"저항메모리"의 검색결과 입니다.

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캡스톤디자인 캠퍼스특허 광운대 plc제어 전자과 졸업작품 전자공학과 8051 시계 반도체 공정

"저항메모리" 검색결과 461-480 / 1,406건

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

시리얼 인터페이스 예비보고서

- 데이터의 처리 속도가 빠르다- SRAM등의 외부 메모리 및 고속의 주변 장치들을 연결하는데 주로 사용-다수의 어드레스 신호와 데이터 신호를 사용 칩의 크기를 소형화가 어렵다. ... - ATMega128의 외부 메모리 인터페이스시리얼 인터페이스(Serial Interface)- 고속의 제어가 필요없는 장치들을 위해 소수의 신호를 사용- 어드레스와 데이터를 순차 ... 며, 칩의 구분을 위해 각 칩마다 고유의 디바이스 ID를 가짐.- TWI는 400kHz까지의 데이터 전송 속도를 가진다.- 버스라인(SCL, SDA)은 풀업 저항을 통하여 ＋Vcc

리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.11.23

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실험 9. Counter(예비)

된 메모리 위치에 저장된다정적 RAM에서 메모리 위치는 에지트리거되는 D 플립플롭보다는 D래치와 비슷하게 동작한다. 이는 WE입력이 활성화될 때마다, 선택된 메모리 위치의 래치 ... 으로 들어간다. 선택된 메모리 위치의 래치 출력이 DOUT로 나간다.쓰기-어드레스가 입력으로 들어가고 데이터 워드가 DIN에 들어간 다음 CS와 WE가 활성화된다. 선택된 메모리 위치의 래치 ... 할 때에는 주의할 필요가 있다.② 읽기동작어드레스코드는 메모리칩내의 한 레지스터에서 가져온다. 선택된 레지스터의 내용을 읽기 위하여, READ/WRITE() 입력은 1이어야 한다

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.09.14 | 수정일 2014.01.01

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C++, Win32 API 게임 소스코드 (물고기 피하기 게임, 벽돌 밟기 게임, 생존게임)

- cpp, header의 사용- class 구현 및 활용- 윈도우즈 프로그래밍의 기초 이해- 게임 규칙 특성상 객체의 생성 및 소멸에 커다란 관심 (메모리 관리)- 이미지 리소스 ... 추가 [ 1일 ]- 상단에 위치할 장애물 추가 [ 1~2일 ]- 공중에서의 중력 효과와 물속에서의 저항 효과 추가 [ 3~4일 ]- 기포 효과 추가 [ 2~3일 ]- 기타 부가적인 설정 작업 [ 1~2일 ]- 디버깅 작업 [ 2일 ]- 총 [ 21일 ]

리포트 | 3,000원 | 등록일 2014.01.26 | 수정일 2014.11.11

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최근 반도체 기술 현황

[ 논리 회로 ]- 최근 반도체 기술 현황 -11.10.09- 목 차 -1. 최근 반도체 메모리 기술 동향 ……………………………………………………………1-1. DRAM1-2 ... . SRAM1-3. 플래쉬 메모리1-4. 새로운 Memory2. 세계 반도체소자산업 현황 …………………………………………………………………3. 세계 반도체장비산업 현황 ... …………………………………………………………………4. 세계 반도체재료산업 현황 …………………………………………………………………1. 최근 반도체 메모리 기술 동향1-1. DRAM21세기 디지털정보화 시대

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.10.27

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PLC제어

, 카운팅, 연산과 같은 특수한 기능을 수행하기 위하여 프로그램 가능한 메모리를 사용하고 여러 종류의 기계나 프로세서를 제어하는 디지털 동작의 전자 장치2.실험목적CNC ... . 화에 상응해서 저항의 변화폭이 크다. 따라서, 소형에 큰 감도를 나타내는 서미스터는 우리 생활 주변에서 온도 측정과 제어의 목적으로 가장 많이 사용되고 있다. 이러한 서미스터 ... 는 외부의 온도 변화에 따른 저항변화의 특징에 따라 3가지로 분류된다. 먼저, 측정 지점의 온도가 상승함에 따라 서미스터의 전기적인 저항값이 부(-)의 특성을 갖고 지속적으로 감소

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.12.03

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3D 프린터 현황과 파급효과

있게 슬라이싱 프 로그램을 이용하여 작업 한다. 완성된 코딩은 G-CODE라는 파일로 만들어 진다. 출력 완성된 G-CODE 파일을 외장 메모리나 USB 케이블을 통해서 프린터 ... /옴리더/유틸리티 등을 판매 무화기에 장착된 코일(발열 저항선)의 저항 값을 측정 하기 위한 초 저저항 측정기. 멀티테스터에서 지원하 지 않는 0.01옴부터 9.99옴까지 측정가능

