"저항메모리"의 검색결과 입니다.

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"저항메모리" 검색결과 481-500 / 1,402건

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부경대학교 전기기기및실험 레포트, RLC 값의 측정

(multimeter)를 이용하여 저항을 측정하는 방법과 저항에 표시된 색띠 코드를 읽는 방법을 익힌다.2) LCR미터를 이용하여 커패시턴스(capacitance)와 인덕턴스 ... (inductance)의 크기를 측정하는 방법을 익힌다.2. 실험장치(부품) 및 계측기기1) 각종 저항(고정저항, 가변저항), 커패시터 및 인덕터고정저항 가변저항커패시터 인덕터2) 멀티 ... 미터 3) LCR미터3. 준비 지식1) 저항의 재료에 따른 종류를 조사하고 그 특징과 용도를 파악한다.① 탄소피막저항원통형의 세라믹에 탄소피막에 의한 저항체를 형성하는 저항값을 미세

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.21

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문화기술과 사회변동 2019-2학기 최신 중간 정리파일(1~8강)

, 놀람, 공포, 화남, 무감각 등 6가지 감정상태 인지-시각센서를 통해 사람의 95%까지 인식함-피부의 전기저항, 땀, 체온을 측정하는 촉각센서로는 약 80%까지 인식 가능사이보그-뇌 ... 많은 메모리와 연산 처리 능력을 활용한 새로운 기능이 포함됨Windows 3.0 / 3.11990년 3월 22일 윈도우 3.0 버전이 출시안전성이 떨어지지만 PC시장을 장악한 버전

시험자료 | 52페이지 | 3,500원 | 등록일 2019.12.29

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반도체산업동향

1. 반도체 산업 동향11-1. 반도체 수출 동향11) 반도체(메모리반도체, 시스템반도체) 수출 동향11-2. 시스템반도체 산업 동향11) 서론22) SoC 설계 방법과 연구협력 ... Instruments Incorporated)301. 반도체 산업 동향1-1. 반도체 수출 동향1) 반도체(메모리반도체, 시스템반도체) 수출 동향(1) 시장 환경2013년 세계반도체 시장 ... 은 마이크론, 엘피다 합병에 따른 메모리반도체 수급 개선, 스마트기기 수요 지속 등으로 메모리 반도체와 시스템반도체가 동반 성장 예상메모리반도체는무선통신, 정보처리분야의성장세에힘입어두자릿수

리포트 | 33페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.12.05 | 수정일 2014.06.05

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마이크 믹서 엠프 설계 보고서

으면 유용할 것이다. 요새는 보통 컴퓨터 상에서 손쉽게 신호를 디지털화하여 메모리에 저장하고, 컴퓨터 프로그램 상에서 믹스하기도 한다. 그러나 디지털화된 신호는 일부의 손실이 있기 때문 ... 연결한 뒤 소리를 질러도 아주 작은 신호가 나올 것이다. 단, 스피커는 소리가 나오는 곳이고 따라서 신호를 잘 전달받아야하기 때문에 단자 저항이 매우 크다. 반면 마이크는 소리 ... 가 들어가는 곳이고 따라서 신호를 잘 전달해야하기 때문에 단자 저항이 매우 작다. 이러한 특성의 차이로 신호 크기가 차이날 수 있으나 기본적으로는 원리가 같다.이때 주어진 회로

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.07

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반도체 기술혁신경영 미래기술

의 중앙처리장치, 고밀도, 비휘발성 메모리, 초고감도 센서 개발에 기여하고 새롭게 반도체 산업을 이끌어 갈 수 있는 동력으로 자리 매김할 수 있다.?R램저항메모리(Resistive ... RAM)라는 뜻을 가진 R램은 차세대 비휘발성 메모리다. R램은 부도체 물질에 충분히 높은 전압을 가하면 저항의 변화에 따라 전류가 흐르는 통로를 생성하거나 없애는 저항 변화 현상 ... DRAM 으로 하드디스크는 낸드플래시로 모뎀칩은 AP칩으로 등 새로운 혁신이 가미되어 다른 수요의 형태를 보이고 있다.반도체는 크게 2가지로 분류된다. 메모리 와 비메모리 반도체이

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.07.28

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컴퓨터의 이해 마이크로프로세서의 발전 과정과 컴퓨터 산업에 기여한 점 그리고 최신동향에 대하여 자세히 서술하라.

