"Silicon photonics"의 검색결과 입니다.

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Chemical Vapor Depos hetero junction 그래파이트 양자컴퓨터 리소그래피란 태양전지 종류 투명전극 광소자의 특성 태양광발전실험

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"Silicon photonics" 검색결과 181-200 / 210건

PL(Photo luminescence)

(electroluminescence),음극선,발광(cathodoluminescence)등으로 구분한다. Photoluminescence는 photon, 빛 (특히 가시광선)을 이용하여 에너지를 방출 ... )에서 채워지지 않은level들을 만들 것이다. 그림 1에 보여진 에너지 띠 이론은 황과 실리콘 발광물질의 오랜 기간동안 발광을 설명하기 위해서 처음 Riehl 과 Schon에 의해서

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.08.25

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[반도체공정] 화학기상증착

. Hot wall CVD는 반응기 내의 온도분포가 균일해지도록 해야하는 경우의 CVD 공정에 주로 활용이 되며 많은 수의 실리콘기판을 동시에 처리하면서도 높은 기판-기판 공정균일도 ... 에 따라서 thermal CVD, plasma CVD, photo CVD로 분류하기도 한다. 플라즈마(plasma)나 광자(photon)를 이용한 CVD는 반응물 기체를 플라즈마나 혹은 ... 의 순도위가 매우 넓어 다양한 특성의 박막을 쉽게 얻을 수 있을 뿐만 아니라, PVD법에 비해 훨씬 좋은 step coverage를 제공한다는 점 등이다.실리콘 IC의 제조에 있어 주로

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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[레이저학]치과용 탄산가스 레이저 소개

theoretical concept of light traveling in waves of particles (photons) and of “Stimulated Emission ... W(super pulse)인 탄산가스 레이저CO2 tube 내장냉각시스템 펌프에 의한 증류수 순환기류(air-flow)시스템 공기 압축기를 이용실리콘 튜브로 전달..PAGE:22

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| 리포트 | 29페이지 | 5,000원 | 등록일 2006.02.01

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[태양에너지] 태양전지

계 태양전지 ( silicon solar cell )단결정 실리콘 태양전지 ( single - crystalline silicon solar cell )다결정 실리콘 태양전지 ... ( poly - crystalline silicon solar cell )비정질 실리콘 태양전지 ( amorphous silicon solar cell )화합물 반도체 태양전지 ( c ... 에는 무한하고 완전 무공해인 전기에너지가있다고 하는 것이다.햇빛에는 포톤(Photon)이라고 하는 인자가 있는데, 이것이 반도체(반도체에는 1개의 원자와 3∼5개의 전자가 있음)안

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| 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.07

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[공학]빛의성질에 대한 조사

). 광자(photons)는 CCD안에 있는 전자를 실리콘 밖으로 쳐낸다(입자성). 그리하여 이미지를 만들어내기 위해 실리콘으로부터 해방된 전자의 숫자와 위치를 해석하는 것이 디지털

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.04.08

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[레포트] PDP & 유기 EL

목차PDP & 유기 EL⇒구조⇒작동원리⇒제조 공정⇒시장현황⇒미래예측 및 느낌PDPPDP란 무엇인가: 기체에 전기적 에너지를 가해 만들어진 플라즈마 내에 존재하는 광자(Photon ... )으로 구분한다.한국은 2004년 현재 수동형 OLED 시장 점유율 세계 1위를 달성하였으며 삼성에서는 OLED를 초대형화할 수 있는 SGS(Super Grain Silicon

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.12

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나노임프린트 리소그래피

터닝이 가능하기 때문에 MEMS나 바이오칩 제작과 고용량 컴팩트디스크(CD) 제작에도 사용가능하다[8-10]. 그리고 3D 광소자, 광결정(photonic crystal), 와이어 ... 스탬프 제작과정 [19](a) 한 번의 복제과정을 거친 열경화성 폴리머 복제스탬프(b) 두 번의 복제과정을 거친 열경화성 폴리머 복제스탬프복제스탬프를 제작하게 된다. 기존의 실리콘

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| 리포트 | 118페이지 | 15,000원 | 등록일 2007.01.27 | 수정일 2014.07.16

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[전자기학] photocell

구리광전지·태양전지가 있으며 반도체의 p-n접합을 사용한 것에는 실리콘광전지가 있다. 조도계에 사용된다. 인공위성용 전원·무인등대·무인중계소의 전원에 쓰인다.그림 광전지의 구조 ... pn-경계면이라고 한다. 이 규소판에 빛을 받으면 빛의 에너지를 전달하는 광자(photon)가 규소판에 부딪치면, 그 에너지의 일부가 규소를 붙들어주는 결합 전자에게 전달되어 이

