LED 개요 및 제조 공정

소개글

LED 개요, 이론에서부터 Epi/Fab/PKG 공정 요약과 현 기술 Issue에 대한 자료

목차

Introduction
LED 개요 및 이론
LED Epi 성장 기술
LED 소자공정 기술
LED PKG 기술

본문내용

화합물 반도체 산업 분야
LED 제조 Process
기판 (웨이퍼)
Sapphire, GaN, SiC, Si, GaAs
에피웨이퍼
(In,Al)GaN (청, 녹, UV), InAlGaP(적, 황), AlGaAs (적, IR)
LED 칩
RGBOY 형광체
백색 LED
패키징
LED 모듈/시스템
자동차용램프, BLU, 간접조명…
패키징
에피성장 (Epitaxy)
칩 공정(fabrication)
RGB-UV LED
GaN/sapphire
GaN/SiC
광학기구, 시스템제어기
LED Chip 제조
PKG
SYSTEM
LED History
LED
일반 조명
- 실내용/ 실외용
전광판
- Advertisement
- Sports Stadium
- VMS
신호등
전자기기
저전력,소형화
색재현성 우수
빠른 응답속도
에너지 절감
친환경 광원
자동차
- Interior (계기판,실내조명)
- Exterior (Stop/Head Lamp)
Display
- LCD Monitor
- LCD TV
- HHP/PDA
디자인 Flexibility
긴수명, EU환경규제
LED 응용 분야
LED 개요 및 이론
LED 란?
반도체 PN 접합 다이오드로 Ⅲ족과 Ⅴ족의
원소가 화합하여 만들어짐.
(GaAs, GaAsP, GaN)
순방향 전압 시 n층의 전자와 p층의 정공이
결합하고 에너지 Gap에 해당하는 만큼의
전기에너지가 빛 에너지로 방출되는 원리
저전력 소모 , 반영구적 수명, 친환경 특성
LED 재료 : InGaN (UV-Blue-Green), AlGaInP (Orange-Red)
□ InGaN : UV~Blue~Green
- Direct bandgap emission over entire visible spectrum
- No lattice-mismatched substrate (dislocations)
□ (AlxGa1-x)0.5In0.5P : Orange ~ Red

참고 자료

없음