"저항메모리"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

캡스톤디자인 캠퍼스특허 광운대 plc제어 졸업작품 전자공학과 8051 시계 Reram

"저항메모리" 검색결과 261-280 / 1,402건

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

A+ 인제대 산업경영공학과 산업로봇응용 중간 기말 정리, 요약본

-용도: 선택,배치 작업 같은 간단한 동작ㅇ점에서 점 제어 가능한 재생로봇-재생로봇: 위치를 메모리에 기록한 다음 재생-서보 컨트롤(폐쇄 루프 피드백 컨트롤)-원하는 지점위치 및 ... ㅇ기타유형 적절속도 조절 감지ㅇ액츄에이터- 동력원(유압, 공압, 전기)ㅇ동력전달- arm에 동력전달(기어,나사-볼 나사-전원 나사)ㅇ전위차계-출력 전압은 현 위치의 저항과 전체저항 비율

시험자료 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.02.28 | 수정일 2021.12.14

다운로드 장바구니
[경남대] 미국탐방시리즈 기말고사 정리본

로 싸운 장소 “Remember Alamo”: 애국심과 저항심의 상징, 텍사스의 역사적 랜드마크Lone star flag of Texas: 커다란 외로운 별 하나텍사스 사이즈 (음식 ... Bezon: 미국에서 3번째로 부자.: 에코는 목소리로 통제하는 핸즈프리 스피커로 ask만 하면 됨메모리 데이터 단위Tartine Bakery: 당신이 죽기 전에 먹어야 할 25가지

시험자료 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.07.29

다운로드 장바구니
멀티레벨 셀을 가지는 PoRAM의 센싱 기법 (A Sensing Method of PoRAM with Multilevel Cell)

상태의 변화로 셀 데이터를 구분하는 메모리 소자이다. 특히 한 셀당최대 4 레벨의 안정된 저항 값을 가지므로 멀티레벨 셀로 활용이 가능하다. 따라서 멀티레벨의 센싱을 위해 어드레스 ... 본 논문은 멀티레벨을 갖는 PoRAM 셀의 데이터를 센싱하는 기법에 관하여 제안하였다. PoRAM은 유기물질을 사용한 단위 셀의 상,하단 전극에 전압을 가했을 때 나타나는 저항

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

다운로드
제어계측공학과 졸업작품 『블루투스 RC카』

yo7)44~518비트 양방향성 I/O포트. 비트별 내부 풀업 저항 연결가능. 외부 메모리를 둘 경우에는 주소버스의 하위 8비트(A0~A7)과 데이터버스 8비트(D0~D7 ... 이 있는 8비트 양방향성 I/O포트. 외부 메모리를 둘 경우에는 주소버스의 상위 8비트(A8~A15)로 동작PORT D(PD0~PD7)25~32내부 풀업 저항이 있는 8비트 양방향 ... )로 멀티플렉스 되어 동작PORT B(PB0~PB7)10~17내부 풀업 저항이 있는 8비트 양방향성 I/O포트. 여러 별도의 기능을 가진 핀PORT C(PC0~PC7)35~42내부 풀업 저항

논문 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.05.31 | 수정일 2020.06.07

다운로드 장바구니
제어계측공학과 졸업작품 『라인트레이서』

mA의 출력을 할 수 있으며 양방향 제어 가능한 소형 모터 드라이버입니다.3. 제어부- 마이크로프로세서 기술라인트레이서 동작에는 고성능의 CPU를 필요로 하지 않습니다.또한 메모리 ... 는 8051 계열 중에 내부 메모리가 없는 8031을 사용하였다.Ⅲ. 개발 방법1. 개념 설계단순히 보면 트레이서는 바닥에 그려진 LINE만 쫓아가는 것으로 생각할 것입니다. 간단 ... 고 있습니다.외부에 버스를 가지는 모델에서는 이 외부 시스템 버스를 이용하여 데이터 메모리 또는 I/O디바이스를 확장할 수 있습니다.다양한 인터럽트 소스와 처리 기능을 가지고 있