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| 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.13

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[나노] 나노기술

나노소재ㆍ메모리소자 (MRAM포함) ㆍ시스템 LSI 소자 ㆍSoC소자 ㆍ광전자소자 --(수광,발광, 모듈소자, photonics) ㆍ디스플레이 ㆍ정보통신관련제품ㅇ 화합물반도체 ... ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs, GaN, AlN) ㆍII-VI(In-P)족 소자 ㆍSiGe, SiC 소자 ㅇ 기타 비실리콘계 ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자 ... ㆍ양자ㆍ단전자 소자 ㆍ스핀소자/자성반도체 ㆍCNT소자비실리콘 계ㆍ메모리소자 ㆍ시스템 LSI 소자 ㆍSoC 소자 ㆍ정보통신관련제품ㆍCMOS 소자 ㆍ양자ㆍ단전자 소자 ㆍ터널링 소자

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| 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.04.23

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[재료공학]AAO (Anodic Aluminum Oxide)에 대하여

이 많이의 화합물 반도체 연구수준을 국제적인 수준으로 끌어올릴 수 있는 기대효과가 예상된다.실리콘 나노선 FET [Nano lett. 2003, 3, 149](2)metal ... 할 수 있다.화학센서 [Science 2001, 293, 1289]●etching mask Si nano pillar : photonic crystal1 μm 크기의 화합물의 박막

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| 리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.02.26

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[공업재료] 나노기술

소자--(수광,발광, 모듈소자, photonics)ㆍ디스플레이ㆍ정보통신관련제품ㅇ 화합물반도체ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs, GaN, AlN)ㆍII-VI(In-P)족 소자 ... ㆍSiGe, SiC 소자ㅇ 기타 비실리콘계ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ스핀소자/자성반도체 ㆍCNT소자비실리콘 계ㆍ메모리소자 ㆍ시스템 LSI 소자 ... ㆍSoC 소자 ㆍ정보통신관련제품ㆍCMOS 소자 ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자실리콘 계나노 소자응용 분야핵심기술 및 소자구 분5. 나노기술분류DAEGU UNIVERSITY

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.11.30

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[에너지절약] 태양전지에 대하여

) 태양전지, 다결정실리콘(multicrystalline silicon) 태양전지, 비정질실리콘(amorphous silicon) 태양전지의 세 가지로 분류한다. 이들 중 ... 다. 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는 데 필요한 증기를 발생시키는 장치는 태양열 분야(solar thermal electricity)이고, 태양빛(photons)을 반도체의 성질 ... 에서 가격은 단결정실리콘이 가장 비싸고, 다결정, 비정질순으로 가격이 저렴한데 현재 이들이 국내외의 태양전지 시장을 석권하고 있다.박막형 태양전지의 분류(1) 비정질 실리콘 태양전지 (a

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| 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2003.05.04

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[기술이론] 나노,바이오,정보통신 기술

다.구 분핵심기술 및 소자응용 분야나노 소자실리콘 계ㆍCMOS 소자ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ터널링 소자ㆍ메모리소자ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC 소자ㆍ정보통신관련제품비실리콘 계ㅇ 화합물반도체 ... ㆍIII-V족 소자(GaAs, AlGaAs, GaN,--AlN)ㆍII-VI(In-P)족 소자ㆍSiGe, SiC 소자ㅇ 기타 비실리콘계ㆍSiGe,SiC,Diamond,ZnO 소자 ... ㆍ양자ㆍ단전자 소자ㆍ스핀소자/자성반도체ㆍCNT소자ㆍ메모리소자 (MRAM포함)ㆍ시스템 LSI 소자ㆍSoC소자ㆍ광전자소자--(수광,발광, 모듈소자, photonics)ㆍ디스플레이ㆍ정보통신

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.09.20

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[행정학과] 차세대 반도체

- 1958년 : ‘TI 실리콘 IC 개발’- 1969년 : ‘VCR 보급 시작’- 1970년 : ‘Intel 1K DRAM 개발’- 1973년 : 당시 한국반도체라는 부도직전의 전자 ... 용 컴퓨터’- 1980년 : ‘CD 개발’- 1981년 : ‘IBM 호환 PC’- 1983년 : 이때까지 한국 반도체의 공장에서 소형 Wafer(칩을 만드는 기본 실리콘 판 ... 개발o 차세대 MEMS) 기술 개발5500500325375합계14개 과제-5,825# 그 외 : 펨토秒 레이저 미세 가공기술 개발, 광 결정, Photonic Chip 개발

