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스퍼터링 magnetron sputtering 박막 투과도 ITO Scribing cvd 반도체 공정
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"RF플라즈마" 검색결과 421-440 / 633건

  • 자료 표지
    화학기상증착(cvd)
    도 증가o 웨이퍼 간격을 좁게하여 (3~6mm) 동일 공정에 많은 양의 박막 형성o 단점 (낮은 증착률 ; 높은 동작 온도)3) 플라즈마 보강 기상 증착 (PECVD : Plasma ... 2, Si3N4 로 시작해서 다양한 재료로 확대 되고 있다.외부와 차단된 반응실 안에 기판을 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛, 또는 임의의 에너지에 의하여 열분해 ... 를 이용해 WSi층을 만드는데 사용되기도 한다. 개선된 플라즈마 혹은 RECVD라고 불리우는 CVD의 변형은 필름의 침전물과 화학적 반응을 얻는데 요구되는 온도로 낮추기 위해 가스
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28
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    신소재공학 (spin-coating,ALD,CVD)
    한 온도 범위 내에서 일어나며 반응로(Chamber)에 인입된 가스를 분해하는 데는 열, RF 전력에 의한 플라즈마 에너지, 레이저 또는 자외선의 광 에너지가 이용되며 기판의 가열
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20
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    기기분석 ICP측정
    =1567&pt=T&pts=1567ICP-OES (광학방출 분광법) 은 ICP 원 즉, 플라즈마 안으로 들어온 시료 내의 원소들에 의해 방출되는 빛을 측정한다. 측정된 방출세기 ... -OES 형태는 가장 높은 직선 범위에서 얻어지는 [그림1] 에서 보듯이 플라즈마를 횡축에서 보는 것이 그 하나이다. 또 다른 하나는 [그림2] 처럼 시료의 방출선을 토치의 중심을 통해 ... 를 제공한다.[그림1] 플라즈마의 수직 슬릿 이미지로 [그림2] 플라즈마의 축방향 슬릿 이미지로관측되는 radial 플라즈마 관측되는 radial 플라즈마대부분의 PerkinElmer
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    | 리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.16
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    반도체공정 (Deposition & Evaluation)
    는 전형적인 RF 진동수 범위인데 특히 13.56 MHz이 많이 사용된다. 그 이유는 이 진동수가 국제적으로 plasma 공정에 허용되었기 때문이다. Plasma의 발생 및 ... plate DC diode sputtering system② RF sputteringRF sputtering 장치는 절연체의 박막을 증착시키기 위하여 개발되었다. 5∼30 MHz ... oscillating power source를 사용하므로 부도체 재료를 sputtering할 수 있고 낮은 압력에서도 사용 가능하다는 장점이 있다.Figure 1.11 RF s
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    | 리포트 | 39페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27
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    제3장 박막 트랜지스터(TFT)
    ) 조를 사용플라즈마 화학기상성장법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition : PECVD) 을 이용 - n + a-Si, SiNx 를 동시에 적층 ... 을 크게 하여야 함 성막 속도 유지위해 투입하는 RF 전력도 플라즈마 체적에 비례하여 커지게 되면 이상 방전의 가능성도 커지게 됨 . 막의 균일성과 이상 방전의 발생을 줄이는 방법 ... ), 반도체와 절연체는 플라즈마를 이용하는 건식식각 (dry etching) 을 이용 . PR 박리 (strip) 남은 PR 을 용제를 이용하여 제거 . 검사 공정 완료 후 이상
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    | 리포트 | 43페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.10.22
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    탄소나노튜브
    vaporization), 플라즈마화학기상증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor ... 로 사용하면 균일한 SWNT를 얻을 수 있다. 이렇게 합성된 튜브들은 rope의 형태로 나타난다.3. 플라즈마 화학기상 증착법 (Plasma Enhanced Chemical ... 은 직류(DC) 또는 고주파의 두 가지로 구분된다. 여기서 사용되는 고주파는 RF (13.56 MHz)와 Microwave (2.47 GHz)를 대표적으로 사용하고 있다. 플라즈마
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.14
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  • 자료 표지
    디스플레이 발전방향(OLED)
    ) Plasma TreatmentO2, Ar, Gas 등 불활성 기체에 RF Power를 인가시켜 생성된 Plasma 로 기판을 표면을 화학적, 물리적 반응에 의해 처리한다. ITO
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.11
