 2016.12.27 | 수정일 2016.12.29
  • Hwang’s Law
    기가 D램 개발, 4기가 D램, 300mm 웨이퍼 양산, 나노공정 도입 등 세계 최초의 기록들을 쏟아내면서 세계 반도체 기술발전을 이끌었다는 평가를 받고 있다.1997년부터 낸드
    리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.05.12
  • 태양전지제조공정
    음 ◎ 형상변화의 어려움 ◎ 고가 결정질 태양전지의 구분 단결정 태양전지 다 결정 태양전지결정질 태양전지 제조공정 P 형반도체 N 형반도체 P 형 단결정 Si 웨이퍼 P-N 접합 ... 형성 전극 형성 반사방지막 형성 반사방지막 표면전극 뒷면전극단결정 태양전지 제조공정 웨이퍼완성 절단 Ingot 완성 실리콘 원석 도가니에 넣고 용융 Czochralski 법 ... Czochralski 법실리콘 단결정 제조 방법 Czochralski , CZ 법 Float Zone, FZ 법 SEED재료의 결정면다결정 태양전지 제조공정 P-TYPE WAFER
    리포트 | 27페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.25
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2025년 05월 21일 수요일
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