"비정질 실리콘 박막 트랜지스터"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

tft IGZO 박막 트랜지스터 LCD 소자 제작 공정 ptt 진척표 cvd oxide tft 단점 MOSFET TFT tft 제작

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

"비정질 실리콘 박막 트랜지스터" 검색결과 61-80 / 99건

LTPS

LTPS(Low Temperature Poly Silicon)■ 개 념최근 연구가 진행되고 있는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly-Si Thin Film ... 에 현재 일반적으로 비정질 실리콘(a-Si) 으로 제작된 화소 배열(pixel array)과 단결정 실리콘(single crystal Si)으로 제작된 구동 집적회로(LSI)를 TAB ... (Tape Automated Bonding) 등의 방법으로 연결하여 구동하고 있다. 그러나 비정질 실리콘의 경우 carrier인 전자의 이동도 및 개구율(aperture ratio

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.24

다운로드 장바구니
반도체에 대하여

이나 비정질(非晶質) 실리콘을 이용한 태양전지의 개발과 실용화가 크게 각광을 받고 있다.③트랜지스터반도체 결정 속의 도전작용을 이용한 증폭용 소자(素子)이다.1948년 미국 벨전화 ... 현상, 예를 들면 초전도체 사이에 끼어 있는 극저온절연박막(極低溫絶緣薄膜)을 통하여 생기는 전도현상에 p-n 접합의 경우와 비슷한 비선형(非線型)의 전압-전류 특성들이 발견 ... /10,000, VLSI는 약 1/50,000이다.이 집적회로의 실리콘 기판은 불순물이 첨가된 p형(또는 n형) 반도체로서 보통 그 위에 n형(또는 p형)의 실리콘 박막층을 부착시켜 망이다.

리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.07.29

다운로드 장바구니
[공학]반도체소자공학의 모든것 총정리

가지 구조의 예를 쉽게 찾아볼 수 있다. 비정질실리콘박막트랜지스터는 LCD에서 스위칭소자로 사용되고, 다결정질실리콘게이트는 MOSFET에서 사용된다. 그러나 대부분의 소자에서 소자 ... 게 3가지로 구분된다. 다시말해서 비정질. 다결정질, 결정질이다. 비정질 고체란 물지내 원자들의 위치가 개괄적으로 식별하기 어려운 배열을 가진 물질이다. 비정질의 물질내 원자배열 ... 의 능동영역은 결정질반도체에 의해 만들어진다. 오늘날 만들어지는 소자의 절대 다수는 결정질 반도체를 이용한다.2. 반도체의 격자구조에 대해 설명하시오.실리콘(그리고 게르마늄)격자구조

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.22

다운로드 장바구니
고분자 신기술 동향

효율 이 비정질 실리콘 태양전지에 버금가 는 높은 에너지 변환 효율과 함께 매 우 저렴한 제조단가 (기존 실리콘 태양전지 가격의 약 1/4)로 인하여 연 구계 및 산업계의 비상 ... 기여 세계최고, 세계최초 기술 개발에 집중하여 원천 기술을 선점하는 노력이 절실히 필요 하다.4. 유기박막트랜지스터> 유기전자공학“유비쿼터스 시대에는 정보를 실시간으로 보여줄 다 ... 다. 특히 유기박막트랜지스터(Organic Thin Film Transistor; 이하OTFT라고 함)는 이러한 기술의 핵심 능동소자로서 현재 세계적으로 널리 연구되고 있

리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.11.20

다운로드 장바구니
배향막 코팅, 배향막 imidization (경화)

며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막 ... 하며, 증착공정(deposition) 및 사진식각공정(Photolithography), 식각공정(Etching)을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이 ... 의 표면에서 받는 배향규제력(Anchoring force)의 정도는 배향의 안정성과 밀접하게 관련되어 있다.1) 배향막 형성 공정고분자 박막 형성과 Rubbing 공정, 그리고 고

