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스퍼터링 magnetron sputtering 박막 투과도 ITO Scribing cvd 반도체 공정
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"RF플라즈마" 검색결과 341-360 / 633건

  • 자료 표지
    PVD와 CVD의 비교 및 분석
    는 100~1200도 범위로 광범위하게 사용된다.유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이져 또는 자외선의 광에너지가 이용되며, 기판의 가열 ... 에서 금속 화합물로 만들어진 Target에 고전압을 공급하여 주면 Target 주위에 Plasma방전이 발생되고, 방전영역에 존재하고 있는 양이온들이 전기적인 힘에 의해 ... 의 제조에 있어서 활동영역이 크게 확장되었다.-CVD공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛, 에너지 등에 의하여 열분해
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15
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  • 자료 표지
    플라즈마
    적 특성을 이용하면 전압을 상승시키지 않고 높은 밀도의 플라즈마를 생성시킬 수 있다.■ DC에서의 플라즈마 / RF에서의 플라즈마DC를 사용할 때 Cathode가 전기를 통하지 못하 ... 플라즈마로 크게 구별할 수 있다. 이중 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etch) 및 증착 (PECVD ... ■ 플라즈마의 정의◎ 이온화한 기체◎ 물질의 제 4 상태◎ 번개, 아크, 네온사인, 태양, 오로라 등◎ Electrons, Electrically charged ions
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.03.24
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  • 자료 표지
    분말의 합성법 (영어 논문 , 해석본 포함)
    in RF thermal plasma reactor Synthesis of silica from TES (tetraethl-silicate) and (ii) Synthesis of ... of LaB6 synthesis are listed in table 1 where Espec stands for the energy of RF thermal plasma s ... prepared by combustion of TEOS in an RF thermal plasma reactor. The lower feed rate, the lower c
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    | 리포트 | 22페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.01.13
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  • 자료 표지
    분석기기 소개 및 작동
    가 반응기 내부에 형성되는 것을 이용하여발생시키는 고밀도 플라즈마이다.- 유전체 반응기 외부에 코일을 감는다.- 코일에 전하는 전기장 변화 (RF)- 내부에 유도자장 및 2차 유도전류 ... 교수인턴기간일자근무부서근무시간9 ~18확인인턴활동내용< ICP (유도결합 플라즈마) >- 전처리 : 샘플물질에 불순물이 있거나 고체, 분말 샘플일 경우 산과마이크로 wave 처리 ... < ICP (유도결합 플라즈마) >- 원리 : 주로 석영 등의 유전체 반응기 외부에 코일을 감아전기장을 변화시키면 코일의 내부에 유도 자장이 발생하게 되고,그에 따른 2차 유도전류
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    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.09.12
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  • 자료 표지
    ITO 증착에 관한 이론보고서
    -Emitting Laser, VCSEL)ㅂ) 확대 반사경(레이저)4) Sputtering 공정RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높은 에 너지를 갖고 있 ... 가 존재- Target을 그 위에 올려두면 플라즈마 상태의 Ar+가 음극을 때려 ITO가 증착되도록 한다.- 안쪽에 Roll이 존재해 감기면서 증착한다.ㄴ) Front-Door
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.12.22
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  • 자료 표지
    연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)
    induction heating - PECVD (Plasma Enhanced CVD) : rf(13.56MHz) or microwave(2.45GHz) - PCVD (Photo ... 가 plasma를 통과하면서 ion화 되어 Sputter와 같이 높은 energy 를 가지며 코팅되기 때문에 박막의 접착력도좋다. 기판의 온도가 낮은 저온 process이므로 생산 ... Pressure CVD) : 수십 mTorr~ 수십 Torr (3) 활성화 에너지 공급방법에 의한 분류 - Thermal CVD : resistance heating or rf
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    | 리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17
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  • 자료 표지
    ICP결과레포트