논문 | 36페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.05.31 | 수정일 2020.06.07

다운로드 장바구니
전자공학종합설계 보고서 (자기력을 이용한 위치에너지 메모리)

: 비휘발성으로 데이터 손실의 우려가 적으나 동작속도가 DRAM 에 비해 느림 기존 메모리의 단점을 보완하거나 특수 목적으로 사용될 새로운 메모리 가 필요함 대표적인 예로 자기저항 ... 메모리 가 존재 자기저항 메모리 5 저항의 변화도를 이용하는 메모리 기존과 다른 새로운 접근방식 6 좌 , 우의 위치를 데이터 0, 1 의 상태로 지정하는 위치에너지 메모리 P.E ... 자기력을 이용한 위치에너지 메모리 1 개요 INTRODUCTION 2 위치에너지 메모리 P.E. MEMORY 3 진행과정 PROGRESS 4 분석 ANALYSIS CONTENT

리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.03.12

다운로드 장바구니
[반도체공정] 3차 레포트 - Future Memory Technologies

고속성을 살려서 캐시 메모리 등에 쓰이고 있고, 또한 그것과는 반대로 DRAM은 상쇄(refresh) 동작이 필요하기 때문에 액세스 속도가 저속한 부품으로 대용량성의 특성을 살려서 ... 퍼스널 컴퓨터의 main memory 등에 채용되고 있다. 또 플래시 메모리는 하드 디스크와 같이 비휘발성(전기적인 기억의 보유가 불필요)이라고 하는 특성을 살리고 비교적 소용량 ... 으로 시스템 성능의 향상은 잘 알려진 memory wall (communication bandwidth의 한계때문에 코어와 메모리 사이의 속도 차이가 커지는 것)과 power wall

리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.22

다운로드 장바구니
마이크로프로세서 결과보고서(아트메가128소개)

된 RISC구조의 MCU? 저전력, 고성능? 16MHz의 클럭을 사용할 때 16MIPS의 명령처리 속도? 128KB의 ISP방식 프로그램용 플래시 메모리? 4Kbyte EEPROM ... ? 4Kbyte Internal SRAM※ AVR의 종류? ATtiny계열- 1KByte ~ 2KByte의 플래시 메모리- 8핀 ~ 28핀 정도로 소형- 소규모 애플리케이션의 간단 ... 한 기능을 수행할 때 사용? AT90S계열- 1KByte ~ 8KByte의 플래시 메모리- 20~40의 핀의 개수? mega계열- 8KByte ~ 256KByte의 플래시 메모리

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.08

다운로드 장바구니
SK 하이닉스 메인트(Maintenance) 합격 자기소개서 및 면접자료 면접후기.

-하이닉스 ? maintenance(설비 유지보수팀)만드는 제품 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 중심으로 CIS와 같은 시스템반도체 등을 생산하는 기업.maintenance가 하 ... 된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리1.D-RAM : 전원이 차단될 경우 저장되어 있는 자료가 소멸되는 특성이 있는 휘발성 기억소자이며, 시간이 지나가면 ... 되는 한 기억된 데이터가 지워지지 않는다. 플립플롭 방식의 메모리 셀을 가진 임의 접근 기억장치로서 전원 공급이 계속되는 한 저장된 내용을 계속 기억(이건 생산 안함~!)NAND

자기소개서 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.02.25 | 수정일 2024.07.16

다운로드 장바구니
ATmega128의 개념과 특징에 대해서 기술하고, 칩 내부를 구성하고 있는 GPIO구조와 타이머/카운터의 기능에 기술하시오.

