나노임프린트 리소그래피

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최초 등록일
2007.01.27
최종 저작일
2006.06
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소개글

나노임프린트 리소그래피에 관심 있으신 분께 도움이 되는 저의 소중한
논문입니다.
나노임프린트 리소그래피에 대한 자세한 내용이 실려있습니다.
전문적인 내용도 있지만, 나노임프린트 리소그래피가 무엇인지,
어떤 원리로 프로세스가 진행되는지 알수있는 논문이 될 것입니다.

목차

Abstract
기호 및 약호 목록
그림 목차
표 목차

제 1 장 서 론

제 2 장 나노임프린트 리소그래피에 대한 고찰
2.1 열 나노임프린트 리소그래피의 원리 및 연구동향
2.1.1 스탬프 제작공정
2.1.2 스탬프 제작기술에 관한 연구동향
2.1.3 폴리머 결함에 관한 연구동향
2.2 UV 나노임프린트 리소그래피의 원리 및 연구동향
2.2.1 UV 나노임프린트 리소그래피의 원리
2.2.2 UV 나노임프린트 리소그래피의 연구동향
2.3 열 나노임프린트와 UV 나노임프린트 리소그래피의 특성에 대한 비교고찰
2.4 폴리머의 점탄성 특성에 대한 고찰

제 3 장 나노임프린트 리소그래피 실험 및 특성
3.1 열 나노임프린트 리소그래피의 실험 및 특성분석
3.1.1 스탬프 제작
3.1.2 열 나노임프린트 리소그래피 공정설계
3.1.2.1 일반적인 열 나노임프린트 리소그래피 공정
3.1.2.2 제안한 온도변화 나노임프린트 리소그래피 공정
3.1.2.3 제안한 압력변화 나노임프린트 리소그래피 공정
3.1.2.4 제안한 온도 및 압력변화 나노임프린트 리소그래피 공정
3.2 UV 나노임프린트 리소그래피의 실험 및 특성분석
3.2.1 스탬프 제작
3.2.2 UV 나노임프린트 리소그래피 공정설계

제 4 장 제안한 나노임프린트 리소그래피에 관한 실험결과 및 고찰
4.1 열 나노임프린트 리소그래피의 실험결과 및 고찰
4.1.1 산화막 형성된 스탬프의 특성분석 및 고찰
4.1.2 공정변수에 따른 패턴변화 고찰
4.1.3 온도변화에 따른 나노임프린트 리소그래피의 특성분석 및 고찰
4.1.4 압력변화에 따른 나노임프린트 리소그래피의 특성분석 및 고찰
4.1.5 온도 및 압력변화를 병합한 나노임프린트 리소그래피의 특성분석 및 고찰
4.2 UV 나노임프린트 리소그래피의 실험결과 및 고찰

6. 결 론

참 고 문 헌

본문내용

반도체 산업은 정보화시대를 이끄는 성장 동력의 중심축을 이루고 있어 국가적으로나 산업적으로 가장 연구가 활발히 이뤄지고 있으며 연구비중 역시 상당히 높게 나타나고 있는 실정이다[1,2]. 현재 국내․외 반도체 산업에서는 컴퓨터의 핵심 부품인 DRAM과 같은 메모리와 CPU를 구성하는 마이크로프로세서를 중심으로 꾸준히 연구개발 되어오고 있다. 그러나 반도체 공정의 제한성에 의해 반도체 개발에 많은 제약을 받고 있고 미래에 대한 성장가능성을 침해받고 있다. 일반적으로 DRAM이나 마이크로프로세서의 발전방향은 단위소자의 크기를 축소하여 칩 내에 내장되어 있는 트랜지스터의 수를 늘리는 것인데, 이와 같은 단위소자의 크기 축소는 반도체 공정의 리소그래피 기술에 의해 제한된다. 현재 산업전반에서 사용되어지고 있는 리소그래피 기술은 포토리소그래피 기술인데, 이 기술은 광원을 이용하여 패턴을 형성시킨다. 지금까지의 가장 최소의 패턴 폭을 형성시킬 수 있는 포토리소그래피 기술은 193nm의 파장을 갖는 ArF(불화아르곤) 엑시머레이저를 광원으로 사용한 기술이고, 이 ArF 엑시머레이저의 사용 시 60nm까지의 최소선폭을 얻을 수 있다[3]. 하지만 더 짧은 파장을 갖는 광원의 물리적인 한계 때문에 반도체 미세화의 한계가 드러나고 있는 상황이다. 그러나 계속적인 칩의 집적도를 높이기 위해서는 더 낮은 최소선폭을 구현해야 한다. 따라서 현재 이를 극복하기 위해 13.4nm의 파장을 갖는 극자외선을 사용하는 극자외선 리소그래피나 포토리소그래피기술에 물과 같은 액체를 렌즈와 실리콘웨이퍼 사이에 유지시켜 빛의 큰 굴절을 유도하여 더 짧은 선폭을 형성시킬 수 있는 이머젼(immersion) 리소그래피 기술이 연구 중에 있다[3].

참고 자료

[1] K.Y. Kim, T.J. Jang, J.K. Sohn, “반도체관련 소재 : 국내 반도체관련 소재산업의 현황과 과제”, KISTI, 2004
[2] S.C. Gil, S.J. Kim, D.B. Na, “차세대 반도체 개발동향”, KISTI, 2004
[3] International Technical Roadmap for Semiconductor, "Annual Report 2005", 2005
[4] S.Y. Chou, P.R. Krauss, W. Zhang, L. Guo, L. Zhuang, "Sub-10 nm imprint lithography and applications", J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 15, pp. 2897-2904, 1997
[5] S.Y. Chou, P.R. Kraussand, P.J. Renstrom, "Nanoimprint lithography", J. Vac. Sci. Technol. B, Vol. 14, pp. 4129-4133, 1996
[6] L.J. Heyderman, H. Schift, C. David, J. Gobrecht and T. Schweizer, "Flow behaviour of thin polymer films used for hot embossing lithography", Microelectron. Eng., Vol. 54, pp. 229-245, 2000
[7] J.H. Jeong, K.D. Kim, Y.S. Sim, H.K. Sohn, E.S. Lee, "A step-and- repeat UV-nanoimprint lithography process using an elementwise patterned stamp", Microelectron. Eng., Vol. 82, 180-188, 2005
[8] H. Becker, U. Heim, "Hot embossing as a method for the fabrication of polymer
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