리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.06.17

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반도체기술

◈ CH2 웨이퍼 공정* 구리배선기술반도체 금속배선에 있어 기존의 알루미늄(Al) 배선물질보다 낮은 전기저항 및 보다 좋은 전자이주 특성을 갖는 구리를 이용하여 금속연결선을 만드 ... 다.* FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) : 강유전체 메모리?장점① 분극 특성을 이용하는 메모리로서 전원을 꺼도 정보가 소실되지 않는 비휘발성 ... 특징② 기존의 플레쉬 메모리와 비교해 낮은 전압에서 고속으로 정보를 읽고 쓸 수 있다.* MRAM(Magnetic Random Access Memory) : 자기메모리SRAM

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.28

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PLC 제어실험 보고서

, 시퀀싱, 타이밍, 카운팅, 연산과 같은 특수한 기능을 수행하기 위하여 프로그램 가능한 메모리를 사용하고 여러 종류의 기계나 프로세서를 제어하는 디지털 동작의 전자 장치”로 PLC ... 면 저항 값이 감소하는 부저항온도계수의 특성이 있는 전자회로용 소자로, 열용량이 작아서 미세한 온도변화에도 급격한 저항 변화가 생기므로 온도 제어용 센서로 많이 이용된다.② 적외선

리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.04

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정보사회와 과학기술-센서와 센서의 종류, 용도, 원리,대체에너지가 필요한 이유

등 생활과 친숙한 응용에도 적용이 가능하다. 특히, 산업현장에서 온도의 제어가 품질 및 기술에 절대적인 요소로 작용하는 반도체장비, 메모리 및 로직 소자의 공정 및 평판 ... 에 대해 설명해보면,- ⒜ 온도센서온도는 원자나 분자가 가지고 있는 미세한 범위의 진동, 운동에너지의 크기라고 정의된다. 금속선이나 반도체의 저항 값은 온도에 따라 변화하는 성질 ... 이 있고 종류가 다른 금속선의 결합접점을 가열하면 기전력이 발생하는 경우도 있다. 여기서 발생하는 저항이나 기전력을 측정하여 온도를 구하는 방법이 온도센서의 원리이다.온도센서는 크

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.08.06 | 수정일 2015.11.06

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[기초전기전자실험] 실험 20 plc제어 실험 보고서 [A+받은 자료]

를 일련의 명령어 형식으로 기억하는 메모리를 갖고, 이 메모리의 내용에 따라 디지털, 아날로그의 입출력 모듈을 통해 여러가지 기계와 프로세스를 제어하는 디지털 조작형 전자장치 ... 작용에 의해 금속도체 내부에 와전류 (渦電流 ; eddy Current) 가 흐르고, 열손실이 발생한다. 그래서 검출코일의 손실저항과 인덕턴스가 변한다. 이 변화를 발진회로

리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.03 | 수정일 2016.04.08

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면저항 측정기(4-point probe)의 이해와 방진복 체험

1. Title (실험 제목)-면저항 측정기(4-point probe)의 이해와 방진복 체험2. Objectives (실험 목적)- 웨이퍼 위에 증착된 물질의 면 저항을 측정 ... 하여 면저항 측정기의 원리를 이해한다.3. Experimental procedure (실험 방법)(1)웨이퍼 위에 박막으로 물질을 증착한다.(2)시편을 절단 후 면저항을 측정한다.(3 ... )각 시료의 면저항을 비교하여 본다.4. Experimental equipment (실험장비)- 증착된 웨이퍼, 면저항 측정기(CWT-SR100N)(첨단6층 박막실)5

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.13 | 수정일 2014.11.16

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USB 조립도

(Printed Circuit Board, 인쇄회로기판)PCB는 메모리, 오실레이터, 저항 등이 부착되는 곳이다.[구조 : 2layer, 두께 : 1.6T, 재질 : FR-4, 면적 ... . 오실레이터USB 메모리에 가장 보편적으로 사용되는 오실레이터는 주파수가 12.00Mhz이다.--->베이크라이트나 에폭시, 아크릴 재질을 사용7. 그 외 부품각종저항USB ... 1) USB의 조립도2) USB메모리 부품1. 플래시메모리 (Flash Memory)비휘발성 메모리로 D램, S램과는 달리 전원이 끊겨도 정보가 휘발되지 않는다. 플래시메모리

리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.09.18

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세탁기에 사용되는 센서

Converter)라는 변환장치를 통해 이미지 파일로 변환돼 메모리에 저장된다. 이 중 CCD는 빛을 전기적인 신호로 바꿔주는 광센서 반도체로, 일반 카메라로 말하자면 필름을 감광 ... 전자 코일이나 홀 소자, 자기저항 소자에 의하여 요철의 수를 계측하여 회전수나 회전각을 얻는다. 회전기기의 감시ㆍ제어, 플랜트, 자동차, 계측 등 많은 분야에서 사용되고 있다.2

