JFET 공통 드레인, 게이트 증폭기 실험 및 시뮬레이션

소개

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목차

1. 목적
2. 이론
3. JFET 공통 드레인 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과

본문내용

FET (Field Effect Transistor)의 분류
•MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
금속 산화 반도체 전기장 효과 트랜지스터
- 증가형 MOSFET (Enhancement mode MOSFET)
- 공핍형 MOSFET (Depletion mode MOSFET)
•JFET (Juction FET)
MOSFET과 JFET은 각각 n채널, p채널의 두 종류가 있다.

MOSFET의 단자와 구성
•게이트 (Gate) : 소자의 개폐를 결정하는 단자 (베이스 역할)
•소스 (Source) : 에미터 역할
•드레인 (Drain) : 컬렉터 역할
•벌크 or 기판 (Bulk or Substrate) : FET의 몸체 역할

FET란 전계효과트랜지스터(Field effect transistor)를 가르키는 말인데 FET는 일반적인 접합트랜지스터와 외관은 거의 유사하지만 내부구조와 동작원리는 전혀 다른 것입니다. FET는 각종 고급 전자기계와 측정장비, 자동제어회로 등에 이용되고 있습니다.

참고자료

· 없음