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.11.03

다운로드 장바구니
지구온난화 예방을 위한 신ㆍ재생에너지의 역할과 전망

.지구발전 기술은 오래 전부터 개발되어 온 비정질 태양전지는 지속적인 고효율화 및 저비용 모듈의 기술 개발로 최근 대량으로 생산하여 보급되고 있다. 태양전지는 친환경 에너지이며, 지구 ... 원가를 신재생에너지의 발전원가에 대하여 우월한 경제성을 확보하는 것이 핵심적인 과제이며, 향후 박막 실리콘 태양전지를 14∼16%의 모듈 효율을 실현하여 결정계 태양전지에 손색이 없 ... 는 효율을 달성하는 것을 해결해야 될 과제이다. 효율 향상에는 새로운 박막 실리콘계 재료의 개발도 중요하다.2)우주태양광 발전소인공위성에 대형 태양전지를 탑재하여 전력을 생산

리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.21

다운로드 장바구니
[정보디스플레이] Thin Film Transistor

, 투사형 TV, HD-TV, View finder, optical computer 등에 이용되고 있다. 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터는 넓은 면적으로 낮은 기판온도 ... 기판 크기에 의존하는 제조 line과 설비에 따라 그 발전 단계를 구분할 수 있다. 수소화된 비정질 실리콘박막 트랜지스터는 넓은 면적으로 낮은 기판온도에서 제작할 수 있고 제작비 ... 에 중요한 영향을 끼친다. 다정질 실리콘 박막 트랜지스터의 경우 그 전기적, 광학적 특성이 결정 경계와 결정의 크기에 의존하므로 비정질 박막 트랜지스터에 비하여 제작 과정과 재현성 면

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.28

다운로드 장바구니
SOI와 TFT 기판제작방법

-Melting-and-Recrystallization: ZMR)이 주로 사용되었으며, 이 외에도 다공질 실리콘의 산화,실리콘의 측면 에피택셜 성장, 비정질 실리콘의 재결정화 등 ... , etch stopper막이 있다. 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.2 ... 에의해 이상에서 열처리 과정을 거치는데, 이러한 공정은실리콘 웨이퍼 직접 접합(Silicon wafer Direct Bonding: SDB)으로 알려져 있다.접합 후에 한 쪽 실리콘

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.09 | 수정일 2018.11.24

다운로드 장바구니
[디스플레이, 반도체, TFT LCD, 반도체공학.] TFT(ThinFilmTransistor)의 구성과 구동원리

한 유기TFT(Organic)로 나눌 수 있다.1.1 a-Si TFT(Amorphous Silicon)유리기판에 비정질 실리콘 박막을 형성하고 Photo Lithography 방식 ... 된 Silicon이며 반도체 박막 형성시 a-si(비정질실리콘)에 열처리를 함으로써 결정구조를 얻는다. Poly-Silicon은 정렬된 원자구조를 갖고 있어 전하이동도가 a-Si에 비해 100배 ... 을 이용하여 만든 TFT로서 결정화과정이 필요하지 않으므로 비교적 낮은 온도에서 제작할 수 있고 제조공정 또한 간단하나 비정질 실리콘의 낮은 전자이동도 때문에 디스플레이용으로 사용

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2004.12.08

다운로드 장바구니
[전기전자]TFT-LCD

에서 볼 때전계효과 트랜지스터(FET)의 종류이다.TFT에 사용되는 재료로는 비정질실리콘, 다결정실리콘 등이 사용된다...PAGE:5Planar StructureStaggered ... : Back Light 백색광 Color Filter RGB..PAGE:4TFT(Thin Film Transistor) 란?박막트랜지스터는 3개의 단자에 의해구동되어진다.전기적인 관점 ... SubstrateTFT에서는 활성화 층인 수소화된 아모포스 실리콘 활성화 층 표면에 고밀도 n-type으로 도핑된 n+ a-Si:H 층을 형성 시켜준다.스태거드구조 : 활성화 층