로 작동하고 640바이트의 메모리를 가진 4비트 마이크로프로세서이다. 1972년에는 이것을 발전시킨 4040이 출시하였고, 8비트 마이크로프로세서인 8008도 1972년 4월에 출시 ... 되었다. 8008은 3,200여개의 트랜지스터가 집적되었고, 500~800KHz로 작동하고 16K바이트의 메모리를 갖고 있다. 1974년 4월에 8008을 발전시킨 8080을 출시 ... 에 탑재되었다. 80286은 물리적 메모리가 16MB, 가상메모리가 1MB로 8086보다 16배 증가된 메모리와 처리속도가 6MHz~25MHz였다. 1985년 10월 80386 CPU

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.03.27 | 수정일 2013.11.25

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자기저항 , 스핀전달토크에 의한 자화반전 및 세차운동의 원리 및 소자응용 가능성, Runge-Kutta 방식, LLG식.

층의 스핀이 매우 빠르게 반응하기 때문에 이를 이용한 메모리 소자의 정보 저장 속도는 증가하게 되고 자기저항 자체가 직접적으로 전기적인 디지털 신호를 나타내기 때문에 소자를 제작할 때 ... 1. 자기저항(magnetoresistance, MR)에 대해 조사하시오자기저항효과란 자장의 존재 유무에 따라 재료의 전기적 저항이 다르게 나타나는 현상을 말한다. 즉 어떤 물질 ... 이 자장이 미치는 영역에 놓여있을 때 자장의 변화에 따라 전기 저항의 값이 자장의 함수로 변하는 것을 이야기 한다. 예로서 Ni와 Feㅇ의 경우 높은 자장을 가하면 Ni는 전기저항

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17

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실험10-예비) RLC회로

에 대해 간단히 알아보겠다. 위의 회로에서 보이는 것과 같이 저항, 인덕터 및 축전기가 교류전압과 함께 직렬로 연결된 회로를 생각해 본다. 교류회로에서 저항의 경우를 제외 ... 을 리액턴스라고 정의하며 이들은 교류저항의 의미를 갖는다. 임피던스의 SI 단위는 옴이다. 여기서 임피던스는 진동의 함수이다.는 전압 phasor와 전류 phasor가 이루는 각도이 ... 내의 전류를 측정하려 할 때에는 전기저항의 양단의 전압을 측정하면 된다. 전기저항에 대해서는이므로이 성립하게 되고, 전류와의 위상은 같다.지금부터는 간단하게 병렬회로에 대해 알아보

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.08.23

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ROM+ADC 결과보고서 (응용전자공학실험 만점 자료)

가 8kHz가 되는지 확인하라. 계산으로 구한 R,C 값에서 정확히 발진하는가?NE555를 이용하여 발진주파수 8KHz를 만들기 위해 저항과 커패시터 값을 조정하여 듀티비 49 ... 수 밖에 없었다.수동소자는 각각 허용오차 범위가 존재하기 때문에 오차의 가장 큰 원인으로 들 수 있다.커패시터의 용량은 온도 변화에 따라 급변하는 성질이 있으며 IC 소자나 저항 ... 하여 양자화 노이즈가 줄어드는 모습을 C,D 신호의 파형으로 확인할 수 있었다.이번 실험은 신호를 샘플링하여 메모리(ROM)에 저장 한 뒤에 저역통과필터 회로를 거쳐서 양자화 노이즈

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.06.22

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예비(ac9)

ac 9. Parallel Sinusoidal Circuits1. 실험의 목적1) 관련된 위상각과 전류 단계를 측정하기 위해 sensing 저항의 유용성을 알아본다.2) 실험적인 ... , capacitor에 흐르는 전류는 쉽게 변할 수 있으나 전압은 쉽게 변할수 없다. 이러한 전압 관성이 전하를 저장함으로ㅆ 메모리로 사용되는 근거가 된다.- inductor : 그 안 ... - phasor : 전류와 전압의 위상과 진폭을 단순한 복소수의 형태로 나타내는 것.- impedance : 전압의 phasor를 전류의 phasor로 나누어준 값으로, 저항의 개념과 비슷

