[논리회로실험] RAM (예비)

소개

전자공학, 논리회로실험 시간에 작성한 보고서입니다. 직접 작성하였으며 A+를 받았습니다.

목차

1. 실험목표
2. 실험 장비 및 부품
3. 실험관련 이론
4. 실험방법

본문내용

1. 실험목표
1) 반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아본다.
2) MSI(TTL) 64-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.
3) RAM(Random Access Memory)의 명칭의 의미를 확인한다.

2. 실험 장비 및 부품
1) 5V 전원
2) 오실로스코프
3) IC : 7400 2개, 7403 1개, 7489 1개
4) LED(4개)
5) 저항 : 680Ω(2개), 5.6㏀(2개)

3. 실험관련 이론
1) RAM 회로의 설계
그림 1에 4x3비트 용량을 갖는 RAM의 내부회로를 나타내었다. RAM의 내부회로는 그림 1 (a)에 나타낸 것과 같이 주소 디코더와 1비트의 정보를 저장할 수 있는 메모리 셀(cell)들, 출력을 위한 OR 게이트 등으로 구성되어 있다. 그림에서 A1, A0는 주소 입력선이며, I2, I1, I0는 데이터 입력선이고, Y2, Y1, Y0는 데이터 출력선이다. 선은 읽기/쓰기 제어선으로 =1일때는 읽기동작이 수행되고, =0일때는 쓰기동작이 수행된다. E(enable) 신호선은 전체적인 메모리 기능을 통제하는 신호선으로, E=1일 경우에 메모리가 정상적으로 동작한다. E=0일 경우에는 읽기와 쓰기 동작이 수행되지 않으며, 출력선에 모두 0이 출력된다.
RAM 회로 내부에 존재하는 디코더는 E=1일 경우 주소선으로부터 주소값을 입력받아 해당되는 번지에 속한 셀들을 선택하는 역할을 수행한다. 예를 들어 주소선에 A1A0=00이 입력되면 디코더의 출력 S0～S3 중 S0만 1이 되고, 따라서 이 S0선에 연결되어 있는 맨 위줄 3개의 셀들(0번지)만이 1을 공급받게 된다. 셀 입장에서 이 1값은 마치 enable 신호가 들어온 것으로 간주되며, 따라서 맨 위줄에 있는 3개의 셀들만이 선택되어 동작하게 된다.

참고자료

· 없음