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.06

다운로드 장바구니
차세대 비휘발성 메모리

실리콘으로 만들어진 플로팅 게이트에 전하를 축적 혹은 방전을 통해 트랜지스터의 문턱전압(thresholdvoltage) 변화를 메모리 동작원리로 적용하고 있다. 읽어내기 동작 ... 과 Se이 혼합된 이원계 금속 합금을 사용하여 reset 전류를 1.6mA까지 감소시킨 보고도 있다. 또한 reset(비정질화)전류가 낮은 상변화 재료라도 반드시 100 nsec ... (Polymer RAM: 폴리머 램)NFGM(Nano Floating Gate Memory: 나노 부유 게이트 메모리)산업 동향결론참고 문헌서론비휘발성 차세대 메모리는 데이터의 비

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

다운로드 장바구니
유기 반도체 RFID

실리콘을 사용하였다고 하여도 무리가 없다. 그러나 반도체 성질을 가진 유기물로 트랜지스터를 제작하여 기존에 가장 많이 쓰이고 있는 비정질 실리콘 트랜지스터의성능에 버금가 ... 다. 따라서, 실리콘을 재료로 한 기존의 트랜지스터를 대체할 수 있는 플라스틱 전자 소자 기술의 확립은 매우 중요한 핵심 사항이다. 더구나TFT-LCD, 유기 전기발광 디스플레이 ... 에 트랜지스터를 용이하게 제작할 수 있는 모든 가능성의 핵심 중추에 플라스틱 전자 소자 기술이 자리 잡고 있으나, 개발은 상당히 미약한 실정이다. 따라서, 유기 박막 트랜지스터

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.07

다운로드 장바구니
OLED의 기술 및 연구개발 동향, 발광원리, 소자의 제작 방법

형은 다시 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 고동의 경우와 저온 결정화 실리콘 적용 박막 트랜지스터로 나눌 수 있다.소동 구동형의 화소는 양극과 음극의 단순 교차형 매트릭스 구조를 갖고 있 ... . OLED의 연구 개발 동향 (부가가치형 차세대 디스플레이)최근 들어 저온 폴리 실리콘 tFT 가 차세대 디스플레이의 핵심 기술로 떠오르고 있다. 고휘도, 고정밀, 경향, 진동, 충격 ... 에 강한 특성을 갖고 있는 저온 폴리 실리콘 TFT는 모바일 기기용 LCD로 주목받고 있으며, 유기EL등 차세대 디스플레이의 요소기술이기도 하다.TFT 액정은 투명한 유리판 위

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.02

다운로드 장바구니
용도별 차세대 디스플레이의 종류 및 원리

) (Amorphous-Silicon : 비정질 실리콘),Poly-Si4(Poly Crystal Silicon : 다결정실리콘), c-Si5(Single Crystal Silicon : 단결정실리콘 ... ) FED(Field Emission Display) : 전계(電界)방출 디스플레이나. 분 류- TFT-LCD는 트랜지스터를 구성하는 고체물질의 종류에 따라 a-Si3 ... 으로 향하는 전자를 차단하여 표시를 소거하는 역할을 한다. 양극은 거의 표시되어야 할 패턴 형상으로 형성시킨 흑연 재질의 후막 또는 알루미늄 등의 박막도체로 형성되어, 그 위에 표시패턴

리포트 | 24페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.01.28

다운로드 장바구니
습식 에칭 기술

(anisotropic) 식각의 두 가지 성질을 가지고 있다. 다결정(poly crystal) 실리콘이나 비정질(amorphous) 실리콘은 모두 등방성 성질을 보여주지만 단결정(single c ... .1. 습식 에칭이란?하나의 반도체는 손톱 크기만큼 작고 얇은 실리콘 칩에 불과하지만, 그 안에는 트랜지스터, 다이오드, 저항, 캐패시터 등 수 만개의 미세한 부품들로 가득 차있 ... 적으로 없애는 과정으로 현상액이 남아 있는 부분을 남겨둔 채 나머지 부분은 부식시키는 것이 에칭(식각)공정이다. 이렇게 기판위에 박막을 형성하고 에칭을 통해 회로 패턴을 형성하는 과정