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.09.29

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[옴의 법칙] 실험측정 실험보고서, 탄소저항과 옴의법칙, Ohm의 법칙에 의한 전기 저항의 측정 실험, 옴의법칙 결과보고서 (예비)

하는가를 확인하고, 옴의 법칙을 확인하기 위한 측정조건에 대해 검토한다.[2] 기구 및 장치전자회로실험 기판, 저항(10Ω, 100Ω), 소형 전구, 전선, USB 메모리[3] 실험 ... 탄소저항과 옴의 법칙 관계Ohm의 법칙 실험 측정 / 결과보고서[1] 실험 목적[2] 기구 및 장치[3] 실험 방법실험 1. 탄소저항 (10Ω, 100Ω)실험 2. 소형전구[4 ... ] 측정값 및 계산[5] 토의 및 결과1) 질문에 대한 토의2) 실험과정 및 결과에 대한 토의[1] 실험 목적1) 먼저 이번 실험의 목적은 탄소저항이 옴의 법칙을 만족하는가를 확인

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.15

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ITRS

, trench 캐패시터를 위한 재료 및 공정, flash메모리의 게이트 구조, 상변화 메모리, FeRAM저장 소자들을 포함한다.DIFFICULT CHALLENGESFRONT END ... 위한 중요한 정보가 됨-back surface 입자와 yield에 대한 효과와 관련된 정보가 적다scaled된 MOSFET의 불순물 주입과 통제-채널저항의 17~33%보다 적 ... 은 기생저항을 갖는 얇은 source/drain영역을 얻기 위한 도핑과 activation 공정-gate 캐패시터의 23~29%보다 적은 기생 캐패시터를 얻기 위한 조절

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.06.30

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아주대 논리회로실험 실험예비9 D/A & A/D Converter (DAC & ADC)

하는 경우에 전압식은 아래와 같다 (VR은 reference voltage).--- (1)이 회로는 conversion 전압 오차가 없으나 저항 값이 정밀해야 한다는 어려움이 있 ... 다.ladder type resistor의 회로를 사용하는 경우에 전압식은 아래와 같다.--- (2)이 회로는 conversion 전압 오차가 발생하나 R-2R 저항만으로 구성할 수 ... . 그러므로 스위치의 오픈 저항이 매우 큰 이상적으로는 ∞가 되어야 한다. 스위치가 on에서는 이상적으로 SHORT회로에 가깝게 동작해야 한다. 스위치의 저항은 부하 회로망과 임피던스 분배

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.10.04 | 수정일 2017.08.03

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전자회로실험 Oscilloscope의 활용

amples / second로 표시한다. ADC로부터 얻어진 샘플 점들은 메모리에 파형 점(waveform Font)으로 저장되고. 이 점은 한 개 이상의 샘플 점들로 구성 ... 된다. 또d Length)라고 한다. 동기 시스템은 이 레코드의 시작과 끝의 점을 결정하는 것이며, 레코드점들은 메모리에 저장된 후에 화면에 나타나는 것이다. 오실로스코프의 성능에 따라 ... 할 수 없다. 그러기 위해선 위의 사진과 같이 캐패시터와 저항을 직렬로 연결한 다음 교류전압을 인가한다. 그 다음 오실로스코프에 하나의 채널을 전체 측정하고 나머지 다른 채널은 저항

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.07.28 | 수정일 2014.08.22

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칼코지나이드

칼코지나이드Chalcogenide목 차PageⅠ. 주제 선정주제 선정 배경3서론3Ⅱ.칼코지나이드칼코지나이드란?5제조 과정5특성 및 특징7Ⅲ. 응용 분야메모리 분야9박막형 태양 ... 현재 칼코지나이드 소재는 상변화 특성 및 광변전환 특성으로 광 및 전기 메모리, 의료기기 및 광소자 등에 사용되어지고 있습니다. 특히 요즘에 와서 빠른 스위칭 특성 및 용액증착법 ... 하는 방법.2-3. 특징 및 특성외부에서 인가되는 아주 짧은 집속된 에너지(광메모리는 집광된 레이저 광, 전기 메모리는 인가되는 펄스 전류)에 의해 비정질상과 결정상으로 변화하게 된다

리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.12

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[결과보고서] Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) 식을 이용한 자기거동분석 [신소재공학실험3]

