"diffusion공정"의 검색결과 입니다.

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diffusion공정 반도체 공정 DIFFUSION 공정 TCAD cvd 기체흡수 결과 기체흡수실험 cmos 공정

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"diffusion공정" 검색결과 561-580 / 859건

[공학기술]산화공정(Oxidation)

한 역할은 실리콘 기판상에 원하는 불순물을 도핑(고의로 미량의 다른 물질을 재료에 첨가하여 그 성질을 개선하는 일)하는 공정(diffusion, ion implatation 등 ... 것이다. 산화 공정과 산화 기구의 기본 원리와 산화 막 성장에 영향을 미치는 공정 변수들에 대해 알아보도록 하자.2.이론① 산화 공정의 정의반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온 ... (800-1200℃)에서 산소나 수증기(H2O)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화 막은 실리콘

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| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.24

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SiO2 박막의 식각 및 PR 제거

하는 Diffusion(확산)공정에 의해서도 이루어짐12단계. 화학기상증착(CVD:Chemical Vapor Deposition)공정GAS간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼표면에 증착 ... 1. 실험제목SiO2 박막의 식각 및 PR 제거2. 실험목적여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세가지 공 정으로 나뉘어 지는데 첫째로 증착 ... 공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공 정으로 나뉘어 진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.09.19

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청소년발달의 제 이론

(identity diffusion)의 4가지 유형으로 구분하고 있다. 자신에 대한 탐구는 개인이 자신의 가치, 진로, 신념을 형성하기 위해 얼마나 많은 시행착오와 탐구를 하였는지를 평가 ... , 공정성에 근거를 둔 추상적이고 보편적인 윤리를 지향한다.Kohlberg(1969)에 따르면 도덕 발달은 청소년기를 지나 성인기까지 지속되는데 모든 사람이 후인습적 수준에 이르

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| 리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.07.06

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MY CAD TOOL을 이용한 4BIT FULL ADDER 설계

MY CAD TOOL을 이용한4BIT FULL ADDER 설계Ⅰ. 서 론1Ⅱ. 반도체의 이해11. MOSFET의 일반적 이해12. MOSFET의 동작 특성23. CMOS공정24 ... 트랜지스터 패키지 소자의 경우(즉, 집적회로가 아닌 단일 부품) Bulk는 Source와 연결되어 있다. CMOS 공정에서는 Body는 NMOS일 경우 Ground, PMOS일 ... 에서 Source로 흐르게 될지는 Source와 Drain의 전압 대소에 연관이 있다.3. CMOS의 공정FIgure2.2 CMOS의 단면도CMOS의 전형적인 단면도를 보여준다. 보통

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| 리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.18

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CSTR 예비보고서

이나 완전히 개발되지 않은 새로운 공정의 시험, 고가의 생성물 제조, 그리고 연속 조작으로 전환하기가 용이하지 않은 공정들에 적합한 장치이고 반응속도론에 관한 소규모의 실험실적 연구에 이상 ... 는데, 에디확산(eddy diffusion)이 대표적이다.확산은 적어도 한 개의 상에서 일어나며, 보통은 두 개의 상에서 모두 일어난다.예를 들면, 증류에서는 낮은 끓는점 물질이 액상

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.14

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각종 진공 펌프 원리 사용방법 sputter

(oil diffusion pump)크라이오 트랩과 배플(cryotraps and baffles)메카니칼 크라이오 펌프(mechanical cryopump)터보 분자 펌프 ... 분자의 이온화를 효과적으로 하기 위한 뜨거운 필라멘트 소스가 필요하지 않으므로, 이 공정을 냉음극 방전이라고 한다.비교적 무거운 입자인 양이온은 (-)전가를 띤 티타늄 음극 안

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.03

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White LED(백색 LED)

는 방법임. 이 방법은 고전류 하에서의 사용이 가능하며, 색감이 우수하여 가장 활발하게 연구가 진행 중임. 백색 LED 구현 방법3. 백색 LED의 제조방법- 패키징 공정의 핵심 ... 기술은 방출광을 최적으로 활용하기 위해서 칩 레벨에서부터 구조설계, 광학설계, 열설계, 패키징 공정기술을 들 수가 있는데, 초소형, 고성능 모듈의 경우 패키징 공정에서 회로, 모듈 ... 적화(디스플레이)의 방향으로 발전하고 있으며 공통적으로 해결해야 하는 기술은 방열구조 설계 및 제작기술임.- LED 칩은 패키징 공정을 거쳐 광소자로 제조되는데, 이 광소자를 이용

