[디스플레이, 반도체, TFT LCD, 반도체공학.] TFT(ThinFilmTransistor)의 구성과 구동원리
- 최초 등록일
- 2004.12.08
- 최종 저작일
- 2004.12
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소개글
디스플레이 등에 사용되는 TFT(Thin Film Transistor)
를 종류와 구동방식 에 따라 분류하여 설명했으며
TFT의 기본단위가 되는 FET의 구동원리를 비교적 상세하게 설명하기위해 노력했습니다.
많은 도움얻으셨으면 합니다.
목차
◇ TFT의 정의
1. TFT의 종류
1.1 a-Si TFT(Amorphous Silicon)
1.2 Poly Si TFT (Polycrystalline Silicon)
1.3 Organic TFT
※전자이동도
※Amorphous Silicon
※Poly-Silicon
2. TFT의 구조 및 구성요소.
※Gate 전극의 위치에 따른 TFT의 분류
○ TOP Gate 방식
○Bottom Gate 방식
3. FET의 구동원리.
3.1MOSFET의 구동원리
4. 디스플레이에서의 TFT활용
4.1 Memory 소자로서 활용.
4.2 구동원리
5. DRAM 과 디스플레이 에서의 TFT 회로 비교
본문내용
1. TFT의 종류
TFT는 반도체물질을 구성하는 Silicon의 종류에 따라 a-Si TFT(Amorphous Silicon)와 Poly Si TFT LCD (Polycrystalline Silicon) 그리고 유기물 반도체를 이용한 유기TFT(Organic)로 나눌 수 있다.
1.1 a-Si TFT(Amorphous Silicon)
유리기판에 비정질 실리콘 박막을 형성하고 Photo Lithography 방식을 이용하여 만든 TFT로서 결정화과정이 필요하지 않으므로 비교적 낮은 온도에서 제작할 수 있고 제조공정 또한 간단하나 비정질 실리콘의 낮은 전자이동도 때문에 디스플레이용으로 사용될 경우 화소의 응답속도를 떨어뜨릴 수 있다.
3. FET의 구동원리.
FET는 전계효과 트랜지스터의 약자로 다른 트랜지스터 와 마찬가지로 게이트(Gate), 드레인(Drain) 및 소오스(Source)의 세 단자를 가진 소자이며, 그림[1.2]에서 보는바와 같이 Gate 단자에 전압을 인가할 때 Source와 Drain 사이에 전류가 흐르는 현상을 이용하여 Switching소자로 활용한다.
3. FET의 구동원리.(TFT를 구성하는 Transistor)
FET는 전계효과 트랜지스터의 약자로 다른 트랜지스터 와 마찬가지로 게이트(Gate), 드레인(Drain) 및 소오스(Source)의 세 단자를 가진 소자이며, 그림[1.2]에서 보는바와 같이 Gate 단자에 전압을 인가할 때 Source와 Drain 사이에 전류가 흐르는 현상을 이용하여 Switching소자로 활용한다.
3.1 MOSFET의 구동원리 (그림과 설명)
MOSFET는 Metal Oxide Scmiconductor FET의 약자로 금속-산화막-반도체 FET로 불리며 반도체로 통하는 전계 효과에 기초를 두며 구동원리는 다음그림에서 설명하는 바와같다.
참고 자료
없음