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| 리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.03

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[공학실험] 양극희생실험

, 절연체, 금속 등 여러종류의 시료에 대하여 분석이 가능하기 때문에, 반도체공정 및 기술 개발등을 비롯한 여러 분야에 널리 이용되고 있다.photons이 물질에 입사될 때, 원자 ... 한 결과, 같은 원소라도 화학결합상태가 다르면 내각 전자의 결합에너지도 조금씩 변화하는 것을 발견하였다. 예를 들면, 실리콘 2p 전자의 경우, 실리콘 결정 내에 있을 때의 결합

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| 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.02

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[인수합병론] 기술개발을 위한 인수합병 및 전략적 제휴

공학, 심장학, 화학, 컴퓨터 공학, 전기 엔지니어링, 이미지 처리, 제조 엔지니어링, 재료 공학, 수학, 의학 정보 과학, 광전자 공학, 포토닉스(photonics), 의약, 생리 ... Agilent 88000 ATS-600 Array Test System provides a solution for the large and growing amorphous silicon

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| 리포트 | 41페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.03.22

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[지능기계] 다이오드

다. 트랜지스터도 반도체이지만, 다이오드는 특히 이와 같은 한쪽 방향으로만 전류가 흐르도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.반도체의 재료는 실리콘(규소)이 많지만, 그 외에 게르마늄, 셀렌 등 ... 되어 있다. 그리고 통상적으로 사용하는 경우 다이오드 자체의 저항성분에 의해 강하하는 전압은 0.6∼1V(VF) 정도이다(실리콘 다이오드의 경우, 대략 0.6V).여러 개의 다이오드 ... 부분의 높이가 10mm이다.6. 빛의 특성양자 이론으로부터 빛은 광자(Photon)라고 부르는 에너지의 불연속적인 다발로 알려졌다. 광자가 갖는 에너지는 빛의 주파수에 따라 다르

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| 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.16

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[화공, 물리] 유기EL원리

있는 장점이 있다.이 때 사용되는 트랜지스터는 일반적으로 출력전류가 큰 단결정 혹은 다결정 실리콘 TFT를 사용하며, 대면적에서 저가형으로 제작하기 위해 주로 LTPS TFT ... (저온 다결정 실리콘 TFT)가 사용된다. 유기 EL 소자는 전류 구동 방식이 유리하기 때문에 기존의 전압구동방식의 LCD와는 다른 구조를 가지게 된다. 전류 구동을 위해서는 2개 ... TPD 와 광전도성 고분자인 poly(9-vinylcarbazole)을 사용하게 되는데 이러한 수송층의 조합을 통해◆양자효율(photons out per charge injected

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.24

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[조명용 LED기술]질화물 반도체를 이용한 차세대 조명용 백색 LED 기술

하고 또한 실리콘 서브마운트에 칩이 연결되어 있으므로 열을 잘 제거해 수 있게 되고, 따라서 저항이 크게 감소되므로 20배 작은 15℃/W가 된다. 그러므로 현재 1W의 입력 전력 ... 의 세기는 낮게 인식된다. 이와 같이 가해준 전기적 에너지당 발광되는 임의의 photons에 대해 visible effect를 고려해 준 것이 조명 효율이다. 조명용 백색 LED의 경우

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| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.29 | 수정일 2025.01.21

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[직접회로] CMOS 공정 과정

로 사용됩니다...PAGE:2321) POLY DEPOSITION : PHOSPHORUS DOPING트랜지스터의 게이트에 해당하는 폴리실리콘 층을 형성하게 됩니다.POLY ... SILICON..PAGE:2422) GATE PHOTOCMOS 트랜지스터의 게이트의 전극을 정의하기 위해 PR이 도포된 후에 마스크를 이용하여 게이트모양을 전사시킨 후에 현상하여 게이트 ... 모양과 같은 PR이 남도록 한 것입니다...PAGE:2523) POLY ETCH : P/R STRIP폴리실리콘 층은 식각에 의해 제거 되고, PR도 제거하게 됩니다. 여기서 이 폴리

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| 리포트 | 44페이지 | 2,000원 | 등록일 2002.12.22

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