"저항메모리"의 검색결과 입니다.

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캡스톤디자인 캠퍼스특허 광운대 plc제어 전자과 졸업작품 전자공학과 8051 시계 반도체 공정

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"저항메모리" 검색결과 661-680 / 1,404건

[전기자동차] 전기자동차의 장점과 단점, 배터리, 전기자동차의 종류

전지1차 전지니켈 카드뮴 전지나켈 수소 전지니켈과 카드뮴을 사용한 2차 전지.전압은 1.2V로 낮으나 저항이 작기 때문에 큰 전류를 필요로 하는 제품전지 자체로 메모리 효과가 있 ... 있다.메모리 효과가 없어서 수시로 충전해도 무방하다.화학 에너지를 전기 에너지로 바꿔 여러 번 충전하여 사용할수 있는 전지납 축전지, 니켈 카드뮴 전지, 니켈 수고전지, 리튬

리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.05

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반도체

만 불순물(不純物)의 첨가(添加)나 기타 조작(造作)에 의해 전기전도도가 늘어나기도 한다. 일반적으로 실온(室溫)에서 10-3~1010Ω·cm 정도의 비저항(比抵抗)을 가지나 그 범위 ... 를 ‘마법의 돌’이라 부르기도 한다.▲ 여러 가지 반도체(2) 반도체의 특성① 첨가하는 불순물의 양(陽)에 따라 저항을 조절(調節)할 수 있다.② 빛을 가(加)하면 저항이 작아지거나 전기 ... 를 구성 하는데에는 반도체 뿐만 아니라, 저항, 콘덴서(condenser), 코일이 들어간다. 이런 것들을 아주 작게 만든 것이 IC(integrated circuit)인데, 이 소자

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.03.30

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실험6-RC,RL회로의과도응답과주파수응답(결과)

오실로스코프- 파형 발생기- 직류 전압원- 디지털 멀티미터- BNC probe 3개- 저항 220Ω, 330Ω, 1kΩ, 2kΩ 각각 1개- capacitor 470μF, 0.1μF ... .22μF0.436 x 10-30.44 x 10-30.222μF※주의 : 이 값은 색 띠로부터의 값이므로, 저항계를 이용하여 측정한 값을 사용하라.※토의사항저항이 커지면서 충전 ... 와 저항의 위치를 바꾸게 되면 low-pass filter에서 high-pass filter로 바뀌게 된다. 여기에 사각파 전압을 넣고 나타난 출력 파형을 보면 시정수가 짧아짐

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.08.27

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SRAM, DRAM EEPROM, PRAM등 다양한 메모리 소자

메모리 소자메모리 소자는 정보의 저장이 가능한 매체를 말한다. 반도체 재료를 이용하여 제작된 대부분의 메모리 소자는 정보를 입력하고 다시 출력하는데 있어 그 정보가 어느 위치 ... 에 있든 상관없이 일정한 시간으로 정보에 접근할 수 있다. 기억위치에서 직접 정보를 읽어낼 수 있기 때문이다. 정보의 입력과 출력이 모두 가능한 메모리 소자를 RAM(Random ... Access Memory라 한다. 이미 기록된 정보를 읽어내는 것만 가능한 메모리 장치는 ROM(Read Only Memory)라 한다. 메모리 소자는 입,출력 특성에 따라 분류

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.08

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반도체의 원리,제조공정,특성과기능,사용범위

스페셜메모리로 구분된다.RAM → DRAM, SRAM, VIDEO RAM, SYNCRONOUS DRAMROM → MASKROM, EEPROM, FLASH MEMORYCCD(2 ... )micro0. 메모리를 제외한 반도체제품을 통칭하여 마이크로(Micro)제품이라고 한다.우리회사는 8개 사업분야의 제품을 개발, 생산, 판매하고 있다.1. memory메모리는 데이타 ... 나 프로그램의 명령과 같은 정보를 기억하는 장치로서 무엇으로 만들어졌느냐에 따라 반도체메모리, 카세트테이프, CD, LD등이 있으나 여기서는 반도체메모리를 중심으로 설명하고자 한다.램