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| 리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.07.21

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판매자 표지

[활성탄 흡착] 활성탄 흡착 실험

폐기물공정실험1. 제 목 : 활성탄을 이용한 오염물 흡착실험2. 실험날짜 : 2006년 5월 30일3. 실험목적 : 활성탄의 양에 따라 오염물이 흡착되는 정도를 분석하여, 결과 ... (stational water film)을 통과하여 흡착제의 공극에 도달하는 경막확산(film diffusion). 흡착제의 분자운동에 의한 확산이 주요 원동력이다.?3단계(확산 ... )내부확산(intraparticle diffusion)에 의한 물질 전달과정으로 흡착제의 내부공극을 확산이동하면서 내부 표면의 흡착점 까지 도달하는 입내확산(pore diffusion

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.07 | 수정일 2013.12.19

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cvd

lights튜브공정 열처리 직접회로생산 장식용코팅 입자가속 화학연구 beam 용접 기상증착 이온주입우주개발 재료연구 금속공학 물리연구 표면연구 Molecular beam epitaxy ... 오염 청정한 진공시 문제Oil Diffusion PumpOil Diffusion Pump장점 - 10-3 torr부터 작동 배기속도가 비교적 크다 소음진동 無 기술적 안정 사용하기

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| 리포트 | 50페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.11

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필터의 종류와 특성

에 의해 기류로 부터 벗어나 필터 섬유에 충돌되어 포집됩니다 . 입경 , 통과 속도가 클 때 효과가 큽니다 확산효과 ( Diffusion) 작은 입자는 공기의 흐름과 관계없이 브라운 ... 필터 . 반도체 , 정밀전자 부품공정의 크린룸 CLASS 1 ~ 100 이하 에서 사용 2) 특 징 1. 반도체 , 정밀전자 부품공정의 Clean Room 에 적용 2. 초박형이

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.28

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지오폴리머 실험보고서

이 집중되고 있는 연구, 생산 분야는 천연자원 사용량을 줄이고 소성 공정을 도입하지 않은 새로운 개념의 비소성 무기계 바인더를 개발하고자 하는 것이다. 현재 비소성 무기바인더의 역할 ... Diffusion and condensation of leached Al and Si complex in paste반응 온도90~300°C상온생산물Crystalline

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| 리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.04.17

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PVD의 정의 및 공정

(Chemical Vapor Deposition)이다. 이 둘의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐이다. 공정상의 뚜렷 ... evaporaToyota Diffusion Process)에 대해서만 서술하고자 한다.TD처리는 일본의 (株)豊田中央硏究所에서 개발된 확산법에 의한 탄화물피복법의 일종으로서, 그 방법 ... ) 처리공정고온으로 유지되어 있는 용융염욕중에 처리강재를 침지하여 일정시간 동안 유지한 후 염욕으로부터 꺼내어 냉각시켜서 처리품에 부착되어 있는 염욕제를 제거시키는 것이 기본적인 공정

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.06.02

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철-탄소 합금

⇒ 자성을 갖는 α상 : 자성을 갖으면 free energy가 낮아진다.Fe-Fe3C 상태도1-2.합금강⇒ 3개의 불변온도1495℃ 포정반응1148℃ 공정반응(L →γ+Fe3C)723 ... (불변반응)① T=723℃ : Eutectoid Reaction (공석반응)γα+Fe3C723℃⇒ γ → α+Fe3C② T=1148℃ : Eutectic Reaction (공정 ... +βαβγα+βCαC0CβT1CpT2T3α조성변화γ조성변화D1D2D3T4T5B1B2B3② 아공석 or 아공정 조성의 합금ⅰ) 온도 T1γαα조성 : B1α분율 : ≒ 0γ조성 : C0에 가

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| 리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.09.18

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바이오필름에 관한 리포트

시켜서 폐수중의 오염물질을 제거하는 공정이다. 하천의 바닥에 있는 자갈의 표면은 세균, 조류, 원생동물, 윤충류등의 미생물이 구성하는 Slime(일종의 생물막)으로 덮여져 있으며, 하천 ... 수 있는 장점이 있으나, 다른 공정에 비해 처리효율이 떨어지고 비교적 넓은 장소가 필요하며 기온변화에 큰 연향을 받으며 악취발생 및 파리번식 등의 단점이 있다.②회전원판법(RBC ... 은 담체의 종류, 담체의 깊이, 역세척, 유량, 역세척수 재순환, NCR등이다.④BAF(Biological Aerated Filters)BAF 공정은 1970년경에 많이 연구