특정 셀 뿐만아니라, 인접셀도 자기장의 영향을 받아 오류발생가능성이 존재한다.MRAM은 자기저항을 이용하여 만든 비휘발성 고체메모리로, MR을 이용하여 정보를 저장하며 GMR ... 의 원리MRAM은 플로피디스크나 하드디스크와 같이 자기에 의해 데이터를 기억하는 메모리로, 스핀의존전기전도에 의해 생기는 TMR을 주로 이용한다. 이러한 TMR소자는 2개의 강자성 ... 층에는 오른쪽 자계가 생긴다. 이렇게 자계가 발생한 TMR소자는 다음과 같이 저항처럼 취급할 수 있다.(a)처럼 자계가 같은 방향이면 저항치가 작은 경우에 해당하고, 자계의 방향이 (b

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.18 | 수정일 2021.02.01

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[기초회로실험] 26장. 광전자 소자특성 예비레포트

전자공학 또는 옵토일렉트로닉스라 하며 광통신이나 광메모리 분야 또는 광 계측분야의 주요 기술로 되고 있다.광전자공학에서 자주 쓰이는 광반도체는 크게 발광소자와 수광소자로 나누어 볼 ... 에 전류제한저항을 통하여 접지됨으로써 대부분의 알파벳 문자나 어떤 구두점 기호들, 그리고 0에서 9까지의 디지트(Dight)를 만들 수 있다.예를 들면, A, B와 C의 음극을 접지 ... 은 전류가 LED를 통하여 흐르도록 한다. LED로부터 나온 빛은 광다이오드를 비추고 저항R _{2}를 통하여 역방향전류 I가 흐르고 광다이오드 양단의 전압은 다음과 같이 주어진다

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.01.16 | 수정일 2022.10.13

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고분자재료공학

, 접어서 들고 다니는 전자종이 등에도 사용할 수 있다. 과학자들은 그래핀으로 일반 반도체보다 저장 용량이 큰 컴퓨터칩과 전자소자 등 초고속 나노 메모리를 만들 수 있을 것으로 기대 ... 인듐과 산화주석이 90:10의 비율로 섞인 금속화합물이다. 이는 및도 잘 투과시키고, 작은 면저항을 가지기 때문에 전기전도성도 우수한 적절한 소재이지만 많은 단점을 가지고 있 ... 고 있으며, 공정에서 패터닝에 어려움이 있다.4. 면저항면저항은 전극 등의 전기전도성을 판단하기 좋은 지표로 이용되는 것으로, 일반적으로 다음과 같은 식으로 구할 수 있다.이와 같

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.30

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BCD To 7Segment Decoder 설계

한 입출력 포트, 64핀 TQFP와 64핀 MLF+PortA(PA7~PA0)(51~44) : 내부 풀업 저항을 갖는 8비트의 양방향 입출력 포트. 외부 메모리를 엑세스 하는 경우 ... 이 한 클럭에 동작.32개의 8bit 번용 작업 레지스터+주변장치 레지스터.16MHz의 클럭을 사용할 경우 16MIPS까지 실행.->비휘발성의 프로그램(Flash), 데이터 메모리 ... 에는 A7~A0의 어드레스/D7~D0의 데이터 포트로 사용됨.+PortD(PD7~PD0)(25~32) : 내부 풀업 저항을 갖는 8비트의 양방향 입출력 포트(USART)4.3.2

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.05.28

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대전방지제

와 공기중의 수분 (물분자)간 수소결합에 의한 인력으로 기재의 표면은 수분이 흡착되고 이러한 방식으로 흡착된 수분과 대전방지제 자신의 도전성은 기재의 표면전기저항을 감소 ... 시킴으로써 정전기 발생의 원인이 되는 대전(전하의 축적)을 방지하여 정전기 발생을 방지하는 역할을 한다. 즉, 표면의 전기저항을 작게하여 정전기의 발생을 방지하는 제품으로 재료에 첨가 ... 성능저하)제조 공정중 정전기 방전으로 인한 불량률 증가 (전자기기나 OA기기 등에서는 정전기에 의한 IC 오작동이나 메모리 파괴)고속화된 생산공정상의 갖가지 능률저하분체나 가연성

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.09.24

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