"저항메모리"의 검색결과 입니다.

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캡스톤디자인 캠퍼스특허 광운대 plc제어 전자과 졸업작품 전자공학과 8051 시계 반도체 공정

"저항메모리" 검색결과 501-520 / 1,402건

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

2011 부경대 전기기기 및 실험 오실로스코프

의 4대 정보를 계측할 수 있다.2. 실험장치(부품) 및 계측기기1) 오실로스코프(RIGOL DS1102E)2)슬라이닥스(SLIDOX)3) 저항4) 클램프미터 (후크미터)3. 준비지식 ... 아날로그 신호는 연속적인 신호이지만 디지털은 구간구간을 끊어서 측정하여야만 한다. 따라서 한점 한점을 디지털(숫자)로 바꾸어서 메모리에 넣을 필요성이 생긴다. 디지털로 변호 ... 스모리가 10,000개인 경우를 가정을 하면 1Div의 메모리 갯수는 1,000개이므로 샘플링 주파수는 1mS/1000=1MHz가 된다.?측정 가능한 단발 파형의 주파수는 샘플링

리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.04.05

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예비(ac8)

게 변할수 없다. 이러한 전압 관성이 전하를 저장함으로ㅆ 메모리로 사용되는 근거가 된다.- inductor : 그 안을 감돌고 있는 자속의 시간 변화에 비례하여 양단의 전압이 결정 ... 로 나타내는 것.- impedance : 전압의 phasor를 전류의 phasor로 나누어준 값으로, 저항의 개념과 비슷하며, 단위도 Ω이다.임피던스와 애드미턴스의 개념은 정상상태 ... 회로에서 전압전원은 소자전원의 위상의 합이다. R-L-C 직렬회로 에서는E2 = VR2 + (VL - VC)2 이므로(E : 전압전원, VR : 전체저항에 걸린 전압, VL

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.09.29

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에세이1 : 나의 하루 삶과 기술의 상관성

한다.1) 과학에 대하여: 과학자는 과학 연구의 건전성을 유지하고, 과학적 지식의 억압과 왜곡에 대해 저항하며, 과학적 성과를 완전히 공표해야 한다.2) 사회에 대하여: 과학자 ... 해 졌다. 자기기록 매체를 이용한 마그네틱 카드와는 달리 카드 자체에 CPU와 메모리를 넣음으로서 IC카드는 마치 컴퓨터처럼 여러 정보를 저장할 수 있게 되었고, 이에 따라 체크카드

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.10.30

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판매자 표지

실험23 AD/DA 변압기 예비 예비보고서

-D/A 변환기의 궤환을 이용한 계수 비교형 A/D 변환방법에 대하여 이해한다.-2진 하중(binary weighted) 저항회로를 이용한 D/A 변환방법에 관하여 이해한다.2) 이 ... 를 그리기 위하여 plotter의 servo morter를 구동하려면 아날로그신호가 필요하다. D/A 변환기의 기본적인 구성요소는 하중(weighed) 저항과 연산 증폭기 ... (operational amplifier)이다. 하중 값이 되는 저항회로는 그 출력이 디지털 입력에 비례하는 2진 전류 또는 전압으로 바꿀 수 있는 저항회로이다.2진 하중은 최대 아날로그

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.29 | 수정일 2018.10.15

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온라인에서 편법 마케팅으로 돈 많이 버는 판매자들

6703을 살 수 있는데 354000원 주고 살 뻔했다. 배송비 5000원으로 설정해 놓고 가격 더 다운 시켜 최저가에 검색 되도록 한 메모리 판매자 이후 최고이다. 이것이 어떻게 보 ... 에서 많이 사용하는 방법이다. 같은 상품이라면 가장 가격이 싼것을 클릭하는것이 당연하다.메모리카드처럼 딱 규격이 정해져 있는 상품의 경우는 100% 싼것을 산다. 예전에는 이런식 ... 의 마케팅은 생각도 못했는데 얼마 전 발견했다(2011년 5월 옥션)오래된 컴퓨터의 메모리 업그레이드를 위해 중고메모리를 찾았다규격은 ddr2 pc4200 512검색창에 입력을 하고 난