    ?제작사 : Leeman Labs(미국)?구성 및 성능 : 1. RF frequency : 40.68MHz2. RF Output : 2000watts3. Diffraction ... 분체, 냉각장치, RF generatior(고주파유도장치), 환풍기, PC본체 순으로 전원을 킨다.③ 여기원(RF power)의 전원 스위치를 켜고 아르곤(Ar) 가스를 주입 ... 하면서 유도코일에 방전시켜 플라즈마를 점등 한다.④ 테슬라코일에 방전시켜 플라즈마를 안정화 시킨다.⑤ ICP 프로그램의 DB에서 원소 선택한다. (Ca, Mg)⑥ standard c
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.23
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  • 자료 표지
    [반도체A+자료]RIE(Reactive Ion Etching)에 관한 모든것
    RIE (Reactive Ion Etching)Etching의 정의, 방법 Dry etching의 개요, 분류 Plasma etching, Ion beam milling ... 시킴으로써 식각하는 방법RIECBrF3Si3N4RIE, PE RIECF4 C2F6SiO2RIE RIE, PECl2/Ar CF4Si식각장치사용가스식각물질Dry etcher의 분류플라즈마 식각 ... millingPlasma etching물리적요소화학적요소플라즈마 식각반응식 CF4 C + 4F4* SiO2 + 4F4 SiF4 + O2 F* : F radical플라즈마SiO2F*CF4
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.29
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  • 자료 표지
    ITO Scribing and Cleaning
    hamber내 진공을 2?3×10-1 torr로 유지하여 RF generator에 의해 plasma를 발생시키고 이 때 발생한 plasma는 ITO 표면을 식각하여 표면특성을 개선 ... - 주로에서 발생하는 재오염과 폐세정액 처리 문제가 발생하지 않음- 대표적인 공정이 플라즈마 세정 공정ITO의 Coating이 표면 균일도나 유기층과의 접촉특성이 소자의 발광 특성 ... )플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 ITO 표면을 산화하는 방법등 대략 3종류가 있다.기판의 상태에 따라 위의 3가지 방법 중 한 가지를 선택하게 되는데 어떤 방식을 이용
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
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  • 자료 표지
    LCD 제작 공정
    하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 RF(Radio Frequency) power를 이용하여 주입된 gas를 Plasma 상태로 분해하여 기판위에 증착하는 공정이다. 증착에 필요 ... Reference 1Sputtering 공정 (증착공정) - 금속재료의 deposition Sputtering은 RF power나 DC power에 의해 형성된 plasma 내의 높 ... (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 반도체나 절연막의 deposition 진공을 이루는 Chamber 내부에 증착에 필요한 gas를 주입
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    | 리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.03
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  • 판매자 표지 자료 표지
    Dry etching(건식 식각) - 대본
    으나 anisotropy가 좋지 않다.3. RIE : RF 전원에 의해 플라즈마가 생성됨(자유전자가 질량이 낮으므로 더 많이 움직이고 그러므로 더 많이 와이퍼에 부딪혀서 흡수된다.(전자 ... < Dry etching >1. 플라즈마 : 기체 상태의 물질에 계속 열을 가하여 온도를 올려주면, 이온핵과 자유전자로 이루어진 입자들의 집합체가 만들어진다. 물질의 세 가지 ... 형태인 고체, 액체, 기체와 더불어 '제4의 물질상태'로 불리며, 이러한 상태의 물질을 플라즈마라고 한다.-2. 플라즈마 에칭: 화학반응만으로 한다. selectivity가 좋
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    | 리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17
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  • 자료 표지
    진공증착 (Sputtering)_pre
    은 부전압을 걸어준다. 이온이 웨이퍼 면에서 생겨 성장막에서 나온 원자를 제거한다. 금속막의 스퍼터링에는 DC 바이어스를 건다.RF 바이어스는 노출된 웨이퍼를 식각하고 세척한다는 또 ... 모든 전자가 이온화된 플라즈마 방전에 기여하는 것은 아니다. 낭비된 전자는 반응실 내에서 방사를 일으키거나 타겟을 가열한다. 마그네트론 스퍼터링 시스템은 타겟의 뒤, 때로는 옆 ... 스퍼터 시스템보다 10배 가량 높아 더 빨리, 더 낮은 압력에서 막이 증착된다. 또한 저압으로 인해 깨끗한 막이 얻어진다.4. 플라즈마플라즈마란 ‘partially ionized g
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    | 리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10
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  • 자료 표지
    박막제조기술
    : Chemical Vapor DepositionThermal evaporationDC or RF sputteringPulsed Laser DepostionIon Beam s ... putterDC RF Magnetron sputterIon beam sputterSputter vs. evaporationEVAPORATIONSPUTTERINGlow energy ... filmlow vacuum, plasma path many collisions less line of sight deposition gas in filmlarger grain s
