컴퓨터구조 4장 주관식 연습문제

소개

컴퓨터구조 4장 주관식 연습문제

목차

1. TTL 집적회로에 대해 간단히 설명하시오.
2. MOS와 CMOS 집적회로의 차이를 설명하시오.
3. 디지털 논리회로를 평가하는 4가지 매개변수에 대해 설명하시오.
4. 집적도에 의한 SSI, MIS, LSI의 각 종류를 간단히 기술하시오
5. RAM의 특성을 설명하고 RAM의 기본회로와 블록도를 작성하시오.
6. 번지비트가 16, 데이터비트가 20비트인 RAM의 용량의 얼마인가?
7. SRAM과 DRAM의 차이를 비교 설명하시오.
8. 램버스 DRAM의 장점과 사용분야를 기술하시오.
9. 번지비트가 16, 데이터비트가 20비트인 ROM의 블록도를 작성하시오.
10. Mask ROM과 PROM의 차이를 설명하시오.
11. EPROM과 EAROM의 차이를 설명하시오.
12. 2비트를 비교하기 위한 비교기의 논리회로를 작성하고 이를 진리표로 작성하시오.

본문내용

1. TTL 집적회로에 대해 간단히 설명하시오.
☞ 양극성소자를 기초로 제작된 논리회로로서 소비전력이 MOS보다 많고 집적도가 떨어지지만 고속으로 동작하는특성을 가지며 외부 전기충격에 강한장점을 가진다.
기본회로는 NAND 게이트로서 개방형 컬렉터 출력, 토템풀 출력, 3-상태 출력으로 구분한다.

2. MOS와 CMOS 집적회로의 차이를 설명하시오.
☞ MOS: FET를 기본으로 한 논리게이트이다. 전자와 정공의 2개의 반송자중 하나만 통해서 전류가 흐르는 단극성 반도체로 두 가지 모두를 반송자로 사용하는 양극형 트랜지스터에 비하여 집적도가 높고 제조가 쉬우며 전력소모량이 작다. 그러나 양극성 반도체에 비해 동작속도가 느리다. n채널을 사용하는 NMOS와 p채널을 사용하는 PMOS가 있다.
☞ CMOS: 한 회로에 n채널과 p채널이 함께 나타난다. 자체전력소모가 적고 허용전압, 전압범위가 넓다. MOS반도체에서 p채널 트랜지스터와 n채널 트랜지스터를 접합하는 상보회로를 구성한 반도체 제조방법을 말한다. 속목시계나 휴대용계산기등의 제품에 많이 사용된다. VLSI와 대용량 메모리칩에도 사용된다.

3. 디지털 논리회로를 평가하는 4가지 매개변수에 대해 설명하시오.
☞ 팬아웃 : 정상동작할 수 있는 게이트 출력에 연결된 다른 게이트의 수를 말한다.
☞ 전력소비 : 게이트에서 소비되는 전력을 말한다.
☞ 전파지연 : 신호가 입력해서 출력할 때까지의 평균 전이지연시간을 말한다. 전파지연과 게이트의 동작속도는 반비례하며 전파지연시간이 짧으면 동작속도가 빠르게 되며 전파지연 시간이 길면 동작속도가 느려진다.
☞ 잡음여유 : 회로출력에 원하지 않는 qs화가 일어나는 최소잡음 전압을 말한다.

4. 집적도에 의한 SSI, MIS, LSI의 각 종류를 간단히 기술하시오
☞ SSI : 플립플롭
☞ MSI : 레지스터, 카운터, 디코더
☞ LSI : 반도체 기억장치 칩, 휴대용계산기 등의 간단한 프로세서
☞ VLSI : 대용량의 반도체 기억장치, 마이크로프로세서, 마이크로컴퓨터 칩

참고자료

· 없음