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diffusion공정 반도체 공정 DIFFUSION 공정 TCAD cvd 기체흡수 결과 기체흡수실험 cmos 공정
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"diffusion공정" 검색결과 601-620 / 859건

  • 자료 표지
    No.22 진공 관련 강좌 자료 현황
    . 터보 분자 펌프의 작동 원리 및 전망6. Cryo pump에 대해서7. 오일 확산 펌프(Diffusion pump)8. Getter pump에 관하여9. 이온 주입 장치의 진공 문제 ... 에 관하여10. Leak Detector와 Leak 감지법11. 반도체 제조 공정과 진공 문제12. 진공 시스템에서의 수증기13. 300mm wafer용 진공 펌프들14. 공정부 ... 산물(by-products)이 배기 시스템에 미치는 영향15. W - CVD와 식각 공정에 관하여16. 배기 시간(Pumping down time)의 계산17. Stainless
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.28
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  • 자료 표지
    실리콘 산화막의 용도 및 성장 방법
    1. 예비 레포트-실리콘 산화막의 용도 및 성장 방법산화막(Oxide)은 이온 주입 및 불순물 확산공정에 대한 마스킹(selective masking) 효과, 표면안정화(s ... urface passivation), 표면 유전성(surface dielectric)과 소자의 부분품(component)으로 이용된다. 그리고 산화막 성장 공정에서는 산화막의 균일성 ... 을 한다. 그 밖에 석영부품으로는 가스를 확산시키는 가스확산기(gas diffuser), 보트(boat), 패들(paddle) 및 호울더(holder) 등이 있다.산화막을 성장
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.29
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  • 자료 표지
    [반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산
    -well 공정 : 기존의 nMOS 공정 이용 가능- pMOS(psub+nwell), nMOS(p sub)-공정 순서1. psub에 nwell diffusion2. gate oxide3 ... ) Epitaxy 공정뜻: 단결정 실리콘 웨이퍼 표면에 두께 0.5~20um 의 고순도 결정층 형성원인: 저온성장 가능으로 불순물 혼입 감소결정의 완전성이 뛰어남공법 : LPE ... Epitaxy){{3) Oxidation뜻 : 실리콘 웨이퍼 표면을 산화시키는 공정결과물 : SiO2용도 : 불순물 확산에 대한 보호층전기적 배선에 대한 절연층으로 사용소자간 격리
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24
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  • 자료 표지
    실리콘 산화 공정 및 메커니즘
    ◆ 반도체 공정에 쓰이는 실리콘 산화반도체 제조 공정 중 실리콘 표면 위에 산화막 층을 형성하기 위한 방법으로 실리콘 표면을 산화시키는 공정이다.그림에서처럼 silicon s ... 2그림에서처럼 chamber에 wafer를 넣고 가열하면서 산소나 수증기를 불어 넣어준다.산화공정에는 두 가지가 있다.하나는 산화에 산소 Gas만을 쓰는 건식 (dry ... ; small, Ci → 0 and Co → C*: diffusion controlD ; large, C C C (1 K h): reaction control산화막 성장속도 : G
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.01
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  • 자료 표지
    유기물 절연체를 이용한 고성능 플렉시블 박막 트랜지스터
    하여 PVP를 스핀 코팅한 ITO 위에 옮겼다. 그리고 마지막으로 Lift-off 공정을 이용하여 실리콘의 소스, 드레인 부분에 크롬 3nm, 금 100nm의 두께로 전극을 형성 ... 에서 공정을 하는 방법이 연구되었다. 그러나 이는 소자의 이동도나 반응속도가 너무 낮아 그 응용 가능성이 전자 종이나 정적인 화면을 보여주는 수준 이상으로 만들기 어려웠다. 그러나 ... insulator) 웨이퍼를 준비하였다. 이 SOI 웨이퍼에 1019/cm3 밀도의 phosphorus를 solid source diffusion법을 이용하여 소스 드레인 지역
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    | 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.20
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  • 자료 표지
    [공업화학 실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거
    주입은 고온의 전기로 속에서 불순물입자를 웨이퍼 내부로 확산시켜 주입하는 DIFFUSION(확산)공정에 의해서도 이루어진다.-12단계 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor ... 1. 실험제목박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠 지는데 첫째로 증착 ... 공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이
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    | 리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.01.28
