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"cds박막" 검색결과 101-120 / 294건

  • OLED의 개요, 핵심기술, 기술개발 동향, 개선점 및 관련특허분석, 시장분석
    렌)(PPV)에 전기를 흘려주면서 빛을 발한다는 것을 보고한 이후 많은 발전을 이루어 왔다. 이러한 고분자 OLED는 경량, 박막, 자체발광, 저전압 구동, 빠른 스위칭 속도 등 ... 의 장점을 가지고 있다. 특히, 저분자 유기발광 소재를 이용하는 OLED에 비해서 간단한 스핀코팅과 같은 방법으로 박막을 형성할 수 있으므로 제조 공정 비용이 매우 작다는 큰 장점 ... ) 현상은 1963년 뉴욕대학의 Pope 등이 Anthracene(10-20 um의 박막두께)를 이용하여 100-2000V를 가하여 1% 이하의 낮은 효율을 얻었다.수십 nm
    리포트 | 28페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.26
  • Spectroelectrochemical Study of Benzyl Viologen
    분석이라고 한다. 그 중 흡수전기분광학방법(spectroelectrochemical analysis)은 투명한 전극(optically transparent electrode, OTE ... )을 사용하여 전기화학실험을 하면서 동시에 흡광도를 측정하는 방법이다.1) 투명전극: 광 투과성과 도전성이 있는 전극으로 산화 주석, 산화 인듐, 백금, 금 등의 박막을 유리 ... , IR, Raman, EPR)을 이용하여 분석할 수 있다.3) Cyclodextrins(CD): D-glucose 단위체가 α-(1,4) glucoside 연결로 결합된 c
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.02
  • 마이크로 표면
    을 표면의 친수성 (hydrophilicilty)와 소수성(hydrophobicity)을 알아보고 이의 마이크로 디바이스로의 응용과 표면개질( suirface modification ... (Young's Equation)을 만족하여야 한다.?SL - ?SG + ?LGcosθ = 0이 식은 ?LG를 ? 라고 할 때?(1 + cosθ) = ?WSLV로 나타낼 수 있다. 여기 ... (hydrophobicity) 경향을 한 번 에 알 수 있어 박막평가, 표면의 접착(adhesion), 표면처리, 폴리머 표면분석에 광범위 하게 사용되며, 측정 후 표면에 영향을 주지 않기 때문에 간단
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.24
  • 항공기 Radome제작 설계 및 XRD 보고서
    으로 연결되고 단위체의 C축에 의해 평행하게 유지된다. AB와CD를 관계 짓는C-glide plane 때문에 ¥a구조는 터널 대신에 움푹 패인 구멍을 포함한다.[ Crystal s ... 된다. AB층은 ¥a , ¥a에서 같고 CD층은 ¥a안에서 C-glide plane에 AB와 관계된다. ¥a-Si3N4 안에서 Si3N4 tetrahedral은 터널을 형성하는 방식 ... orner-sharing SiN4tetrahedra ]? Si3N4 의 기본적인 물리량원 소 명Silicon nitride화 학 식Si3N4원 자 량140.28g/mol겉 보 기회색
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.02
  • 태양광전지
    이다. CBD법이란 용액 내에 적정량의 Cd2+와 S2-이온을 만들고 용액의 온도를 조절하여 각 이온 농도의 곱이 용액의 용해도적보다 큰 경우에 CdS 형태로 석출되는 성질을 이용 ... 한 것이다. 값싼 공정으로 우수한 특성의 박막을 얻을 수 있지만 CdS의 단점은 우선 Cd물질 자체가 독성인 점과 또한 여타 단위 박막과는 달리 습식 화학공정을 이용하는 점이 ... 게 분류하면 무기물 태양광전지, 염료감흥 태양광전지, 유기물 태양광전지로 분류할 수 있으며 증착에 따라서 벌크형과 박막형으로 구분할 수 있다.1)무기물 태양광전지실리콘 계열 태양전지
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.21
  • RHEED, LEED, AAS, Raman, ICP
    을 할 수가 있다.특히 소량의 박막 결정에서 결정 방위의 측정에는 자주 Raman 측정이 이용된다.또 소량의 결정에 미치는 응력 또한 Raman 스펙트럼의 shift로부터 추측할 수 ... 에 Escape mean free path가 길다.RHEED 기본 원리◎ Data 분석왼쪽의 Data는 monomethylgermane (MMGe : GeH3CH3) 와 Si 의 s ... urface reaction을 RHEED로 분석한 것이다. (a) 는 20초동안 surface reaction을 진행시킨 것이고 (b)는 1800초 (c) 는 RHEED
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.04.25
  • SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 [예비]
    < SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 >1. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째로 증착공정 둘째 ... 로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험 ... 에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.2. 실험내용가장 널리
