BJT의 h-parameter 실험에 관한 보고서(결과레포트)

소개

중앙대학교 전자전기공학부 2학년 2학기 실험입니다.

목차

<결과보고사항>
<느낀 점, 의문사항, 개선사항, 검토 및 결론>

본문내용

※ 실험과정

우선 그림 8.3과 마찬가지로 회로를 결선하였다. (1)번 실험을 하기 위해서는 변압기측은 연결하지 않고 short 시켜두었다. 책에서는 VEX를 이용하여 IC에 흐르는 전류를 4mA로 맞추어 주라고 나와 있다. 하지만 실험 준비물에는 가변저항을 쓰는 것이어서, 직류 전압(약 5V)을 가변저항에 직접 보내고, 가변저항을 조절하면서 IC에 흐르는 전류를 4mA로 맞춰 주었다.

※ 실험과정

1번 실험에서 결선 하였던 회로를 인덕터 왼편의 회로인 함수발생기와 저항을 개방 하고 Common 단자와 Emitter 단자에 함수발생기와 변압기를 추가로 연결 해 주었다. 그 후, 1번 실험과 같은 방법으로 실험을 재개하였다. Vbem은 0V가 관측 되었는데, 책에서의 실험 과정 중에 노드3과 4간의 교류전압성분의 최대치, 즉 Vbem을 관찰 하라고 되어있었는데, 아무리해도 0V만 관측 되었다. 그 이유를 찾지 못해서 당황하다가, 함수발생기의 성분을 개방하면서 그쪽에는 0V가 걸린다는 것을 알게 되었다.

☞느낀 점

이번 실험을 통해 CE BJT회로의 h-parameter 에 대해 알아 볼 수 있었다. 실험으로 구해본 값을 특성곡선의 개념을 통하여 구해보고, 데이트 시트와 비교해 보면서, 실험이 잘 되었음을 느끼고, 왠지 뿌듯하였다. 하지만 그러한 값들을 구하기까지 상당한 시간이 소요 되어서 여느 다른 실험보다 피로했던 실험이었다. 또한, 실험에 쓰인 소자가, 책에 있는 소자와 다른 것이어서, 데이터 시트와 비교해보는데도 조교님의 수고로움이 많으셨다.

참고자료

· 없음