"cds박막"의 검색결과 입니다.

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포토리소그래피 CO2 FT-IR관측 cds LED 특성 측정 반도체 공정 CdS 박막 DSSC Isc 구하기 ITO

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"cds박막" 검색결과 121-140 / 294건

단결정 박막 분석 방법 및 ZnO 조사

신소재 공정 실습2단결정 박막의 분석법Analysis method of single crystal thin filmⅠ. 단결정 박막의 분석법1. 구조적 특성 분석1.1 XRD성장 ... 와 detector가 항상 시편의 표면에 대해서 대칭적인 관계를 유지하며 scan이 진행된다. 이 경우에는 시편의 표면과 평행한 면속 의 회절빔만 검출된다. 다결정 박막 시료에서는 우선 ... 배향의 효과를 확인 할 수 있고, ZnO와 같은 단결정 박막 시료에서는 한 면속의 hkl만 관측이 된다.Fig 1. θ-2θ scanⅱ) φ scan- θ-2θ scan 방법

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.09

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[무기화학실험]금도금 예비+토의 레포트

을 다른 종류의 금속 또는 합금의 얇은 막으로 피복하는 것으 로 방식·장식·표면경화 등을 목적으로 하고, 또 자성박막·도체박막·저항체박막·초전도박막 등의 특수한 기능을 갖는 박막 ... 을 제작하기 위하여 실시한다.2)도금의 종류ㅡ금속재료의 표면을 다른 종류의 금속 또는 합금의 얇은 막으로 피복하는 것으로 방식·장식·표면경화 등을 목적으로 하고, 또 자성박막, 도체 ... 박막, 저항체박막, 초전도박막 등의 특수한 기능을 갖는 박막을 제작하기 위하여 실시한다. 고대의 금도금은 거의 아말감법에 의해 이루어졌다. 그 방법은 우선 금 1에 대해 수은 2∼3

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.07

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컬러 액정 디스플레이

을가진 TFT(박막트랜지스터)소자와 메모리 성질을 가진 부가용량이 형성되어있다. 부가용량에 전하가 축적되고 TFT로 구성된 고속 스위칭회로와 함께사용함으로써 고응답성을 실현했다.2 ... 되면 그 라인의 화소가 선택되고각 화소와 교치하는 신호선 S에서 S의 데이터 신호가 각 화소에 일제히 입력된다. 각 화소에 입력된 데이터 신호는 다음에 어드레스신호가 올 때까지 유지 ... 화소수480*272240*320화면크기4.3형 와이드(랜드스케이프)2.7형(포트레이트)모듈휘도600cd/㎡(I=20mA)550cd/㎡(I=18mA)CPU등에 접속CMOS,RGB 각

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.09

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SPUTTER

beamMolecualr beamIon platingLaser ablatingRadio-FrequencyDCMagnetron박막 증착 법의 종류PLASMA 란?플라즈마란? 일반적으로 물질의 상태 ... 에너지로 충돌할 경우 입자 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 되는 현상 - 스퍼터링(sputtering) 현상 ... 적으로 sputter yield는 이온의 에너지와 질량이 증가하면 증가한다. 그러나, 이온의 에너지가 너무 크면 이온 주입이 일어나 오히려 sputter yield는 감소한다.자료

리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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PV JAPAN 2009 태양광 전시회 참관 세미나 요약보고서

156mm)이나, 자회사인 sontor를 통해 박막형 태양전지를, CALYXO를 통해 CdTe, CdS 등 화합물 태양전지를 개발하고 있음o 제조장비 분야- APPLIED ... 화 전략으로 중국에 13개 생산기지를 지었고, 국내 삼성전자, LG전자를 고객으로 사업확장 중임- 실리콘 박막형 태양전지 Laser scribing 장비를 개발하는 IPORT 부스 ... 형, CdTe를 이용한 박막형 태양전지 등 다양한 제품을 선보였으며, 샤프(SHARP)에선 태양전지 겸용 창문을 전시하는 등 다양한 제품, 적용방법을 선보임ㅇ 총 223개 참여 기업

리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.08.14

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그래핀

디스플레이에 필수 요소인 투명 전도성 때문에 그래핀은 기존의 투명성 박막을 대체 할 수 있는 물질이다.2. CD 1500장 기억 '테라비트' 원천 기술 개발◆ '꿈의 기억 소자 ... Graphene (그래핀)For the semiconductorContents◆ 1. 반도체 - 반도체 - 반도체 웨이퍼 - Si Vs Graphene ◆ 2. Graphene ... 성을 가지고 있다.제조공정`흑연을 3% 수소가 함유한 아르곤 가스층에 두어 그래핀의 각 층을 느슨하게 함 그래핀을 용액 중에서 초음파를 조사하여 스트립 (strip) 상으로 찢