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.07
  • 아날로그와 디지털
    의 분석 점들 사이에 무한개의 시간 점들에 대해 정의된 값들을 함수는 가질 수 있다. 아날로그는 보통 일련의 사인(sine)곡선으로 표현되는 경우가 많다.아날로그의 한 예는 음성파형이 ... 뜻이 있다. 이것은 수를 세는데 손가락을 사용하는 사실과 관련되어 유래되는데, 손가락을 셀 때에는 손가락을 굽히든지 또는 펴든지 하는 두 가지 확연히 구분되는 안정된 상태(s ... table state)를 이용하여 그 중간의 상태는 배제된다. 이러한 성격을 이용해 정보를 쉽고 정확하고 신속하게 처리할 수 있도록 어떤 양 또는 데이터를 2진수 `숫자 0과 1
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.02
  • GaN LED의 이해와 반도체 소자 특성 측정장비의 이해
    oncentratioght source: He-Cd laser, Nd-YAG laser, He-Ne laser, N2 laserCryogenic system (10 - 300 K)Photon c ... 박막 실험결과 레포트GaN LED의 활용-LED는 발광다이오드 반도체로서 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기신호를 보내어 빛을 발산시키는 장비로서 다양한 용도로 사용할 수 있 ... 됩니다. 또한 에너지 레벨간의 전이에 있어 spin allowed transition을 PL또는 형광으로 정의하고 spin forbidden transition을 인광으로 정의하기도 합니다
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30
  • 완전 이해 잘되는 [분광학적 분석 방법] 레포트
    를 측정함으로서 시료표면의 정성 및 상대적정량분석을 하는 표면 분석기기이다. X-ray source로는 Mg Ka(1253.6eV),Al Ka(1486.5eV)를 사용하고 double ... 을 위한 ion sputtering 기능이 있고pass energy를 5~200eV까지 조절할 수 있다.② 용도 및 성능: 금속,촉매,섬유,ceramic,반도체 등 거의 모든 분야 ... 에 사용이가능하며 시료의 상태는 powder나 박막위에 coating한 것 등고체시료는 거의 모두 분석 가능하다.③ 시료구비조건: 10mm X 8mm가 적당하며 두께는 2mm 이하
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.26
  • Color TFT-LCD의 구조 및 동작 원리
    Chassis Unit1.2 TFT-Array 패널의 설계1.2.1 박막 트랜지스터의 설계1.2.2 신호배선의 설계1.2.3 화소전극과 축적용량 설계1.2.4 패널 주변부 설계1 ... 의 동작 특성1.4.2 TFT의 I-V 특성1.4.3 박막 트랜지스터의 최적 Design Simulation1.4.4 누설전류와 축적용량 Design Simulation1.4.5 ... cd/m2 이상으로 매우 밝기 때문에 channel 하부에 backlight의 직접광을 차단하는 구조가 필요하다. 이러한 backlight의 효과적인 차단은 bottom gate
    리포트 | 67페이지 | 10,000원 | 등록일 2011.06.12
  • 그래핀(for the semiconductor)
    그래핀(for the semiconductor)서론1. 반도체(반도체란)◆도체와 절연체의 성질을 동시에 지니고 있으면서, 특정 조건(전압, 빛, 압력 등)에서 그 특성이 변하 ... . 그래핀이란그래핀이란 탄소 원자들이 sp2결합으로 이루어진 단일 평판 시트로 꿀벌집의 6각형 결정 격자에 집적된 형태에서 볼 수 있고, 닭장 울타리의 6각형 모양의 닭장 선의 형태 ... 처럼 굴고 운동 방향에 평행한 스핀을 가진다. 진행 방향 앞에 장애물이 있어도 마치 아무것도 없는 양 뚫고 지나가기도 한다 (Klein's paradox).3)오늘날의 실리콘 기반
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.13
  • 분광학적 분석 방법
    을 하는 표면 분석기기이다. X-ray source로는 Mg Ka(1253.6eV),Al Ka(1486.5eV)를 사용하고 double pass cylindrical mirror ... analyzer를검출기로 사용하며, 부도체 시료의 전기적 보정을 위한 electron -flood gun, 시료표면 cleaning을 위한 ion sputtering 기능이 있 ... 나 박막위에 coating한 것 등고체시료는 거의 모두 분석 가능하다.③ 시료구비조건: 10mm X 8mm가 적당하며 두께는 2mm 이하로 준비한다.ⓑ UV / VIS (흡광광도계
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.03
  • 기계재료 Term project 최종
