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[반도체]반도체의 열공정

*문*
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최초 등록일
2005.11.28
최종 저작일
2005.05
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소개글

반도체를 만드는과정중 열공정에 관해 요약해놓은부분입니다.

목차

‣ 반도체에서 산화(Thermal Oxidation)란
‣ 반도체에서 확산(Thermal Diffusion)이란
‣ 반도체에서 어닐링(Thermal Annealing)이란
‣ 반도체에서 화학 기상 증착 (CVD: Chemical vapor Deposition) 란

본문내용

‣ 반도체에서 산화(Thermal Oxidation)란
- 반도체 소자 제조공정중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균 일한 실리콘 산화막(SiO2)를 형성시키는 공정.
- 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할을 할 뿐만아니라, 반도체 소자에서 매우 우수 한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질이다.
- 기본원리 및 공정: 실리콘 산화막을 형성하는 열산화 방법에는 크게 2가지
.
.
.
.
‣ 반도체에서 화학 기상 증착 (CVD: Chemical vapor Deposition) 란
- 반응성 가스를 진공 챔버내에 주입하여 적당한 활성 및 열에너지를 가하여 화학반응을 유도함으로써 기판 표면 에 원하는 박막을 증착시키는 기술.
- 반도체 표면에 절연막(SiO2, Si3N4), 금속막(W, Al), 유기막 등의 박막(thin film)을 형성시키는 대표적인 방법으

참고 자료

없음
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