리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.19

다운로드 장바구니
[공학]LCD제작 공정 , 저가격을 위한 방안

과 반도체막으로 나눠지며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질 실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루 ... 는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.Deposition Reference 1Sputtering 공정 (증착공정) - 금속재료의 deposition Sputtering ... L C DTFT Fab. ProcessTFT 공정은 반도체 제작 공정과 매우 유사하며, 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용

리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.31

다운로드 장바구니
LCD의 원리와 제조

실리콘(a-Si:H)과 접촉 저항층을 이루는 도핑된 비정질 실리콘막(n+ a-Si:H)이 있다.(2) Sputtering 공정 (증착공정)Sputtering은 RF power ... )을 반복하여 유리 기판 위에 박막트랜지스터를 배열하여 제작하는 공정이다. Wafer 대신에 유리를 사용한다는 점에서 반도체와 다르며, 반도체 공정은 1,000℃ 정도의 공정온도를 갖 ... , 반응 압력 등이다. 증착되는 물질은 절연막과 반도체막으로 나눠지며, 절연막으로는 게이트 절연막, 보호막, etch stopper막이 있다. 반도체막으로는 활성층을 이루는 비정질

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.18

다운로드 장바구니
pvd와 cvd

보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채로 비정질 ... 기 때문에 다층박막의 새로운 소재를 필요로 하게 되었다.PVD법의 전형적인 예는 진공증착과 sputtering증착이다. 진공증착은 진공장치에 시료를 넣어 일정한 온도로 가열 ... , 황화물, 등의 박막증착과정에 이용된다. 대부분의 경우 CVD반응은 열에 의해 활성화되지만 현저한 발열반응을 하는 몇 가지의 경우에는 기판의 온도를 낮게 유지한다. 열적인 방법

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

다운로드 장바구니
[반도체 박막]E-beam Evaporator

박막, 윤활 박막, 내식 박막비정질 박막 : 비정질 실리콘 태양전지? 박막의 제조방법박막증착의 형성과정1. 재료(출발물질)의 증발에 의한 기체상으로의 상변화2. 증발원으로부터 기판 ... 이 생성박막의 응용분야전기적 응용 : 반도체집적회로, 태양전지. 박막 트랜지스터, 박막저항기광학적 응용 : 발광 다이오드, 박막코팅, 광 스위치기계적 응용 : 장식용 박막, 내마모 ... 목차? 박막의 정의? 박막의 제조방법? E-beam Evaporator의 용도 및 기능? E-beam Evaporator의 동작원리 및 구조? E-beam Evaporator

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

다운로드 장바구니
pvd,cvd

로 비정질 실리콘 증착막을 얻는다.열 CVD법의 반도체 분야에의 응용은 에피성장에 응용하는 것부터 시작된다. 구성요소를 이용한 실리콘의 이송에 의해 단결정막을 형성한 후 SiCl4 ... 없기 때문에 다층박막의 새로운 소재를 필요로 하게 되었다.PVD법의 전형적인 예는 진공증착과 스팟터증착이다. 진공증착은 진공장치에 시료를 넣어 일정한 온도로 가열하고 rotary ... 물, 산화물, 황화물, 등의 박막증착과정에 이용된다. 대부분의 경우 CVD반응은 열에 의해 활성화되지만 현저한 발열반응을 하는 몇 가지의 경우에는 기판의 온도를 낮게 유지한다. 열

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09

다운로드 장바구니

이전10개 1 2 345 다음10개

파워링크

신청하기