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.20

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아주대논리회로실험 9장 RAM 결과(문답+빵판+고찰)

이 정해지는데 이것을 읽어 들이는 메모리 동작을 확인하는 실험이다. 우선 회로에서 74HC03 게이트는 오픈 드레인이기 때문에 풀업 저항을 달지 않으면 두 입력이 High일때 결과 ... L 밖에 사용할 수 없다. 다른 조합도 사용할 수 있도록 10kΩ의 풀업저항을 사용한다. (각 게이트 출력 쪽에 저항 한 개씩)정보가 기억소자 A로 들어갈지 B로 들어갈지를 선택 ... 단의 OUT1 값은 03번 NAND GATE의 6번 출력이 OUT1이다. 7403 출력 단에는 풀업저항을 달아 Open collector 방식의 출력이 1을 내보낼 수 있도록 구성해야 한다.

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.12.21

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[순천향대] 회로이론실습 2 오실로스코프

점들은 메모리에 파형점으로 저장되고, ④이점은 한 개 이상의 샘플점들로 구성됩니다. 또 이런 ⑤파형점들이 모여서 한 개의 파형 레코드를 구성합니다. ⑥레코드 점들은 메모리에 저장 ... 하여전류 = 전압 / 저항저항 = 전압 / 전류전력을 구하는 공식으로는전력 = 전압 * 전류오옴의 법칙을 이용하여전류 = 전압 / 저항저항 = 전압 / 전류전력을 구하는 공식으로는전력

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.09.05

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공학재료와 거동학 Project-모바일,폰

의 이들이 스마트폰이라는전자기기의 특성상 반도체나 메모리 같은 전기전자 기술이나, 설계와 생산을 위한 기계공학 기술, 또는 IT 기술을 떠올릴지 모른다.우리가 지금까지 기계공학과 ... 로 가시광선 영역에서는 투광특성이, 적외선 영역에서는 반사특성이 우수하며 비교적 낮은 전기저항을 갖는 상온에서 안정한 산화물이다. 그런데 최근 들어 ITO를 다른 물질로 대체 ... 하려는 움직임이 일고 있다. 바로 CNT(탄소나노튜브)를 이용한 유기투명전극인데 ITO에 비해 저렴하다. 디스플레이용 전극 재료는 투명하면서 낮은 저항값을 가지고 소자를 접었을 때

리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.12.21

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반도체 소자 작동원리 및 한계 극복방안

Memory)전원이 공급되는 동안은 항상 기억된 내용이 그대로 남아 있는 메모리로서 하나의 기억소자는 4개의 트랜지스터와 2개의 저항, 또는 6개의 트랜지스터로 구성되어 있다. DRAM ... 메모리의 생산량을 늘려왔다. 하지만 의외로 Window Vista의 파급효과는 미미했고 반도체업체들은 스스로 무덤을 파고야 말았다.(수요는 적은데 공급은 넘쳐났기 때문이다.) 이 ... 는 곳은 너무나도 다양하다. 반도체는 컴퓨터, MP3, 핸드폰, USB 메모리, 디지털카메라 등 거의 모든 전자제품에 사용된다. 전자산업은 반도체를 빼고는 도저히 말할 수 없을 정도

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.09.08

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[전기전자기초실험]7장 - 기본 논리 게이트 [예비&결과]

/디멀티플렉서 RAM - 메모리 TTL 소자는 보통 74 시리즈 IC. 칩의 이름이 74 로 시작함을 의미. 또한 동작속도 및 소비전력, 회로구성등에 따라서 여러 타입이 존재. 회로 ... 에서는 필요한 기능에 맞게 저항, 코일, 콘덴서 등 개별 부품들을 조합해서 만들어 그 기능을 하나의 패키지 속에 넣은 것이 바로 IC 이다. 전자 계산기용 IC나 마이크로 컴퓨터