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.30

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Solar cell of compound semiconductor(복합물 반도체 태양전지)

계수 – 104 ㎝-1  1㎛ 두께로도 90% 태양광 흡수 - 박막 형태의 태양전지 제작 가능. * 순수 상태 CdTe – Cd가 결핍 (p형 반도체 성질) 매우 낮은 전기전도도 ... Principals of solar cell[Solar cell of compound semiconductor]목 차Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 태양전지 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 태양전지 ... , Se → S 로 치환.  CIS, CIGS 로 표기 . ┏ CuGaSe2 : 1.6eV┓ ┗ CuGaS2 : 2.5eV┛ * CIS계 장점 - 장시간 신뢰성 (1988년 11월

리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.04.24

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Photo lithography(포토 리소그래피)

되는 정재파(standing wave) 현상 발생으로 노광부와 비노광부의 열확산을 CD(Critical Dimension) 균일도를 향상하기 위해 hot plate에 웨이퍼를 100 ... 한 Lithography로 물질 위에 빛을 사용하여 패턴을 남긴다. 반도체에서는 회로를 빛을 이용하여 박막이 형성된 웨이퍼에 입히는 공정이다. 미세한 패턴을 사용하는 것이 집적 ... wafer 전체를 도포시킨 후 일정온도에서 baking하여 PR의 용제(solvent)를 기화·제거시켜 단단하게 만드는 과정을 말한다.▶Photo Resist coating에 영향을 주

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.20

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화합물 반도체 태양전지

이 온 인류가 꿈꾸어온 에너지 해결책이고 태양전지로 그 결과가 나타나고 있다.태양광 발전은 반도체(semiconductor)로 만들어진 태양전지(photovoltaic cell)에 빛 ... < 최 안정성이 높은 태양전지이다. 현재 CdTe는 대규모 전력용으로 사용을 위한 실증시험 중에 있다. CIS는 실험실적으로 만든 박막태양전지 중에서 가장 높은 19.5％의 변환효율 ... 에 이른다. 가격을 절감해 지상용으로 사용하기 위해서는 값싼 기판 위에 박막으로 제조해야 하는데 아직까지 실용화단계에 이르지 못하고 있다. 우주용의 경우 현재는 GaInP/GaAs/Ge

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.05.13

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침강 건조 예비 보고서

은 이론적인 Stokes의 법칙과 같다.항력과 stokes의 법칙을 결합하여 CD에 대하여 풀면,Re 수가 1 이상이면, 구 뒷부분의 흐름 양상이 앞부분의 흐름 양상과 크게 달라지 ... 의 점도(Pas)v : 유체의 평균속도(m/s)여기서 D는 변수이다. 파이프에서는 직경 D, 구에서는 직경 Dp, 평판에서는 길이 L이다.cf. 중요시되는 무차원군 조사∙Nusselt ... 는데, 이는 높은 열전도도 때문이다.∙ NRe & CD (Unit Operation 참조)각각의 특별한 형태의 물체(구, 실린더, 원판)와 흐름 방향을 지닌 물체를 배치할 때 CD 대

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.14

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화합물 반도체 태양전지

에 적정량의 Cd2+와 S2-이온을 만들고용액의 온도를 조절하여 각 이온 농도의 곱이 용액의 용해도적보다 큰 경우에 CdS의 형태로 석출되는 성질을 이용한 것이다. 값싼 공정 ... 으로 우수한 특성의 박막을 얻을 수 있지만CdS의 단점은 우선 Cd물질 자체가 독성인 점과 또한 여타 단위 박막과는 달리 습식 화학공정을 이용하는 점이다. 그 대안으로 물리적 박막공정 ... 의 두께를 혁신적으로 줄이는 기술, 또는 유리와 같이 값싼 기판위에 박막형태의 태양전지를 증착시키는 기술이 주목을 받고 있다. 기존의 박막 제조공정을 이용할 경우 보다 값싼 방법

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.04.02

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TFTLCD

TFT-LCDhttp://images.pennnet.com/article_images/sst/org/efficiency_tmos_vs_lcd_125dpi.gifComponents ... and optical efficiencyRef. Digital Production Processing Forming TeamBEF (0°)BEF (90°)Diffuser 1s ... 는 고분자 박막Components and optical efficiencyRef. Digital Production Processing Forming TeamReflective TFT

리포트 | 36페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.17

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반도체 나노입자의 합성

와 치환되거나 7족원소가 s와 바꾸어 들어가면 donor준위를 형성 ⅳ) 1족원소와 cd가 치환되거나 5족원소와 s가 치환하면 acceptor준위를 형성 한편,CdS는 In, Sn ... Heptane 65㎖ATO 1.665g증류수 w = 5, w = 10N2 gas 하 20min 이상역미셀 용액 10㎖5㎕ 1M Cd(NO3)2·4H205㎕ 1M Na2S20min 동안 ... Ni powder의 소결 , 유형근, 2004 4. 나노 세공 분자체의 합성과 응용, 2003, 한국과학기술연구원 카드뮴(Cd)과 황(S)을 포함하는 단일 전구체의 합성과 화학증기