들의 생김새가 다양하다는 것을 느끼셨을 텐데요.대부분 위에 보이는 기본 Atmega128에서 칩을 사용하기 쉽게 납땜 해 놓을 것 입니다또한 뒤에있는 128이란 플래시메모리의 용량 ... 을 뜻하며, Atmega128를 처음 접하는사람이라면 굳이 깊게 아실 필요는 없습니다.Atmega128의 특징을 설명해드리면- 메모리 : 128KB Flash, 4KB SRAM, 4 ... MIPS로 동작2사이클 내에 동작하는 곱셈기 내장완전한 정적 동작 지원-비휘발성 프로그램 메모리와 데이터 메모리128KBytes의 ISP(In System Programming

리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.10.12

다운로드 장바구니
LG실리콘웍스 자기소개서

을 키웠습니다.스터디 활동에서는 2019 SEMICON에 참관해 반도체 산업의 현황을 확인하고 특허청에서 주관한 공모전에 참여해 저항성 메모리에 관한 특허 분석을 했습니다. 이 경험 ... 을 바탕으로 현재 반도체 산업에서 중요한 이슈와 메모리 구조에 대한 이해도를 높였습니다.그리고 8X4 SRAM을 탑재한 마이크로프로세서를 설계하고 검증하는 프로젝트를 진행해 제 전문

자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.03.12

다운로드 장바구니
모두를 위한 물리학 요약

이나 전류 주위에 자기력에 작용하는 공간자기력 : 자성을 가진 물체가 서로 밀고 당기는 힘*전기저항과 초전도체전기저항 : 전하의 흐름을 방해하는 정도초전도체 : 어떤 임계온도이하 ... 에서 전기저항이 0이 되는 물질초전도 전자석 : 초전도 물질을 감은 코일을 사용하여 만든 전자석저항손실이 없기 때문에 큰 전류를 흘릴 수 있어서 강한 자기장 발생+온도가 올라감 ... -> 전기 저항이 커짐*자기부상열차의 작동 원리-열차 부상 : 열차에 설치된 초전도 전자석에 전력을 공급하여 발생한 자기력이 철로에서 발생한 자기력과 서로 밀어내는 힘이 작용->작

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.18

다운로드 장바구니
[반도체 공정 A+] 차세대 메모리 기술 레포트

가 존재하는 1R구조를 갖는다. 상하전극에 전압 변화를 가했을 때, 동일 전압에서 Ion(저저항상태)/Ioff(고저항상태) 전류 변화가 100배 이상 발생하는 bistable 전기 ... 적 소자 특성을 메모리 소자로서 응용한 비휘발성 메모리 소자이며 모든 유기소재를 적용한 소자를 통틀어 PoRAM이라고 말한다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1. PoRAM ... 는 polymer bistable device(PBD)로서 비휘발성 메모리 소자로 동작 가능하다.그림 SEQ 그림 \* ARABIC 2. 고분자 PoRAM 구조PoRAM은 단순한 1

리포트 | 11페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

다운로드 장바구니
메모리의 개념 과 종류 및 특징

시킬 수 없게 됩니다. 이 것이 플래시 메모리 cell의 수명입니다.SLC의 경우 여유전압이 넓게 구성되므로 저항이 변하는 것에 그만큼 오랜 대응이 가능하지만 MLC, TLC의 경우 각 ... ) 구조로서 적당한 전기적 신호를 가하면 저항이 큰 전도가 되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 작은 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가집니다 ... 메모리란?일반적으로 디지털 회로를 사용한 기억 unit을 가르키는 말입니다. 메모리에 기억시키는 것을 쓰기(write), 메모리에서 데이터를 꺼내 오는 것을 읽기(read)라고

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

다운로드 장바구니
비휘발성 차세대 메모리

-Meal) 구조로서 적당한 전기적 신호를 가하면 저항이 큰 전도가 되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 작은 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성 ... 데이터를 기억하는 메모리로서 스핀 의존 전기 전도에 의해 생기는 강자성 터널 자기저항 효과(Tunnel Magneto Resistance:TMR) 소자를 이용한 것입니다. TMR 소자 ... 메모리 소자의 초고속화, 초고집적화 및 초 절전화가 관건입니다. 기존의 DRAM 공정은 1T-1C 구조의 cell를 이루고 있는데 capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