리포트 | 25페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.10.17 | 수정일 2013.10.22

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쌍안정 회로와 RS 래치

쌍안정 회로와 RS 래치1. 실험목적쌍안정 회로의 동작을 이해하고, 메모리 기본 소자의 개념을 파악한다.2개의 NOR 게이트 또는 2개의 NAND 게이트로 RS 래치를 구성 ... 7474 D 플립플롭1 7486 4 입력 XOR 게이트1 LED 빨간색, 초록색1 브레드 보드1 5V 직류전압전원 장치1 오실로스코프1 함수발생기저항기 330Ω, 1kΩ3. 이론요약 ... (asynchronous sequential logic circuit)라 하고, 클럭에 의해 동작되는 상태 메모리를 거쳐 궤환될 경우 동기순서논리회로(synchronous sequential

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.20

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윌킨슨 분배기 설계 보고서

의 100Ω 특성임피던스를 병렬로 연결한 것과 등가이다. 그러므로 두 출력 포트의 부하저항을 50Ω이라 하면 주어진 결합기는 λ/4 선로를 사용하여 100Ω의 입력임피던스로 50 ... 된이 만족해야지만 윌킨슨 전력분배기가 설계 가능하다.또한, 이때 고려할 사항은 T 소자, ㄱ 연결소자, 칩 저항 소자의 길이도 이 길이에 포함 되므로 이러한 소자들의 짧은 길이 ... ,변환기의 임피던스 Z는이 되고, 병렬 저항값 Rs는이 된다.Ⅲ. 실험 과정1. Designer SV를 통한 시뮬레이션 과정① Designer SV를 실행 후 프로젝트 탭

리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.22 | 수정일 2019.01.02

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전자석의 용도 및 사용 예 마이크로프로세서와 마이크로컨트롤러

에 비해 같은 단면적에 백배 정도의 전류를 흘릴 수 있기 때문에 초전도 자석은 일반 전자석에 비해 더 작아질 수 있다. 또한 저항손실이 없기 때문에 적은 전력을 소모한다. 큰 자기장 ... 의 약자로 집적회로 위에 있는 조그만 컴퓨터로 볼 수 있다. 프로세서, 메모리 그리고 프로그램 가능한 입/출력을 가지고 있다. NOR flash 혹은 OTP ROM을 포함하고 있

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.21

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아주대 논회실 논리회로실험 실험6 예비보고서

001Q(t-1)0110 : reset1011 : set111Q(t-1)′ : togglexx0Q(t-1)-RAM프로그램이나 데이터를 읽어내고, 적어 넣는 양쪽이 가능한 메모리 ... 에 천분의 수초에 기억 내용을 읽어내고, 다시 적어 넣는 과정이 필요하다.3. 실험 부품- IC 74HC00, 74HC03, 74HC04, 74HC10- LED- 330OMEGA 저항 ... , 10k OMEGA 저항74HC00 ? NAND74HC03 - Quad 2-input NAND gate74HC04 - NOT74HC10 - Triple 3-input NAND

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.04.08 | 수정일 2015.04.16

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실험9. RAM 예비

그 데이터는 사라진다. 대부분의 RAM은 전원을 제거하면 데이터를 잃어버리는데 이것을 휘발성 메모리라 한다. SRAM은 Flip-Flop으로 구성되며 DRAM보다 사용하기 쉽 ... 고, 정보를 읽고(reading), 쓰는데(writing) 걸리는 시간이 짧은 반면, 높은 집적(대용량 메모리)을 이룰 수 없다. DRAM은 높은 집적을 이룰 수 있는 반면, 기억 ... (wired-OR) 능력을 갖고 있는 소자들로 구성되어 있는데 이러한 소자를 사용하면 그림에 있는 OR게이트를 쓸 필요가 없게 된다. 또한 외부 출력선들은 메모리 장치가 수만 개의 워어드