리포트 | 54페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.06.19

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전기변색소자 (electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰

glass) 위에 오산화바나듐 (V2O5) 박막을 합성하고, 순환전압전류법 (Cyclic Voltammetry)을 통하여 합성된 박막의 전기적 특성을 파악하여 전기변색소자 장치 ... Kodak 의 C.W.Tang 등에 의해 10V 이하의 낮은 전압에서 발광하는 형광 양자수율이 좋은 유기화합물을 함유한 박막을 적층시킨 유기 EL소자가 보고되어 관심을 모으기 시작 ... 하였다. 이 소자는 금속 chelate complex를 발광층으로, 아민계 화합물을 hole 주입층에 사용해서 고휘도의 녹색 발광을 얻었다. 6∼7V의 직류전압으로휘도는 수천(cd

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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태양전지

에 따라 다르지만, 일반적으로 중심파장인 600nm을 기준으로 약 30%의 반사율을 가집니다. 이를 surface texturing으로 반사율을 낮춥니다(texturing을 방법 ... 를 고려하면 반사방지막의 굴절율은 2.3-2.4가 적당합니다.◎ 효율태양전지의 효율을 특징 지워주는 변수로는 open-circuit voltage(Voc), short-circuit c ... 은 우선적으로 입사광의 세기와 파장분포(spectral distribution)에 따라 달라지지만, 이러한 조건이 결정된 상태에서는 광흡수에 의해 여기된 전자와 정공이 재결합

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.02.26

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ITO Patternig

한 Photoresist의 열적 성질, 접착력 그리고 공정 조건에 따라 좌우된다.※ spin coater (스핀코터)- 평평한 웨이퍼나 평판에 얇게 막을 형성하는 것으로 박막 공정의 기본 ... 의 유기물 층에 한정되는데 이러한 박막구조 상에서는 ITO의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성에 커다란 영향을 미치게 된다. 따라서 ITO ... oater 또는 spin coater를 사용하여 ITO 전면에 균일하게 도포 한다. 이 때 사용되는 PR의 두께는 설계된 소자특성에 따라 다르나 어떠한 경우에도 ITO glass

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07

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LCD, Laser Diode, LED의 원리와 특징

해60nm,0.9-1.7umpulsed, cw, short pluse색소Sodiumfluorescinethanol,water570-610nmcw,mode locked증기Water ... vapor-.short pulse, cw기체HCN-530-560nmpulsed, cw화학HF,DF-119umpulsed, cw질소N2-337um,2.6-4umpulsed엑시머 ... , cd)로 나타내기도 하고 있다. 1980년대 초반까지 적색 LED의 광효율은 1 lm/W이고, 이는 백열전구에도 못 미치는 수준이었다. LED의 발전사자료 : Osram 발표

리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.08

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glass 기판의 미세배선 기술

. 결론 .투명전도 박막 – TCO (Transparent Conducting Oxide) 투명전도성 산화물 박막은 평판표시소자 (FPD) 와 박막형 태양 전지 같은 광전자 소자 ... , Zn, Cd 의 산화물에 한정된다 . Touch Screen OLED, LCD PDPPDP 단면구조 액정 패널의 PCB - (Printed circuit Board) PCB ... electroless Cu plating Pattern formation of ZnO thin film Sn -Ag-PdITO (Indium Tin Oxide) 박막 - 현재 상업적인

리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.11.18

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SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

하며 이로 인해 string이 CD에러 예상수치를 초과하지 않게 된다.③ IPL(Ion projection lithography)IPL은 레지스트 노출에 이온빔을 이용하거나 정밀 ... 1. 실험제목SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공 정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착 ... 공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공 정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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마이크로웨이브를 이용한 금속황화물 나노분말 제조 결과

에서 700∼800℃로 가열하면 등축정이 육방정으로 변화한다. 염화카드뮴 용액에서는 불순물을 함유한 육방정을 얻는다. 육방정의 결정은 Cd－S원자간 거리가 2.52Å이다. 비중은 4 ... 최상의 용매 중 하나이다.Microwave을 이용한 CdS분말 합성 반응 메커니즘은 다음과 같다.CdCl22.5H2O + CH4N2S (thiourea) ---> CdS ... 기지)콜로이드 화학, 고분자 공학코팅(박막, 후막)표면화학성형(건식, 슬러리 캐스팅, 압출/사출)정밀가공(금형), 유체역학소결(무가압, 가압)탈지, 수축 제어, 미세조직 제어

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.03.08 | 수정일 2015.06.29

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