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한양대학교 기계공학실험 레포트 회전체의 주파수 특성 분석

*인*
최초 등록일
2007.12.17
최종 저작일
2005.12
8페이지/워드파일 MS 워드
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소개글

한양대학교 기계공학실험 레포트 회전체의 주파수 특성 분석

목차

1. 각 센서의 조사 및 활용
▪ Optical Sensor
1. 발광 소자(LED)
2. 광전도셀 [photoconductive cell]
▪ Hall Sensor
▪Magnetic Sensor
2. FFT의 종류 및 설명
The Fourier Transform
DFT (Discrete Fourier Transform)
FFT (Fast Fourier Transgorm)
STFT:Short-Time Fourier Analysis
3. 실험결과
4. Matlab 해석결과
5. 고찰
▪ 그래프 비교

본문내용

1. 각 센서의 조사 및 활용
▪ Optical Sensor
광센서 [光-, optical sensor]란 빛을 이용하여 대상을 검출하는 소자이다. 그 원리는 투광부에서 방사된 Plus변조광이 검출물체가 검출영역에 들어감에 따라 수광 소자에 입사광이 가(또는 감소)하게 되고 이 증가(또는 감소)한 입사광이 정류신호 레벨이 동작 레벨에 도달하면 출력을 내어 주는데 발광소자 즉, LED를 포함하여 간략히 보면 다음과 같다.
1. 발광 소자(LED)
LED는 현재 파장이 480nm에서 950nm 정도의 근적외선 파장 대역의 소자가 사용되고 있다.이것은 수광소자의 분광 감도 peek가 일반적으로 적외선 영역인 약 900nm이고, 또한 적외 LED쪽이 가시광 LED에 비해 양자 효율이 높기 때문이다. 예를 들면 Si dope한 GaAs(적외) LED(950nm)는 직접 천이형이기 때문에 양자 효율은 약 10%로 높은데 비해서 N dope GaP(녹색) LED(565nm)는 간접 천이형이기 때문에 양자 효율 은 약 0.5%로 낮아진다.
2. 광전도셀 [photoconductive cell]
빛을 비추면 빛에너지를 흡수해서 전하를 운반하는 하전체의 양이 증가하고, 전기전도율이 증가하는 성질(광전도성:내부광전효과의 하나)을 가지는 소자로 광전도소자라고도 한다. 빛의 변화를 전기의 변화로 변환(광전변환)하는 데 사용된다. 즉 이 재료(광전도재료)로 만들어진 저항체에 정전압의 전원으로부터 전류를 흐르게 해 두고, 이 저항체에 빛을 비추면 저항이 감소되어 전류가 증가하며, 광량을 전기량으로 바꿀 수가 있다.
이와 같은 재료로서는 셀렌 ∙탈로파이드(탈륨과 황과 산소의 화합물) ∙게르마늄 ∙산화납 ∙황화카드뮴 ∙황화아연 등 여러 가지가 있다. 감도가 높고 소형이며 구조가 간단하여 사용하기 편리하나 전기전도도가 광량의 증가에 대해서 포화하는 경향이 있고, 빛의 급격한 변화에 대하여 전도도의 변화가 늦어지는 결점이 있다

참고 자료

없음
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