다운로드 장바구니
[Ayeun] 마이크로프로세서응용 2주차 예비보고서 마프(cpu,메모리,명령어구조,MPU,MCU,ATmega128)

데이터를 저장한다. 디램에 비하여 전력소모가 매우 작은 장점이 있다.차세대 비휘발성 메모리저항변화 메모리(ReRAM, Resistive Random Access Memory) 전압 ... 을 가해줬을 때 절연체층의 필라멘트 형성으로 인한 저항변화로 데이터를 저장한다.자기저항 메모리(MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory) 전압 ... 을 가해줬을 때 스핀의 방향에 따른 자기 저항 효과로 데이터를 저장한다.유기저항 메모리(PoRAM, Polymer Random Access Memory) 전도성 저항 유기소재

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.22

다운로드 장바구니
경정시 사례연구7

# 01디스크 방식에서는 쿼리가 디스크의 데이터들로 수행되나 인메모리 방식에서는 요구되는 정보를 메모리의 색인을 사용하여 빠르게 검색한다. 따라서 인메모리 방식의 가장 큰 장점 ... 를 해결 가능한 것이 인메모리 방식인 것이다.이러한 인메모리 방식은 엄청난 기업 내부와 시장의 데이터를 빠르게 처리, 분석하여 변화에 유연하게 대처하는 실시간 경영을 가능케 한다 ... 분석하거나 트랜잭션 처리와 분석 업무를 모두 할 경우에 과부하나 병목현상이 생긴다. 하지만 인메모리 방식은 기업과 관련된 무수한 정보들을 한번에 처리하고 분석할 수 있어서 새로운

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.09

다운로드 장바구니
[Ayeun] 마이크로프로세서응용 3주차 예비보고서 마프(ATmega128 I/O PORT,DDRX,PORTX,PINX레지스터,SINK,SOURCE 전류)

적으로 풀업 저항(20㏀∼50㏀)- 8비트의 양방향 I/O 포트로 사용 가능PORT C- 외부 데이터 메모리와 데이터 전송시 상위 주소와 데이터 버스로 사용- 외부메모리를 둘 경우 ... 에는 주소버스(A15-A8)로 사용된다.- 8비트의 양방향 I/O 포트로 사용 가능- 외부에 메모리를 인터페이스하지 않을 때에는 내부 풀업 저항(20㏀∼50㏀)을 갖음PORT D- D ... 포트는 중복된 기능을 가지고 있는 포트.- 내부적으로 풀업 저항(20㏀∼50㏀)- 외부 메모리 접속을 위한 스트로브 신호용, RTC(Real Time Counter) 타이머

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.22

다운로드 장바구니
차세대 메모리 종류와 특징

가 되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 작은 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가집니다. ReRAM은 On/Off 메모리 특성을 구현하는 전기 ... 는 더 많은 정보를 더욱 빠르게 더 작은 형태로 처리할 수 있는 능력을 가진 소자가 필요한데, 이를 위해서는 핵심부품인 메모리 소자의 초고속화, 초고집적화 및 초 절전화가 관건입니다 ... 더 어려워지고 있는 추세입니다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요성이 크게 요구 되고 있습니다.현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

다운로드 장바구니
2018 컴퓨터 구조 과제 1 (chapter 1,2,3)- 단국대학교 소프트웨어학과

사용- MBR(Memory Address Resister):메모리에서 가져온 데이터를 보유하고 CPU가 처리할 준비가 되거나 메모리에 저장되기를 기다리는 데이터를 보유하는 양방향 ... 레지스터②Program control unit(CC)- PC(Program Counter):실행될 메모리에서 가져올 다음 명령어 쌍의 주소를 포함하는 카운터- IBR ... (Instruction Buffer Register):메모리에서 단어의 오른쪽 명령을 일시적으로 저장하는데 사용- IR(Instruction Register):실행 중인 8비트 op코드 명령어

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.05.22

다운로드 장바구니

이전10개 9 10 11 12 131415 16 17 18 다음10개

파워링크

신청하기