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반도체 공정 태양전지 반도체 주제 서론 브리즈만 법 삼성전자 pt면접 mocvd led종류 파운드리
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"GAA공정" 검색결과 301-320 / 461건

  • 자료 표지
    태양전지의 연구 동향
    (Thermophotovoltaic) 조절을 이용한 태양전지 등이 있음그림 2. 다양한 태양전지의 구조2-1. 결정질 실리콘 및 박막형 태양전지Si 계열 및 CdTe, CIGS, GaAs와 같은 반도체 태양 ... 의 공정을 사용하여 16% 이상의 고효율을 달성하기 위한 노력이 진행되고 있다. 특히, 게더링 (gettering) 과 결함 패시베이션 (passivation) 을 통해 변환 효율
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    | 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.12
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  • 자료 표지
    Epitaxial growth
    LayerSubstrate기판과 에피층이 다른 물질로 구성 Ex) GaAs 기판 위에서 AlGaAs 3원소 합금의 에피층을 성장시킴. 사파이어 위에 실리콘 성장(SOS)Why ... 하게 제조할 수 있음 현재 상업적으로 가장 많이 활용되고 있는 박막 제조 기술 IC의 생산공정에 있어서는 매우 중요한 단위 공정ClassificationCVD증착되는 박막의 순도 ... 가 높음대량생산이 가능하고 비용이 적게 듬여러가지 종류의 원소 및 화합물의 증착이 가능공정조건의 제어범위가 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있음장 점
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    | 리포트 | 34페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.09.12
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    [공학]led
    이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소화갈륨 GaAs 인화갈륨 GaP 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs 인화인듐 InP ... 으로 전세계적으로 개발 초기 단계임신호등자동차 계기판옥외 전광판□ LED의 제조공정● Front 공정○ Die Attach : 낱개의 CHIP을 LEAD FRAME에 장착시키는 공정 ... frame간의 전기적 연결이되도록 금선(au wire)을 사용하여 부착하는 공정이다.● back-end 공정○ mold : wire bonding이 완료된 제품의 기계적, 환경적 보호 및
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.11
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  • 자료 표지
    열증착
    1.실험목적Thermal Evaporation법을 사용하여 발광박막의 제조를 통하여 박막재료 제조 공정의 이해를 돕는다.2.실험이론박막이란, 두께가 단원자층에 상당하는 0.1nm ... 과정을 거치느냐 이다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것이고 반면에 CVD는 수십 ~수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능하다. 다만 ... 상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.02.08
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  • 자료 표지
    태양전지
    -sensitized solar cell)와 유기물 태양전지(organic solar cell)가 있다.가. 무기물 태양전지실리콘 계열 태양전지와 CdTe, GaAs, CIGS ... 를 이용하여 pn 접합 태양전지를 금속 전극 없이 반도체 박막만으로 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수 대 역을 가지는 다중접합 태양전지 제작이 가능 ... 적인 어려움이 있다. 박막형 실리콘 태양전지 등에서 시도되고 있지만은 전극 제작 공정이 까다로워 높은 효율을 얻지 못하고 있으며 대면적으로 제작이 어려워 제작 단가가 비싼 문제가 있
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.17
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  • 자료 표지
    CBD실험 예비레포트
    어떤 과정을 거치느냐 이다. 공정상의 뚜렷한 차이점은 PVD는 진공 환경을 요구한다는 것고, 반면에 CVD는 수십 ~ 수백 torr 내지는 상압의 환경에서도 충분히 가능하다.1 ... 는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착 ... 와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.16
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  • 자료 표지
    기상증착법, 물리증착PVD와 화학증착CVD에 관하여
