트랜지스터 다단 증폭기 실험 결과 보고서

소개글

트랜지스터 다단 증폭기에 대해 배경이론에서부터 수식적으로 증명을 하였으며 이를 통해 회로상에서 시뮬레이션한 결과를 통해 작성한 보고서 입니다. 분량이 많아 보고서용으로 많은 도움이 될 겁니다. 제가 A+받은 자료입니다.

목차

- 교류 결합형 다단 증폭기 (AC coupled amplifier)
- 직접 결합형 다단 증폭기(dc coupled amplifier)
- cascade(또는 CE-CB) amplifier
- 교류 결합형 다단 증폭기
- cascode Amplifire
- 각 단계에 대한 토의 결과

본문내용

실험 5-1 : 교류 결합형 다단 증폭기 (AC coupled amplifier)
(1) 증폭기 구성 : 다음 회로 1의 각각의 증폭단들이 커패시터로 결합된(AC coupled) 3단 증폭기를 설계하고 구성한다. 디지털 멀티미터로 각 트랜지스터의 동작점을 구하여 바이폴라 트랜지스터는 활성(active) 영역에, MOSFET는 증폭기로 동작하는 포화 영역에 있는지 확인하고, 그렇지 않으면 바이어스 저항 값을 조정하여 증폭기로 동작하도록 동작점을 조절하고 모든 트랜지스터의 동작점을 구한다. (, 즉 개방시킨다.)


회로 1. 각각의 증폭단들이 커패시터로 결합된(AC coupled) 3단 증폭기

==>트랜지스터를 active mode/saturation mode으로 두기위해 각 단의 동작점을 잡아준다.
(MOSFET), (BJT)(MOSFET), (BJT)VD1(MOSFET), VCB(BJT)첫째 단
(공통 소스 증폭기)
2.28V
8.81V5.19V둘째 단
(공통 이미터 증폭기)
0.682V
8.75V-5.86V셋째 단
(공통 컬렉터 증폭기)
0.682V
7.29V-6.31V

위의 결과를 보면 MOS로 구성된 첫 번째 증폭단에서 가 2.28V, 가 8.81V이고 는598.2μA이므로 동작점이 saturation mode에 있음을 확인 할 수 있다. BJT로 구성된 두 번째 증폭단에서 가 0.682V로 forword bias가 걸려 있고 가 약 -5.8V로 reverse bias가 걸려 있으므로 BJT의 동작점이 active mode에 있음을 알 수 있고 세 번째 증폭단역시 같은 과정을 통해 active mode에 있어 이 회로는 올바르게 설계 되었음을 실험적으로 확인 할 수 있다.

회로 1의MOS의 curve trace
가 2.28V근처임을 통해 동작점 확인, 8.8V에서 saturation임을 확인..
==> 각 단의 동작점을 맞추기 위해 부득이 하게 예비 보고서에서 설계한 data와는 완전히 상이하게 설계했음을 언급하고자 한다.

참고 자료

없음