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.05

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플립플롭(결과)

능력이 없는 반면에 순차회로는 현재의 입력뿐만 아니라 회로 내부에 기억된 상태값(과거의 입력에 의해 결정됨)에 따라 출력값을 결정할 수 있게 회로 내부에 값을 기억하기 위한 메모리 ... (5V)② Bread Bord③ Wire (전선) / Wire Strippers④ 디지털 멀티미터⑤ 오실로스코프○ 소요 소자① 4 or 8 pin DIP Switch② LED③ 저항 ... 래치 회로 진리표][enable SR 래치 실험]5. 오차 요인1. 계측기 자체 오차(계측기의 SPECSHEET참조)멀티미터 내부의 저항이 있다2. 저항자체의 오차, 저항의 4번

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.07.03

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디지털로직실험/최신 디지털 공학 실험 14 D래치와 D플립플롭

NAND 게이트7404 6조 인버터7474 2조 D 플립플롭저항 : 330Ω 2개, 1.0kΩ 2개이론 요약지금까지 본 것처럼 조합논리(combinational logic) 회로 ... 는 출력이 완전히 입력에 의해서만 결정되는 회로이다. 순차 논리(sequential logic) 회로는 이전 상태에 관한 정보를 포함하고 있다. 차이점은 순차 회로만이 메모리 ... 를 가지고 있다는 것이다.그림 14-1 S-R 래치 래치(latch)는 기본 메모리 장치로서 데이터를 잃지 않고 유지시키는 데 피드백(feedback)을 사용하며, 인버터 두 개

리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.06.29

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AVR I/O Control

A는 반이중 I/O 포트로 내부 풀업저항이 있다. 8비트 양방향성 I/O 포트, 외부 메모리를 둘 경우 주소(A7~A0)/데이터 버스(D7~D0)로 멀티플렉스 됨포트B(PB7~PB ... 로 내부 풀업저항이 있다. 8비트 양방향성 I/O포트, 외부 메모리를 둘 경우 상위주소(A15~A8) 버스로 동작포트D(PD7~PD0)25~32포트 D는 반이중 I/O 포트로 내부 풀 ... 와 데이터 비트 1)- PA0 : AD0(외부 메모리 인터페이스 주소와 데이터 비트 0)(2) 포트 B (PB7 ~ PB0 : 핀 10 ~ 17)- 내부 풀업 저항이 있는 8비트 양

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.16

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[서평] IT 천재들

의 말이 나온다.2. 포인트들자의적이긴 하지만 책에서 중요한 사실 몇 가지를 뽑았다.(1) 삼성전자 메모리 반도체 이야기다.진대제 박사가 16메가 디램, 권오현 박사가 64메가디램 ... )와 resistor(저항)의 합성어라고 한다. 전자를 전달하기도 하고 저항하기도 한다는 뜻으로 이해하면 되겠다.(5) 컴퓨터를 만든 ‘앨런 튜링’에 대한 이야기다.만능기계는 하나의 기계에 추가

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.09

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RCAT

메모리 셀의 S/D 저항을 줄이고 캐리어 이동도를 증가시킬 수 있었다. 하부 기판 도핑 농도와 RCAT에 사용되는 스토리지 노드 접합 필드는 각각 그림 1, 그림 2에 .명확 ... , 접합 누설 및 cell의 접촉 저항 등의 전기적 특성이 크게 개선된 것을 보여준다. DRAM에서 RCAT를 사용하여 나타나는 가장 강력한 효과는 데이터 보존 시간의 대폭적인 개선이

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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정보사회와디지털문화 공통//다양한 정보기기의 발전에 따른 개인자유의 침해 사례 + 개인자유의 침해를 막을 방안에 대해 모색->