    기계재료 Term Project사례연구 (Case study)소속 : 기계시스템 전공학번 : 20922521학년 : 3학년이름 : 강두오목 차1) 목적 및 대상 소개2) 정상적인 ... 의 제품이 라던가 L/t(길이와 벽두께 비)가 큰 제품의 성형은 어려움이 따른다.2) 용도-휴대폰과 노트북, 모니터 등 IT 제품의 외장재를 비록해 CD, DVD의 플라스틱 재질 등 ... 를 해야 하나? :-표면 가열처리 : 버너에 가스를 사용하여 표면을 가열함으로 인해서 외부의 제품에 문자를 인쇄하는데 사용된다.-표면 가열처리 : [얇은 박막의 재질일 경우 인쇄 부착
    리포트 | 31페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.04.06 | 수정일 2014.11.20
  • 스퍼터링(sputtering)
    스퍼터링(sputtering)1. 스퍼터링의 목적과 이론반도체, LCD,유기EL등의 평판 디스플레이, CD,HD,MD등의 각종 기록매체, 박막 태양전지, 휴대폰등의 전자파 차폐 ... 는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게 된다. 이러한 현상을 물리학에서는 “sputtering”이라고 말한다.2) 스퍼터링 박막형성박막 증착에서 sputtering이라 하 ... 하며, 가장 표준적인 sputter 장치이다.? 성막속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다.? 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다.? RF sputtering
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.18
  • 광전도체의 원리 및 특성 (황화카드뮴)
    )이나 산화 아연(ZnO)이, 비디콘에 3황화 안티몬(Sb2S3) 등이 쓰인다.▷ 황화카드뮴 (cds)1. 원리 및 구조○ 원리 : CdS광도전체에 임의의 입사광을 조사하면 그것에 대응 ... )으로서, 박막 또는 작은 단결정으로 사용하며, 파장에 대해 시감도와 거의 같은 특성이 얻어진다. 황화납(PdS)은 적외선에 대한 감도가 좋다. 다른 용도로는 전자 사진에 셀렌(Se
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.07
  • 기계공학실험(엔코더)
    , S사이에 있는 코일 abcd에 직류전원으로부터 브러시(brush) B1, B2 , 정류자편(commutator) C1, C2를 통하여 전류를 흘리면, 코일 ab와 cd에 각각 아래 ... 신호의형태로 출력 주스케일은 일반적으로 유리가 널리 사용, 유리위에 크롬박막의 증착에 의한 격자모양 형성 격자는 명선(빛을 통과 시키는 선)과 암선(빛을 통과시키지 않는 선 ... 체가 도포된 자기드럼에 일정한 피치로 N극과 S극으로 자화, 자기드럼과 대향시킨 자기센서에 의하여 검출 자기센서는 자계의 강도에 의해서 저항이 변화하는 강자성 자기저항소자가 널리
    리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.08.19
  • 화합물 반도체
    의 밀도가 극히 작은 박막층을 성장 시킬 수 있게 된다.Hg1-xCdxTe의 LPE 상장용 기판으로 사용되는 Cd1-xZnxTe 박막과의 격자 상수의 차이를 없애며 이에 의해 성장 ... 구조를 하며, 반금속(semi-metal) 성의 HgSe 및 HgTe등은 zincblende 구조이다. 이들 zincblende 및 wurzite구조를 그림 1에서 나타내었다.Ⅱ ... 의 격자일부가 Mn이나 Fe등의 자기성 이온으로 치환된 DMS(diluted magnetic semiconductor) 등이 근래에 와서 핵심적인 연구개발의 대상이 되고 있다.Ⅱ-Ⅳ
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.02
  • 차세대 메모리
    과 Ti가 적당한 비율로 B-site를 나누어서 차지한다.“0”“1”PolarizationVoltageEnergyZElectric FieldAOBABO3 s ... dopants such as La, Nb, etc.. 2. Metal oxide electrode (Oxide electrode: IrO2, RuO2, LSCO…) 3. Epitaxial ... 유전체 박막을 기존의 MOSFET의 게이트 위에 형성해야 하는데 이 막의 균일한 형성이 힘듦. 셀당 1개의 MOSFET 게이트를 사용하는 DRAM과 달리 2개의 MOSFET 게이트
    리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27
  • 분광학적 분석 방법
    적정량분석을 하는 표면 분석기기이다. X-ray source로는 Mg Ka(1253.6eV),Al Ka(1486.5eV)를 사용하고 double pass cylindrical ... mirror analyzer를검출기로 사용하며, 부도체 시료의 전기적 보정을 위한 electron -flood gun, 시료표면 cleaning을 위한 ion sputtering 기능 ... 는 powder나 박막위에 coating한 것 등고체시료는 거의 모두 분석 가능하다.③ 시료구비조건: 10mm X 8mm가 적당하며 두께는 2mm 이하로 준비한다.ⓑ UV / VIS (흡광광도
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.18
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2025년 10월 14일 화요일
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