    )이다. 가장 큰 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐이다. PVD는 공정상 진공환경이 필요하고 CVD는 수십내지 수백 Torr ... 이 있다.3많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 타겟으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것 ... 의 방법은 염화물, SiC4나 SiHCl3의 환원과정.(A+AB2 2AB 2SiI2 SiI4+Si)주로 화학적 수송 반응은 3-5족 화합물 박막 제작하는데 쓰인다.GaAs어떤 물질
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.12.25
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  • 자료 표지
    [공학]PVD (Physical Vapor Deposition)
    입자 들로만들어서 그것을 이용하여 코팅이나 기타공정을 수행하는 것이 특징이며 주로 코팅 분야에 사용된다. 스퍼터링의 장점으로는 넓은 면적에서 균일한 박막두께 증착가능, 박 막두께 ... 이 아니라 불순물이 증착된다는 것이 특징이다.전자빔증착법 (E-beam evaporation)의 특징은 오래된 film deposition 방법으로서 공정 이 단순하고 증착 속도 ... Silicon Cells), CuInSe2태양전지(CIS Cells), GaAs 태양전지, CdTe태양전지 등이 있다.특징결정질 실리콘 태양전지(Crystalline Silicon
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.18
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  • 자료 표지
    반도체 기초 및 논리회로
    며 순수한 물질인 Si, Ge 등을 진성 반도체, 화합물 형태인 SiGe, GaAs, InSb, InP, AlGaAs, CdS, GaN 등을 화합물 반도체라고 한다. 가격이 저렴 ... (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정을 이용한 회로에 대해 설명한다. 1) NOT 회로 - Inverter라고도 불리며 입력에 대해
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.21
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  • 자료 표지
    반도체 소자의 기초
    된다 웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘(Silicon) 웨이퍼, 게르마늄(Ge)웨이퍼, 갈륨비소(GaAs) 웨이퍼등으로 구분 웨이퍼는 추가공정에 따라 폴리시드(Polished)웨이퍼 ... ): 정상적인 다이와 같은 공정으로 형성된 특별한 테스트소자 테스트 다이는 공정중의 품질관리를 위해서 만들어진다. Edge die : 웨이퍼는 가장자리 부분에 미완성의 다이
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.23
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  • 자료 표지
    태양전지에 대하여
    의 물성연구나 공정기술은 메모리 TFT LCD 광통신과 관련된 기술을 알아야하고. 이렇게 초고효율 태양전지를 만드는 과정에 자연적으로 기본물성이나 공정에 관한 새로운 기술이 자연 ... 금속막을 증착한 후 selenization공정을 거치는 2단계 방법 등으 로 만들어진다. CIS의 밴드갭이 작은 편이므로 다른 종류의 전지보다 Jsc가 크고 Voc가 낮다. 최근 ... 의 경향은 Voc를 증가 시키기 위하여 Ga등의 원소를 합금시켜(e.g. CuIn1-xGaxSe2) 물성 및 전지효율에 대한 영향을 조사하는 것이다.* GaAs 태양전지태양전지 재료
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.09
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  • 자료 표지
    염료감응 태양전지
    )는 p/n 이종 접합구조로 최대효율이 11% 수준이며 인듐(IN) 매장량한계(총 매장량 5.000톤 추정) 때문에 대량생산용으로는 어려움이 있다. 또 GaAs 태양전지 경우 최대 ... )을 가지는 장점이 있으나 원 소재인 폴리 실리콘의 수급 불안정 및 고 순도화에 필요한 고온공정 에너지 문제로 모듈코스트0.7이하로 내리는 것에 한계가 있다. (제2회 한일 염료감응
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    | 리포트 | 21페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.06.11
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  • 자료 표지
    PV JAPAN 2009 태양광 전시회 참관 세미나 요약보고서
    의 토탈솔루션을 선보임- 특히, 알박(ULVAC)은 a-Si, CIS 등 박막형 태양전지 제조공정을 동영상으로 소개하는 등 다각적으로 제품 및 제조라인을 홍보함- IPORT ... 공정 장비), 도쿄일렉트론(박막형 태양전지 제조장비), IPORT(스크라이버), OSAKA VACUUM(진공밸브), IAI(Robocylinder electric actuator ... ) 등 63개 업체- 검사, 측정관련 : SEMILAB(Life Time 측정), NOAH(공정, 조립 툴, 검사 분석 장비) 등 62개 업체- 부품, 재료업체 및 기타 : 듀폰
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    | 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.08.14
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  • 자료 표지
    [전기전자]Light Emitting Diode