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  • 자료 표지
    진공과 진공펌프에 대해서~
    : 챔버의 절연이 필요할 때 사용② Fluid FeedthroughSewgelok type VCR type(3) VALVE①Angle Valve공정 수행용 진공 챔버를 대기와 차단 ... 러서 실링함으로써 작동된다. "ㄱ"자로 꺽여 있다 하여 앵글 밸브라 하며 주로 공정용 챔버 벽면에 연결되고 "ㄱ" 자로 꺽여 벨로우즈 혹은 배기 펌핑관과 연결된다.② Gate ... 시스템 사이에 위치)등에 쓰인다. 특히 CTC (Cluster Tool Control) System에서는 중앙의 웨이퍼 이송 장비와 프로세스 모듈사이를 차단하여 각 공정을 독립
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.17
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  • 자료 표지
    실리콘 태양전지 (Si solar cell)
    과거에는 다이아몬드 절단기를 사용하여 절단하였으며, 절단시 50% 정도의 절단손실이 발생했다. 최근에는 멀티와이어 절단공정이 개발되어 절단손실을 30% 정도 줄일 수 있게 되 ... 으로 교체하고, 공정을 최적 화한다.- 상기 조치를 함으로써 20 %이상의 효율을 유지할 수 있었다. 또 750℃에서 10분간 어닐링( annealing )시켜 제조된 태양전지의 효율 ... 7. Passivated Emitter and Real Locally-Diffused Cell (PERL)e) Buried Contact Solar Cell (BCSC)최근 10
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.12
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  • 자료 표지
    thermal expansion and thermal conductivity(열전도율, 열팽창률)
    와 대류에 의해 이동이 이루어진다. 화학공정에서는 주로 고체 벽을 통한 2종류의 유체간의 열 이동이다.2) 열전도(conduction) : 고체 또는 정지된 유체 내에 온도차가 있 ... - Procedure using a LFA 447 Laser flash thermal diffusivity1) Pellets with variation of the composition을 준비 ... 한다.2) Thermal diffusivity를 측정한다.3) Thermal conductivity를 계산한다.C-1. Calculate the thermal expansion
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.14
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  • 자료 표지
    Solid-State Photo Lithography 개요 및 졸업논문
    한 방식으로 만들어지는지 잘 알지 못하는 경우가 많다. 이 점에 기인하여 기판 및 소자를 어떠한 공정을 거쳐 만들어지는지 찾아보던 와중에 Photo lithography라는 기술을 알 ... 는 정밀도를 얻을 수 있고, 저렴하게 만들 수 있다. 그렇기 때문에 이 장비를 만들어 학과 실험실에 비치하면 학생들이 Photo lithography라는 공정을 통해 반도체 소자 ... 의 고집적화 즉, 동일 면적당 메모리 용량의 증가를 의미하는데, 이러한 고집적화의 가장 핵심적인 역할을 한 것은 Photo lithography 기술이라고 말할 수 있다. 노광공정
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    | 논문 | 47페이지 | 10,000원 | 등록일 2019.01.22
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    [예비] 기체 크로마토그래피 실험 예비 보고서
    로서, 각각 소용돌이 확산(Eddy Diffusion), 세로 확산(Longitudinal Diffusion), 비평형 물질 전달(Nonequilibrium Mass Transfer ... 에 대해서 간단하게 살펴보았다. 이 실험을 통해 GC의 기본적인 이해를 바탕으로 경험을 쌓게 되고, 나아가 다른 실험이나 분리 공정에서 응용을 할 수 있도록 하나의 과정이 될 것이
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.09.12
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Physics and  Operation of ESD Protection Circuit Elements
    NA, NB : acceptor, doner impurity densities / Dx : diffusion coefficient Lx : diffusion length ... , p-well의 저항은 epi의 두께와 농도로 결정. Vh ⇒ L값과 n-well의 저항에 의해 큰 영향. 일반적으로 Advanced CMOS 공정에서는 2~5V⊙ Anode
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    | 리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.10 | 수정일 2015.01.28
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    [공학기술]오염입자 측정 실험
    응축.Diffusion 0.1보다 작으면 잉크처럼 마음대로 움직임.가. 입자들이 LCD에 미치는 영향동작 속도의 저하불량 화소 생성작동 불량PR공정중 particle이 앉 ... 0. 실험목적디스플레이나 반도체 공정 중에서 공기 중의 입자의 양은 품질에 많은 영향을 준다. 공기 중의 입자수를 낮춤으로써 불량률을 낮출 수 있다. 이번 실험에서는 공기 중 ... 의 공기 입자를 실제로 측정해보고, 생활공간의 입자 수와 디스플레이나 반도체 공정이 이루어지는 clean room, 그리고 연구실의 실험값을 비교해 본다. 또한 이 과정을 통하여 입자