리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.04.28

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판매자 표지

방통대 컴퓨터의이해 핵심 정리

. 컴퓨터 산업의 미래 (중요★★)- 메모리의 대규모 집적화- 정보처리 기술의 초고속화- 정보저장 능력의 대용량화- 다양한 모바일 컴퓨터의 보편화- 멀티미디어 기반 산업의 활성화 ... 를 확인시켜 줌컴퓨터의이해 8강 핵심 정리1. 출력방법에 따른 매체 (중요★)※ CRT 모니터: 일반 컴퓨터 화면을 말함※ 플래시메모리: 비휘발성 메모리로서 저장공간이 대용량 ... 사용- 보조기억 출력: CD-RW(반복적 기록 가능), USB 메모리,DAT(디지털 오디오 테이프: 대량의 데이터 저장용) 등※ 반복적 기록이 가능한 것은 RW(Read

시험자료 | 51페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.10.02

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하이닉스기업조사,hynix,기업분석,반도체산업정의국내외적발전과정,국제적위상,향후전망,마케팅,STP,4P전략,물류체계 분석

면서 자성체의 순ㆍ역 방향에 따른 저항차이를 이용하는 STT-MRAM, 외부 전압과 전류에 의해 저항이 변하는 물질특성을 이용하는 ReRAM, 물질의상변화를 이용한 메모리인 PCRAM 등 ... 은 하락이 전망 된다. 모바일PC, 미디어 태블릿, 스마트폰 등 메모리반도체 수요증가로 메모리부문 (DRAM 및 플래시메모리) 매출은 2010년 667억 달러로 기술발전, 가격압박 ... 의 규모 변화 - 산업연구원 정책자료>단위 : 백만달러, %주대영(2007)강점기회- 메모리 메이저 업체 보유기술, 시장, 가격주도 가능- 세계 최고 수준의 공정기술 보유제조

리포트 | 31페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.07.02

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오실로스코프(Oscilloscope)

하여 메모리에 저장하고, CPU을 통해 신호처리를 하여 연결하는 방식의 디지털 오실로스코프를 주로 사용한다. 표시 방식은 TFT-LCD를 주로 사용한다. 예전의 아날로그 방식은 수집 ... 가 상대적으로 작아 취급이 쉽다.멀티미터가 전압, 전류, 저항 등의 특징적 신호의 크기만을 표시 한다면, 오실로스코프는 신호의 시간적 변화에 따른 신호모양 까지를 표시하므로 회로

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.21

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[아주대] 논리회로실험 9장 예비(RAM)

으로써 동작원리를 이해한다.RESUME OF THEORYRAM(Random Access Memory)은 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리 ... 로서, 컴퓨터의 주기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩(loading), 데이터의 일시적 저장 등에 사용된다. 전원이 끊어지면 기억된 정보가 날아가기 때문에 휘발성 메모리라고도 한다 ... REQUIRED5V 전압원, 전압계, 74HC00, 74HC03, 74LS89, LED, 330OMEGA 저항, 10kOMEGA 저항74HC03(Quad 2-input NAND

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.09.25

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[고려대 재료공학실험 예비보고서] Carbon Nanotube의 화학적 산 처리

정도 된다.아래 CNT가 응용되는 분야를 간단히 정리한 것이다. 디스플레이, 메모리, 나노센서, 전자현미경 침, 복합재료 등 다양한 분야에 응용이 가능하다. 디스플레이, 복합재료 ... 성과 같은 고분자 고유의 성질을 유지하면서 CNT 자체의 물성을 활용하여 낮은 표면저항을 가지면서 열전도성, 투명성, 고강도, 난연성, 광택성, 내화학성 특성 등을 복합적으로 구현

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17

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탄소나노튜브의 구조와 성질

의 전자흐름이 재배치됨을 관찰하였다. Thess등은 rope형태의 금속성 SWNT의 저항을 four-point 기법을 이용하여, 300 K에서 약 10-4 Ω-cm 임을 관찰 ... transistor) 또는 현재의 실리콘 소자를 대체하여 Tera급의 메모리 소자를 만들 수 있을 것으로 예상되고 있습니다. 그리고 탄소나노튜브의 우수한 전기전도도와 기계적 강도

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.04.07

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PSD센서를 이용한 근접 장애물 인식 및 충돌회피

고 분석해보고자 한다2. 기본 이론ㆍ PSD센서란?- 위치검출소자(Position Sensitive Device : PSD)는 반도체 표면저항을 이용해서 1개의 pn접합으로 입사광 ... 에 Robo-Car 메모리에 들어있는프로그램을 지운다.⑦ AVR 실행창 Flash메뉴에서 hex 파일의 경로를 “PSD \default\psd.hex"로 바꿔준후 "Program" 버튼 ... 한다.⑥ AVR 실행 창에서 "Erase Device"를 클릭하여 기존에 Robo-Car 메모리에 들어있는프로그램을 지운다.⑦ AVR 실행창 Flash메뉴에서 hex 파일의 경로

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.02.10

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