photo resist

소개

포토레지스트의 정의, 특징, 최신개발 동향까지
보기 쉽게 정리해 놓았습니다^^
많은 도움 됐음 좋겠네요~ㅎ

목차

(1) 감광막( Photo Resist )이란?

(2) Photoresist의 종류 및 특징
1) Negative lithography
2) Positive lithography

(3) Photoresist 최근 개발 동향
1) RET ( 해상도 향상 기술 . Resolution Enhancement Techniques)
2) 157 nm 포토레지스트
3) 157 nm 사용을 위해 해결해야 할 5가지 과제
4) 157 nm 포토레지스트용 고분자
5) 문제점

본문내용

(1) 감광막( Photo Resist )이란?

PR은 빛이나 방사, 열 등 여러 형태의 에너지에 노출되었을 때 내부구조가 바뀌는 특성을 가진 혼합물이다. 반도체에 적용되는 PR의 구조 변화는 현상 가능에서 현상 불능 혹은 그 역으로 바꾸어진다. PR은 복사업계에서 쓰여 왔는데, 1920년에 인쇄회로기판업계에서 먼저 응용하기 시작했다. 반도체 산업은 1950년대에 웨이퍼공정에 이 기술을 적용시켰다. 반도체에 쓰이는 PR은 Eastman Kodak 회사에서 최초로 개발되었다.
50년대 말, KPR과 KMER 등의 음성 PR이 만들어 졌다. 비슷한 시기에 Shipley 회사에서는 양성 PR을 만들었다. 그 뒤로 많은 회사들이 더 미세한 패턴을 균일성 있고 공정에 너무 민감하지 않게 형성할 수 있는 PR을 개발하면서 시장에 뛰어들었다.
PR은 패턴 크기나 공정을 생각지 않고는 선택할 수 없다. 한 번 공정이 설정되었으면 PR을 바꿀 때는 충분한 테스트가 선행되어야 한다.
- 감광액(점착성의 유기용액)을 웨이퍼 기판 위에 필요한 양만큼 떨어트린 후 스피너(spinner)로 기판을 수천 rpm(revolutions per minute)의 속도로 회전시키면 기판 표면 위에 1μm 두께의 얇은 막이 균일하게 형성된다. Photoresist dispensing methods - p6 참조
이 막이 PR인데, 이 막은 빛에 노출되면 그 물리적 특성이 변화되는 성질을 이용하여 마스크 마스크 (Mask) - p5 참조
패턴을 실리콘 웨이퍼 위에 옮길 수 있는 것이다.


(2) Photoresist의 종류 및 특징

1-
감광막은 음성형 감광막(negative PR)과 양성형 감광막(positive PR)으로 구분된다. 음성형 감광막은 현상액(developer) 용매에 빛이 쪼여진 부분이 용해되지 않고, 나머지 부분이 용해되는 성질을 갖고 있다. 양성형 감광막은 빛이 쪼여진 부분이 용해되고 나머지 부분이 용해되지 않는 성질을 갖는 것이다.

참고자료

· 없음