는터 메모리용량과 CPU, 운영체제, IP 주소에 이르기까지 사용자의 기초정보가 곧바로 화면에 뜬다. 네트워크에서 프라이버시는 감시로부터 결코 자유롭지 못한 것이다.4) 정보 불 ... 권이 보호되어야 할 것이다.2) 전자감시체제에 대항하는 운동전자감시체제에 대항하는 저항운동은 프라이버시 보호와 정보공개의 요구를 결합하는 것이 가장 중요하다. 사생활의 보호와 공공

방송통신대 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.03.21

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기계공학실험 1 (6) 멀티 미터 실습 결과보고서

과 기능을 익힌다.전압, 전류, 저항 측정에서부터 더 나아가 주파수, 정전용량, 트랜지스터 성능까지 측정해본다.실험 이론멀티미터(Multimeter) 구성요소디지털 화면 / 디지털 ... 디스플레이 (digital display) : 장치가 읽는 측정값을 표시하는 액정 화면.데이터 홀드 (data hold) : 특정한 측정값을 메모리에 저장하는 기능.기능 선택 스위치 ... 어 연결한다.전원이 공급된 회로의 저항이나 다이오드의 임피던스 값을 측정하기 전에 전원을 끄고 고전압 커패시터를 완전히 방전 시켜야 한다.전류를 측정하고자 할 때 멀티미터를 회로

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.03.23 | 수정일 2017.11.27

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길을 묻는 테크놀로지

길을 묻는 테크놀로지현재 메모리 반도체 관련 업종에 종사하며, ‘과학 기술 정책‘ 과목과제로 라는 책을 접하게 되었다. 기술을 연마하기 위한 매뉴얼은 물론이거니와 연구원 ... 현상을 가리킨다. '기술로서의 정치'는 정치에서 권력의 쟁취와 유지라는 목표를 실현하기 위해 발휘하는 기술, 한마디로 정치술을 가리킨다. 그것이 지배를 위한 것이건 저항을 위한 것이 ... 를 낳는 수단이 되는, 한마디로 '기술정치'를 가리킨다. 지배건 저항이건, 그것이 어떠한 정치적 의도도 갖지 않을 때에도, 특정 기술은 지배 또는 저항을 위한 효과적인 수단이 되

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.11.24

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digital I/O (Atmega32)

)를 주면 불이 켜진다. 이때 AVR 포트와 A ~ G, DP 포트 사이에는 5V 출력인 경우 330옴 짜리 저항을 반드시 달아 줘야 한다. 따라서 제어 코드는 Common Anode ... 저항어레이 저항은 저항을 병렬 연결해 놓은 것이다. 사용방법은 어레이 저항 겉 표면을 보면 점이 찍혀 있는 곳에 GND부분을 연결하고 우리가 쓸 LED BAR (-)부분에 나머지 ... switch의 입력을 인지할 수 있게 하였다.회로는 위의 사진과 같이 구성하였다. 회로도 구성에 있어서 어느 PORT에 입, 출력을 할 것인지를 정하는 것은 간단했다. 어레이 저항

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.12.10

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일본 반도체 산업 전략

는 기술개발과 생산성 향상을 통해 국가 경쟁력을 길러야 한다. 지난 몇 해 동안, 일본 반도체 산업은 비 메모리 부문에서 미국과 유럽에게, 메모리분야에서는 한국과 대만에게 밀리며 고전 ... 등 자신의 강점을 재정비하고 있다.과거 90년대를 메모리전성시대라고 한다면, 21세기는 SoC(System-on-a-Chip)시대라 할 수 있다. 이러한 변화에 따라 경쟁국 ... 의 반도체업계들은 시장의 흐름을 신속하게 간파하고 획기적인 구조조정을 통해 과감하게 대응하고 있다. 일본은 메모리를 과감하게 버리고 복합 기능 칩(SoC)육성에 박차를 가하고 있지만 이

리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.10.18 | 수정일 2016.07.05

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