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25
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  • 자료 표지
    나노소재분석기기
    석에 가장 적합한 분석법이다. ◎ICP(Inductively Coupled Plasma)ICP(Inductively Coupled Plasma)는 RF(Radio
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.06.23
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  • 자료 표지
    플라즈마란
    구조의 전극 배치를 통해 안정적이고 풍부한 라디칼을 형성할 수 있는 상압 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.플라즈마(Plasma)란 이온(ion)이나 전자(electron ... ), 라디칼(radical) 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 의미하는데, 이러한 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF electromagnetic ... 1.플라즈마플라즈마는 이온화된 기체를 지칭하며, 기체가 수만도 이상의 고온이 되면서 만들어지기 시작하고, 보통의 기체와는 매우 다른 독톡한 성질을 갖기 때문에 물질의 제 4
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    | 리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.09
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  • 자료 표지
    이온 플레이팅
    은 플라즈마 PVD(Plasma assisted PVD, 이하 PAPVD)의 분류에 속하지 않는다.이온 플레이팅은 증발에서 얻을 수 있는 빠른 증착 속도와 스퍼터링에서 얻어지는 치밀 ... : the potential drop across the cathode sheath (Vp-Vc)* Rf : Vp는 anode의 면적과 anode에 걸린 전압에 관련된 값.플라즈마 ... (Sputtering)으로 대별할 수 있다. 증발은 도금할 물질을 기화하는데 있어서 열에너지를 이용하는 방법인 반면, 스퍼터링은 플라즈마를 형성한 다른 기체의 운동에너지를 이용해서 도금
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29
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  • 자료 표지
    때려내기에 의한 박막증착
    DC와 RF sputtering 법으로 나뉘는데, 우리는 이번 실험에서 아래 그림과 같은 DC sputtering 법을 사용하여 박막을 증착시켰다.그림 SEQ 그림 ... ubstrate temperature, plasma parameters/plasma-surface interactions 와 같은 것이 있는데, 이번 실험에서 증착이 고르게 되지 않
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.01.31
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  • 자료 표지
    화학/유기화학/OLED
    습니다.Plasma TreatmentO2, Ar, Gas 등 불활성 기체에 RF Power를 인가시켜 생성된 Plasma 로 기판을 표면을 화학적, 물리적 반응에 의해 처리한다. ITO ... PANEL▣ CRT (Cathode Ray Tube)대면적화에 따른 큰 체적, 중량, 동작 전압이 큼▣ PDP (Plasma Display Panel)CRT의 원리, 대 화면에 적합
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    | 리포트 | 31페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.21
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  • 자료 표지
    CVD Chemical Vapor Deposition
    (Low PressureCVD – LPCVD) 플라즈마 CVD(Plasma Enhanced CVD – PECVDorPACVD) DC PECVD RF PECVD Microwave ... -저압유기금속CVD플라즈마 CVD-Plasma Enhanced CVD DC PE CVD RF PE CVD생성막에 따른 사용되는 CVDMoCl5, H2 (SiH4*) MoF6, H2 ... (or Si)열 CVDMo (MoSix*)WF6Plasma CVDWF6, H2(or Si) WCl6, H2 (SiH4*) W(CO)6열 CVDW (WSix*)Al(CH3)3 AlCl3
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    | 리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
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    MOS소자
    , temperature, time(3) Deposition1) 화학적 기상 증착법(CVD): 기상의 소스를 열, 플라즈마, 빛 등의 에너지를 이용하여 기판 위에서분해, 흡착, 반응시킴으로써 박막 ... 을 증착하는 방법.? 에너지에 따라 : thermal CVD, plasma enhanced CVD, photo CVD,laser CVD? 압력에 따라 : APCVD, LPCVD ... , UHV다.음극과 양극 사이에 plasma가 형성되고 Ar+가 음극의 target 에충돌하여 target의 원자를 나오게 한다. 이때 target 원자는 양극의시편에 증착이 된다
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.04 | 수정일 2016.04.25
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