    . LED 란Ⅵ. LED의 제조공정Ⅶ. LED가 사용되는 곳Ⅸ. 결론Ⅳ. LED의 특성Ⅲ. LED의 발광원리Ⅴ. LED의 장점•단점Ⅷ. LED의 앞으로의 전망Ⅱ. LED의 개발과 발전 ... 의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것 (주로 GaAs, GaP, GaAs1-x Px, Ga1-xAlxAs, InP, ln1-xGaxP 등 3B 및 5B족인 2원소 또는 3원소 ... 으로 이어져 LED의 발아기라고 할 수 있다. -1962년의 Pankove의 GaAs p-n 접합부에서의 발광관측을 시작으로 GaAs, GaP, GaAsP, ZnSe등의 결정성장기술
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    | 리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.01.12
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  • 자료 표지
    나노집게-Nanotweezer & Nanothermometer
    nanocluster와 GaAs (갈륨-비소) nanowire을 잡고, 전류-전압 특성을 측정. 고안된 초고주파와 Q-factor의 변화를 측정함으로써 media의 압력과 점도 ... 를 감지할 수 있는 새로운 전기.기계적 sensor에 이용.5. 한계점nanotube를 붙이는 공정이 매우 복잡하고, 시간이 걸림. nanotube를 붙이는 과정을 광학현미경
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    | 리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.03.05
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  • 자료 표지
    고용체 경화와 석출경화
    지만, 실온에서는 녹아들지 않는 합금원소를 첨가한 것? 다음과 같은 제조공정을 거쳐서 합금원소의 석출상을 형성시킴.고온 고용상태? 급냉 (Quench) (물 또는 기름 속에 빨리 담근다 ... 에 따라 변하지 않는 조건 유지.7.5 저항재료-집적회로의 수동부품인 저항은, Si, GaAs로 만든 기판 그 자체의 저항을 이용-온도에 민감한 저항체(서미스터), 전입에 민감한 저항
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.09
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  • 자료 표지
    [반도체공학]반도체 공정
    Si과 GaAs를 포함하는 광범위한 반도체 박막 결정들이 키워지고 있다. 특히 화합물 반도체를 이용한 전자및 광전자 소자의 구현에 있어 에피택시 공정은 필수적인 공정이라 하 ... 에 있어 반도체 박막 결정을 형성시키는매우 중요한 공정기술이다.특히 GaAs를 포함하는 일부 화합물 반도체는 다른 방법보다는 VPE법을 사용하여 보다 순수하고결정구조가 완전 ... 반도체 제조 공정■ 대분류회로설계 ⇒ 패턴설계 ⇒ 마스크제작 ⇒ 웨이퍼 프로세스(전공정),기판공정(FEOL) ⇒Si다결정제조 ⇒ Si단결정제조 ⇒ 경면 Si웨이퍼제조 ↗⇒ 배선
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.05
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    PVD의 정의 및 공정
    (Chemical Vapor Deposition)이다. 이 둘의 차이는 증착시키려는 물질이 기판으로 기체상태에서 고체상태로 변태될 때 어떤 과정을 거치느냐이다. 공정상의 뚜렷 ... 을 요구한다. 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다. 좀더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등 ... ) 처리공정고온으로 유지되어 있는 용융염욕중에 처리강재를 침지하여 일정시간 동안 유지한 후 염욕으로부터 꺼내어 냉각시켜서 처리품에 부착되어 있는 염욕제를 제거시키는 것이 기본적인 공정
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.18 | 수정일 2018.06.02
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  • 자료 표지
    화학/물리화학/태양전지
    의재료를 저렴한 공정으로 처리하여 상용화가 가능한 정도의 효율의 전지를 낮은 비용으로 생산하려는 의도로 사용된다.②비정질 실리콘 태양전지:비정질 실리콘 대양전지는 가장 산업 ... 하였고 현재 우주용으로 상용화에 성공하여 흑자를 기록하고 있는 재료이다. GaAs는 최적의 밴드갭 및 높은 광 흡수계수와 가장놓은 이론효율치 등의 장점과 ln, Al등과 쉽게 합금
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.21
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    (전자)광소자의 종류 예비보고서
    ) 순방향 바이어스된 LED의 전계 발광① LED 반도체 물질초기 LED는 반도체 갈륨-비소(GaAs)를 사용했다. 첫 번째 빨간색 가시광 LED는 갈륨-비소 기판 위에 갈륨-비소-인 ... (GaAsP)을 사용하여 만들었다. 갈륨-비소-인 기판을 사용하여 효율이 증대되었으며 보다 밝은 빨간색 LED가 가능하게 되었다. GaAs LED는 가시광이 아닌 적외선을 방출 ... 의 두 가지 형태는 그림과 같이 양극 공통과 음극 공통방식이 있다.적외선 발광 다이오드는 대개 광섬유 같이 사용하여 광 결합과 같은 응용에 이용된다. 응용 분야는 산업 공정과 제어
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.12
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