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.08

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원산지관리사-품목분류

용 기기이면 9031호에 분류85류전자집적회로 (8542호)모노리식 집적회로라 함은 회로소자(다이오드, 트랜지스터, 저항기, 축전기, 인덕턴스 등)가 하나의 반도체 또는 화합물 반도체 ... 은 박막기술 또는 후막기술로 만들어진 수동소자(저항기, 축전기, 인덕턴스 등)와 반도체 기술로 만들어진 능동소자(다이오드, 트랜지스터, 모노리식 집적회로 등)를 상호접속자 또는 상호 ... 기술(양각, 도금, 식각) 또는 막 회로기술로 도체소자, 접속자 또는 기타 인쇄된 구성부분(인덕턴스, 저항기, 축전기)을 절연기판 위에 형성하여 만든 회로를 말한다.다만, 해당 구성

시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.12.05

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8051 내부구조 및 핀별 기능

으로사용시 각 핀은 8개의 TTL을 구동할 수 있다.⑤ 외부에 메모리(ROM, RAM)로 연결하였을 때는 어드레스 신호(address bus)와 데이터 신호(data bus)가 함께 ... 나오는 AD0 ~AD7 라인으로 사용.⑥ 내부의 ROM에 데이터를 라이트할 때는 데이터 버스로 사용.⑦ 외부에 메모리를 연결하지 않았을 때는 범용 입출력 포트(I/O)로 사용할 수 ... 로 사용될 수 있다.③ 특정한 목적을 위한 입출력 포트이다.3) 포트 2(P2.0 ~ P2.7)① 내부에 풀업 저항이 되어 있는 8bit 양방향 입출력 단자로서 4개의TTL을 구동

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.08

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경영정보시스템 기말고사 요점정리

있다. 인가는 특정인에게 파일 접근, 접근 시간 그리고 할당된 저장공간과 같은 접근 수준과 능력을 포함하는 허가를 제공하는 프로세스.(2)예방과 저항: 콘텐트 필터링은 인가 ... . 가상화는 한 기계안에 어려대의 가상 기계가 존재하도록 하여 메모리나 하드 디스크 공간과 같은 자원을 공유하도록 하는데 이는 한 기계에서 서로 다른 응용프로그램과 심지어 운영체제

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.16

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핸드폰을 통해서 본 전자부품 종류

나일론계통. 전자부품 - 주료 반도체로 다이오드, 트랜지스터,IC 메모리, EEPROM, LCD DRV, 등등 재료 실리콘 밧데리 - 요즘 리튬이온, 리튬 폴리머등 재료 리튬 ... . 수동소자 - 저항, 컨덴서 연결소자 - 커넥터분해를 해 보았는데 모든 부품을 알지 못해서 부품 종류가 무엇이 있는지 알아보고 주로 배운 것을 토대로 조사해보았다.다이오드개요 : 전류 ... 을 역방향으로 가했을 때 접합 용량이 변화하는 것을 이용한다.저 항개요 : 전류의 흐름을 방해하는 기능을 가진 부품 단위는 옴을 사용한다. 용도 : 저항이 없이 전류가 흐르게 될 때

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.20

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ATmega128 PCB Control 설계결과보고서

은 I/O 제어용 레지스터를 가지고 있다. 128KB의 ISP방식 프로그램용 플래시 메모리, ISP를 위한 SPI (Serial Peripheral Interface) 핀도 가지고 있 ... 다.Memory로는 4KB의 데이터 저장용 EEPROM과 4KB의 데이터 저장용 SRAM, 그리고 외부에 최대 64KB의 데이터 메모리를 인터페이스 할 수 있는 SRAM을 가지 ... 일 경우 출력은 High, 0일 경우 출력은 Low로 출력된다. 또한 x포트가 입력으로 설정되었을 경우 해당 포트의 내부 풀업저항을 비활성화 한다.PINx : x포트가 입력으로 되