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    [박막공학]여러가지 박막 제조 공정
    원자가 기판에 장착RF SputteringRF Sputter의 구조RF 동력 입력매칭 네트워크RF 발생기아르곤 가스 주입구진공가열기전극웨이퍼아르곤 플라즈마전극/타겟Sputtering ... )에 사용PECVD 의 특징가열기전극웨이퍼전극RF 동력 입력가스 배출구, 펌프가스 주입구 (SiH4, O2)플라즈마PECVD의 개략도대기압 상태에서 화학적 증기 증착 균일한 증착 ... (화학 기상 증착 방법) * 열 CVD 상압 CVD 감압 CVD 유기금속CVD * 광 CVD * 플라즈마 CVD 직류 플라즈마 CVD 고주파 플라즈마 CVD 마이크로파 플라즈마 CVD
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    | 리포트 | 30페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.11.16
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  • 자료 표지
    pvd,cvd
    로 되는 단결정 Si막, 층간 절연막, 비활성으로 사용되는 산화막, PSG막의 실용화는 1970년대 후반 IC 양산화 시대에서 감압CVD를 실용화와 연결되었다.플라즈마 CVD는 RF ... RF글로우 방전하에서의 CVD법은 1965년경에 시작되었지만 1974년에 평행평판형 전극의 장치가 개발되고 1976년에 미국 AMT사에서 대형장치로 상품화 되었더, 플라즈마 CVD ... 적인 방법보다 최근 전기방전 플라즈마 활성화에 의해 보다 낮은 기판온도에서 증착 될 수 있어 예로, 실란(silane)으로부터 10~35m/0 수소가 고체 도금층에 남아 결합된 채
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.09
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  • 자료 표지
    탄소나노튜브의 제조방법
    플라즈마 화학기상증착법 (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)플라즈마 CVD는 열 CVD에 비해서 저온에서 탄소나노튜브를 합성시킬 수 있 ... 는 장점. 일반적으로 플라즈마 CVD에서 방전을 일으키는 전원은 직류(DC) 또는 고주파 전원의 두 가지로 구분. 고주파 전원으로는 RF(13.56 MHz)와 Microwave(2 ... /kor/k_pds_cnt.php ▷일진나노텍 http://www.iljinnanotech.co.kr/kr/home.html목 차전기방전법 레이저 증착법 플라즈마 화학기상증착법 열화학
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    | 리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.10.20
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  • 자료 표지
    [박막공학]박막형성의 원리
    negative self-bias with RF discharge cycle and(b) plasma potential, cathode voltage and self-bias.4 ... 기 때문에 양의 전위를 갖게 된다. 이때 도체 주위에 전압 강하가 주로 생기는 영역을 sheath 라하고, 도체 면 멀리서 플라즈마 이온에 의해서 형성된 전위를 플라즈마 포텐셜 ... (plasma potential)이라 한다. 이를 좀더 자세히 설명하면 다음과 같다.전자 및 이온에 의한 전류 밀도는 다음과 같이 주어진다.(25)(26)여기서 v 는 평균 입자 속도
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    | 리포트 | 30페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.27 | 수정일 2025.01.21
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  • 자료 표지
    포토리소그래피(photolithogragpy)
    시킨다.플라즈마 에칭은 진공상태의 RF 여기장치에 의해 발생시킨 가스 상태의 플라즈마 속에 웨이퍼를 담근다. 플라즈마는 불소와 염소 이온들을 함유하고 있는데 이것이 실리콘 산화막을 에칭 ... 수 있으나 선택도는 떨어지는 편이다. 에칭할 때 웨이퍼를 보호하기 위한 장벽물질로 금속을 사용한다.반응이온 에칭은 플라즈마와 스퍼터 에칭 과정의 복합이다. 반응 가스들을 이온화하기 ... 위해 플라즈마 시스템을 사용하고 표면에 충격을 가하기 위해 이온들을 가속화시킨다. 에칭은 화학적 반응과 에칭 원소들의 운동랼 전달에 의해 이루어진다.8. remove
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    | 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.29
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  • 자료 표지
    [공학]FCCL
    는 12 sccm, Ar은 30sccm을 주입한다.가스를 주입하면 진공도가 다시 상승한다.이 상태에서 RF power 20w로 전기를 걸어준다. 플라즈마가 형성되면, 10분 정도 ... 해서 ⇒ 진공 후 3번O2 12sccm과 6번Ar30sccm을 넣어 준다. ⇒ RF 20w로 해준다. ⇒ 기판이 음극 위쪽이 양극으로 O2, Ar이 기판을 때려 주게 된다.② 진공 ... 속의 이종금속 사이의 부착력을 증대시켜 준다. 실습 변수가 전처리 시 압력이므로, 시편마다 다른 전처리 조건을 적용한다.-상압 플라즈마 전처리 (대기)준비한 polymer 시편
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.01.18
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  • 자료 표지
    ITO Glass에 대한 소개와 쓰임