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.17
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  • 자료 표지
    용접의 특징 종류
    Weld접의 특성으로 인해서 용접이 잘 되 지 않는 습성이 있다.다른 용접에 비하여 제작공정이 짧고 재료비도 싸다. 시공법이 간단하여 설계가 용이하다. 화재의 위험이 적고 준비가 간단 ... 은 생산성과 공정 유연성 한쪽 방향 용접이 가능 부품 설계자유도가 향상자동차 산업, 로봇산업등에 이용레이저광을 렌즈나 거울에서 집속한 빔을 열원으로 사용하는 용접법 주파수에 의해서 원 ... 종류작업속도가 빠르고 대량 생산에 적합 이음강도가에 대한 효율이 높고 제품무게의 감소와 재료절약이 가능 용접공정이 자동적으로 이루어질 수 있으므로 작업자의 숙련도나 기능이 별로문제
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.07
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    Electron Beam Evaporation
    도 : 1.0 ~ 10-6 Torr 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행 증착 속도 : 보통 0.5 Å/sec ~ 1.0 Å/sec 구성 ... : Evaporatiion system Vaccum chamber, mechanical roughing pump, diffusion pump Valves, vaccuÅm gauge 등E-beam
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.08.21
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    [반도체]반도체의 열공정
    열공정 (Thermal Processing)? 반도체에서 산화(Thermal Oxidation)란- 반도체 소자 제조공정중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 ... 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균 일한 실리콘 산화막(SiO2)를 형성시키는 공정.- 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할을 할 뿐만아니라, 반도체 소자 ... 에서 매우 우수 한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다.- 기본원리 및 공정: 실리콘 산화막을 형성하는 열산화 방법에는 크게 2가지① 건식 산화 방법 (dry
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    | 리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28
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    [화학실험]ALD공정의 기본원리를 이용한 박막제조 및 특성평가(final)
    하고 위치에 따른 차이점을 논의한다.(8)각각의 공정 변수에 맞게 실험 결과 보고서를 작성한다.5.결과 및 고찰본 실험은 기판위에 ALD 장비를 이용하여 WN(diffusion ... 1.실험목적원자층 단위 증착(Atomic Layer Deposition) 공정의 기본 원리를 이해하고 직접 실험을 통하여 박막을 만들어보고 그 특성을 분석하여 실제 연구에 응용 ... 할 수 있는 기본적인 능력을 배양하는 데에 본 실험의 목적이 있다.2.실험이론1)ALD(Atomic Layer Deposition) 공정가)특성ALD 기술은 CVD 기술과 달리 반응
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.02.02
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    황의 법칙
    ), 확산 (diffusion) 등의 평면 단위공정(planar technology)에 요구되는 양질의 mask와 MOS (metal-oxide-silicon) 소자에 동질 절연층을 제공
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    | 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.26
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    Thermal Evaporation법을 이용한 박막의 제조(결과)
    1. 서론Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.2. 이론1) 박막이란?박막이란, 두께가 단원자층에 상당 ... 는다.3) RP(rotary pump)와 DP(diffusion pump)을 사용하여 chamber 내 진공도를 10-5～10-6 torr로 유지시킨다.4) 박막증착이 가능한 진공도
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.11
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    MOSFET 전압-전류 특성 예비레포트
    (drain), 소스(source)라 불리는 bulk와 반대인 반도체형의 확산영역(diffusion)을 만들고, 그들 사이에 SiO2 절연층으로 분리된 게이트(gate) 전극이 놓인 구조이 ... 다.FET제조 공정이 개발된 초기에는 게이트 전극으로 금속을 사용하여 단면에서의 층을 나타내는 Metal-Oxide-Semiconductor(MOSFET)라 불리었으나 현대의 공정
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.30
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