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.12.21

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데이터 수집 장치(DAQ System, Data Acqusition System)

Logic Controller) : 디지털 또는 아날로그 입출력 모듈을 통하여 로직기능, 시퀀싱, 타이밍, 카운팅, 연산과 같은 특수한 기능을 수행하기 위하여 프로그램 가능한 메모리 ... 저항값의 변화로 나오는 것도 있고, 펄스 형태로 들어오는 경우도 있다. 외부의 신호를 원하는 범위의 신호로 변환하려면 전압증폭을 하기도 하고, 전류-전압의 변환을 하기도 하 ... 고 저항-전압형태로 변환시키기도 한다.예) 측온저항체 온도계의 시스템 구성7. Sampling (1)▷Sampling 주기 신호의 기본성질을 보존하면서 Sampling시 aliasing

리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.21

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YF쏘나타 2.0터보 GDI대하여

) 이 없다 . 단점 고회전으로 올라갈수록 심해지는 회전저항으로 인해 출력상승의 폭이 약간은 적어짐과급 장치 인터쿨러 ( INTER COOLER ) 공냉식 인터쿨러 1. 주행중 흡입 ... 가 감지하여 컴퓨터가 모듈레이터를 조정하여 방향 안정성 유지 , 조정 성능의 확보 , 제동 거리를 단축하는 시스템이다 .편의장치 운전석 메모리 시트 운전석 메모리 시트 운전 자세

리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.06.13

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재료실험-Magnetoresistance

1. Magnetoresistance의 종류에 대해 조사.절대 온도의 단위로 쓰이는 Kelvin 경(Baron Kelvin, 본명은 윌리엄 톰슨)1856년 발견한 "자기 저항 ... "이란 자기장에 따라 전기저항이 바뀌는 현상을 말하는데, 이때 발견된 것을 OMR(일반 자기저항 Ordinary Magnetoresistive effect) 이라고 부르고, 그 뒤 ... ), TMR (Tunneling magnetoresistance) 까지 다양한 종류가 있고, 하드디스크 헤드, MRAM, 자기 센서등에 응용될 수 있다.1) OMRMR(일반 자기 저항

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.08

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황의 법칙

Hwang's Law1. 황의 법칙‘황의 법칙’이란 반도체 메모리의 용량이 1년마다 2배씩 증가한다는 이론으로 삼성전자의 황창규 사장이 '메모리 신성장론'을 발표하여 그의 성 ... (International Solid Sate Circuits Conference;ISSCC)에서 삼성전자 반도체총괄 겸 메모리사업부장의 황창규(黃昌圭) 사장이 '메모리 신성장론'을 발표 ... non-PC분야라고 하였다. 이 규칙을 황창규 사장의 성을 따서 '황의 법칙'이라고 한다. 실제 삼성전자는 1999년에 256M 낸드플래시메모리를 개발하고, 2000년 512M

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.08.26

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[중력가속도측정][중력][가속도]중력가속도측정과 측정실험도구, 중력가속도측정과 등가속도운동, 중력가속도측정과 단진자, 중력가속도측정과 케타진자, 중력가속도측정과 에너지보존 분석

에 2kB의 플래시 메모리가 내장되어 있는 원칩마이크로컨트롤러이다. 외부에서 크리스털과 리셋회로만 연결해주면 된다.측정된 시간은 시리얼 포트를 통하여 PC쪽으로 전송되는데 PC ... 한다. 포토트랜지스터는 수광빛이 베이스 전류 역할을 하는 것으로 빛을 받으면 컬렉터 전류가 많이 흘러서 이미터 쪽에 달린 저항에 전압이 높게 나타나게 된다. 강철구가 센서 앞을 통과하면 빛의 흐름 ... 라 하면강철구가 낙하하는 동안 빗면과의 마찰이나 공기 저항에 의해 가속도는 감소하므로 위 식에 의한 측정값은 중력가속도보다 작을 것이다.자유 낙하하는 물체의 속도나 가속도를 측정

리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.30

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