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.15

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우주선 동력전달부의 내마모 특성을 향상시키기

의 표면으로부터 수 ㎛ 이내의 범위에 있는 재료에 대해서만 적당한 공정을 통하여 재료의 표면 성질을 바꾸어 주는 것을 말한다. 표면개질을 통하여 우주선의 동력 전달부의 내마모성 특성 ... 의 표면에 충돌시킴으로써 이온들이 타깃 재료에 들어가 박히도록 하는 공정을 일컫는 것으로 원래 마모, 부식환경, 태양 광선 등으로부터 재료를 보호하기 위한표면 처리의 한 방법으로 사용 ... 의 양)를 조절하면 주입되는 이온들의깊이 수를 제어할 수 있으며, 이에 대한 재현성이 좋다고 알려져 있다.이온 주입은 열역학적으로 비평형 공정(non-equilibrium

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.31

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실리콘 태양전지

실리콘 태양전지다결정 실리콘 태양전지는 단결정에 비해 효율이 떨어진다. 그러나 제조공정이 단결정에 비해 간단하고, 고생산성으로 인해 가격면에서 저렴하여 다결정 실리콘 태양전지 ... 필요킨 구조의 태양전지이다.전극의 접촉면과 접촉하지 않은 부분의 산화막의 두께의 차이는 복잡한 공정을 필요로 하지만 최대한의 효율을 얻기 위해서는 불가피한 공정이다. 전면전극 ... 를 가지고 있다. 전면의 에미터를 산화막으로 passivation 하고 전극이 형성될 부근의 산화막은 포토리소그래피 공정으로 제거한다. 이때 전극을 passivation 하기 위해서

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| 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.15 | 수정일 2016.07.27

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Cryo pump의 구조와 원리

system Vaccum chamber, mechanical roughing pump, diffusion pump Valves, vaccum gauge 등E-beam Evaporation ... 는 응축되고 포획 Oil-free 고진공펌프 노출이 되어 움직이는 부품이 없다 작업에 필요한 보조펌프 필요 없음 민감한 vaccum 공정에 적합 흡기구 단위면적당 배기속도가 크

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| 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.21

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Membrane(막)

. membrane의 제거 mechanism.Sieving - 여재의 공극이 투과물질의 크기보다 작을 때 발생한다.Diffusion - 막을 통한 물질전달속도가 막내에서의 농도구배에 의존 ... 은 단독으로는 사용되기 어렵고 막을 분리공정에 이용할 수 있도록 장치화하여 사용하게 되며 이렇게 막을 삽입하여 장치화한 설비를 이른바 모듈이라 한다. 현재까지 상업화된 막모듈 ... 공정의 설계수처리에 분리막을 응용할 경우 대상 처리물질과 요구되는 처리수의 조건에 따라 설계의 기준이 결정되기 때문에 공정설계時 가장 먼저 고려되는 것은 처리하고자 하는 원수의 조건

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.10.18

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실리콘리포트

WSTS 추계 반도체 시장전◎실리콘 Wafer 시장실리콘웨이퍼는 반도체 가공에 소요되는 기능 및 공정재료의 약 60%를 차지하는 물량적인 측면에서뿐만 아니라 반도체 소자기술 자체 ... )FZ법CZ법CCZ법단결정실리콘Wafer ?가공(Slicing, Polishing, Ethching, Diffusion, Photo Masking, Packing)반도체그림2 ... 상업생산을 하고 있거나 과거 상업생산을 하였던 각사별 제조방법에 대한 공정을 비교한 것이다.표 9. Siemens 형태의 다결정실리콘 제조공정 개요공정원료가스 제조다결정실리콘 석출비

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| 리포트 | 33페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.15

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지르코니아 소결기구

입자들은 응력유기 상변태 인화를 야기한다.이러한 인화 지르코니아의 강도와 파괴인성은 소결 또는 열처리온도, 공정 온도등의 따라 영향을 받고, 응력유기 상변태 인화를 효과 ... -neck)3-72-4322.surface diffusion(surface-surface-neck)3-72-4743.Lattice diffusion(surface-lattice-neck ... )4-52-3534.Viscous flow(All parts)21215.Lattice diffusion Ⅱ(G?B-lattice-neck)4-53436.Grainboundar

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.06

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