    RF전위를 이용하여 스퍼터링할 수 있다. 또한 이 방법은 코팅 전 피처리물을 양극으로 활용하여 글로우 방전을 시키므로 스퍼터링에 의해 표면의 산화물 및 불순물을 제거가 가능 ... 하고 표면의 활성화로 코팅층의 접착성이 우수하다.원리 및 과정● 이온 스퍼터링은 초기에는 진공증착과 동일한 10-5~10-7torr 정도의 진공도를 유지하나 플라즈마를 일으킬 수 있 ... 하며, 플라즈마 방전에 대한 내구성 등의 요구조건을 만족시켜야 한다. 현재 이런 조건을 만족하는 물성의 Paste용 Glass Powder는 납을 주성분으로 한 -PbO-B2O3-SiO
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.14
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  • 자료 표지
    [반도체][ppt 자료] 박막 증착 방법
    electron beam guns) AC나 DC의 낮은 전류에서 발광하는 열원(주로 텅스텐)에 의해 전자빔 발생. 플라즈마 전자빔 건(plasma electron beam guns ... 함. 플라즈마와 글로우 방전 플라즈마: 양전하(gas+)와 음전하(e-)가 같은 수로 이온화된 가스 플라즈마를 생성, 유지하는 것은 글로우 방전임. 글로우 방전은 DC 또는 AC(RF ... : Sputtering 증착법가열기전극웨이퍼알곤플라즈마전극/타겟알곤 가스 주입구진공RF 발생기RF 동력 입력매칭 네트워크두 전극의 면적이 같지 않을 때, 면적이 작은 전극에서 전류
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    | 리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.10.24
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  • 자료 표지
    반도체 진공 장비(DRY ETCHER 장비)
    ?Pendulum valve플라즈마 식각 장치에서 챔버 내부의 가스들을 균일하고 대칭적으로 배출시키기 위한 배기장치에 관한 것으로서, 바닥에 배기홀을 가지는 챔버와, 챔버 하부 ... . 주로, 미지시료의 원소를 정확히 알기 위해서 그리고 농도를 결정하기 위한 도구로 폭넓게 사용되어진다. 하나의 분자에 대해 분석이 가능하다.?RF Power Supply ... : HNLoad impedence : 50 ohmsInterface : RS 232Power Requirements : 208V at 60Hz and 3Phase?RF Power Supply
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.11.17
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  • 자료 표지
    필름의 두께와 annealing 온도가 SiNx의 광학적특성(optical property)에 미치는 영향
    . IntroductionFIG. Schematic of low-frequency inductively coupled plasma assisted rf magnetron sputtering ... Visible photoluminescence from plasma-synthesized SiO2-buffered SiNx films: :Effect of film
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.02
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    MOCVD의 구성 및 원리
    ~ Torr 반응기 열원에 따른 분류 Thermal CVD PECVD (Plasma Enhanced CVD) Laser CVD Photo CVD 반응기 벽의 온도에 따른 분류 Hot ... : AIX 200/4 RF2. Gas PanelGas purifiersValvesPressure Gauges3. Reactor Assembly4. Flow Frange
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    | 리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24
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    태양전지 역사 및 종류, 기술현황, 사례
    의 여기 방법에 따라 열 CVD( 상압 , 감압 CVD), 플라즈마 CVD, 광 CVD 등으로 분류된다 . 22화학기상 증착 (CVD - Chemical Vapor Deposition ... ) 열 CVD 법 반응 압력에 따라 상압과 감압 CVD 가 있다 상압 CVD : RF 코일에 의에 약 300~900 ℃ 정도로 가열된 서셉터 (susceptor) 위에 실리콘 ... 된 기판 위에 반응가스를 보내 기판 위에서의 화학반응을 이용하여 박막을 형성시키는 방법이다 . 23화학기상 증착 (CVD - Chemical Vapor Deposition) 플라즈마
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    | 리포트 | 33페이지 | 4,200원 | 등록일 2009.10.06
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    PACVD
    PAPVD (Ion-plating)1. 개요Plasma-assisted physical vapour deposition (PAPVD) 은 박막의 성질을 향상시키기 위하여 glow ... 되는 유속에 의해 지배되는 증착법 이라고 풀이하였다. 이온플레이팅도 스퍼터링과 비슷하게 플라즈마를 사용한 증착공정이지만 스퍼터링과는 달리 보통 증착하고자 하는 물질을 증발법으로 기상 ... 할 수 있다.5) 부도체를 포함한 다양한 범위의 기판재료와 박막재료가 사용 가능하다. (보통 RF bias를 사용함)6) 다양한 증발원을 사용하기 때문에 증착율를 제어할 수 있
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
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