반도체공정 (Packaging)

*형*
최초 등록일
2007.01.27
최종 저작일
2006.02
41페이지/한글파일 한컴오피스
가격 2,000원 할인쿠폰받기
다운로드
장바구니
퀴즈풀이 출석이벤트

소개글

반도체공정 레포트입니다.
대학원 생활동안 1년간 준비해온 반도체공정에 관한 총정리입니다.
이 레포트는 총 6 시리즈로 준비되어 있으니, 필요한 부분을 골라서
레포트를 쓸때나 전공공부하실때 유용하게 사용하시기 바랍니다.
이 부분은 패키징에 관한 내용입니다.

목차

< Wafer testing >

1. In-Line parametric test
(1) Wafer test structures
(2) Interpreting parametric data
(3) Data trends
(4) Wafer level reliability
(5) In-line parametric test equipment
(6) Wafer positioning

2. Wafer sort
(1) Performing wafer sort
(2) Bincode number
(3) Wafer sort tests

3. Yield
(1) Larger wafer diameter
(2) Increased die size
(3) Increase in number of processing steps
(4) Shrinking feature sizes
(5) Crystal defects

4. Wafer sort yield models
(1) Poisson`s model
(2) Murphy`s model
(3) Seed`s model

< Traditional assembly >

1. Backgrind

2. Die separation

3. Die attach
(1) Chip bonding

4. Wire bonding
(1) Thermocompression bonding
(2) Ultrasonic bonding
(3) Thermosonic ball bonding
(4) Wirebond quality measures

< Traditional packaging >

1. Plastic packaging

2. Ceramic packaging
(1) Refractory ceramic
(2) Laminated ceramic

< Advanced assembly and packaging >

1. Flip chip

2. Ball grid array (BGA)

3. Chip on board (COB)

4. Tape automated bonding (TAB)

5. Multichip module (MCM)

6. Wafer level packaging

7. Packaging materials
(1) Solder materials
(2) Ceramic materials

8. Packaging의 기술적 흐름과 미래 기술 방향

9. Wafer level에서 packaging 된 상태에서 특성 변화와 reliability
(1) Effect of wafer level packaging on 5GHz digital signals
(2) Reliability requirements

본문내용

(2) Ultrasonic bonding

Ultrasonic bonding은 ultrasonic energy와 압력을 가지고 wire와 pad 사이에 wedge bond를 형성한다. 이 bond은 Al wire/Al pad 나 Au wire/Al pad 같은 금속과 비금속간의 bonding을 형성한다. Thermocompression bond와 비슷하게 capillary 샤ㅔ아래의 groove에서 wire를 feed 받아서 pad에 위치한 뒤 60kHz의 ultrasonic 주파수의 rapid mechanical vibration과 압력을 인가하여 metallurgical bond를 형성한다. 이 기술은 substrate을 가열하지는 않는다. Bond가 형성되고 나서 wire를 끊고 다른 leadframe으로 이동한다(see fig.4.3).

Figure 4.3 Ultrasonic wirebonding sequence

(3) Thermosonic ball bonding

Thermosonic ball bonding은 ultrasonic vibration, heat 그리고 압력을 결합하여 ball bond를 형성하는 기술이다. Substrate은 약 150℃ 온도를 유지한다. Thermosonic ball bond는 tungsten carbide나 ceramic material로 만들어진 capillary tip을 가지고 있다. 이 tip은 가운데 구멍을 통해서 vertical하게 순도 높은 Au wire를 공급한다. 구멍을 통해서 나온 wire는 가열되어 녹아서 tip 끝에 ball 형태로 맺히게 된다. Bonding하는 동안 ultrasonic energy와 압력이 인가되어 Au wire ball과 이 pad 사이에 metallurgical bond가 형성된다(see fig.4.4). Ball bonding이 완성된 후 wire는 끊어지고 다시 다음 die bonding pad로 옮겨져 bonding이 시작된다. 이 ball bond/wedge bonding sequence는 bonding pad와 inner lead pad 사이의 wire loop size를 조절하는데 용이하고 이것은 얇아지는 IC package에서 아주 중요하다.
는다.

참고 자료

(1) Introduction to microelectronic fabrication, Jaeger, Prentice Hall
(2) Silicon Processing for the VLSI Era 2nd edition, S. Wolf, Lattice Press

자료후기(1)

*형*
판매자 유형Silver개인

주의사항

저작권 자료의 정보 및 내용의 진실성에 대하여 해피캠퍼스는 보증하지 않으며, 해당 정보 및 게시물 저작권과 기타 법적 책임은 자료 등록자에게 있습니다.
자료 및 게시물 내용의 불법적 이용, 무단 전재∙배포는 금지되어 있습니다.
저작권침해, 명예훼손 등 분쟁 요소 발견 시 고객센터의 저작권침해 신고센터를 이용해 주시기 바랍니다.
환불정책

해피캠퍼스는 구매자와 판매자 모두가 만족하는 서비스가 되도록 노력하고 있으며, 아래의 4가지 자료환불 조건을 꼭 확인해주시기 바랍니다.

파일오류 중복자료 저작권 없음 설명과 실제 내용 불일치
파일의 다운로드가 제대로 되지 않거나 파일형식에 맞는 프로그램으로 정상 작동하지 않는 경우 다른 자료와 70% 이상 내용이 일치하는 경우 (중복임을 확인할 수 있는 근거 필요함) 인터넷의 다른 사이트, 연구기관, 학교, 서적 등의 자료를 도용한 경우 자료의 설명과 실제 자료의 내용이 일치하지 않는 경우

찾던 자료가 아닌가요?아래 자료들 중 찾던 자료가 있는지 확인해보세요

  • 파워포인트파일 [PPT] 반도체 제작공정 14페이지
    ) 반도체 제작공정 금속 배선 (Metal Interconnect) 패키징 ... 반도체 제작공정 목 차 회로의 구성요소 반도체 웨이퍼 (Wafer ... 반도체 : 복잡한 회로를 하나로 압축 4 인텔 4004(1971 년 제작
  • 파워포인트파일 반도체공정 산업에 대한 시장성 조사 31페이지
    : 반도체 패키징 공정기술의 이해와 전망 반도체 제조 공정웨이퍼 위에 ... 패키징 공정기술의 이해와 전망 - 국내 반도체공정 외주 산업의 성장 ... 패키징 공정기술의 이해와 전망 - 국내 반도체공정 외주 산업의
  • 파워포인트파일 스태트칩팩 기업분석 13페이지
    TEMPLATE 핵심가치 PPT TEMPLATE 회사소개 반도체 패키징 테스트 ... 서비스 반도체패키징 반도체 패키징의 역할 절연 신호연결 열방출 소자보호
  • 한글파일 반도체 산업 공급체인관리의 분석 21페이지
    패키징 반도체 칩을 탑재시킬 기기에 맞는 형태로 만드는 공정 반도체 ... 밀봉해주면 패키징이 끝난다. 2.2. 반도체 산업의 구분 3.3.3 ... 반도체 산업의 원자재는 웨이퍼로서 국내생산 또는 해외수입으로 충당하고
  • 워드파일 반도체 정리 18페이지
    않는 전하로 인한 인자로서 현재의 반도체 공정에서는 그 양이 매우 적어 ... . 정렬 및 노광 : 반도체 제조 공정은 20회 이상의 포토 공정복되므로 ... 연결하는 작업이 필요하다. 이렇게 반도체 공정(포토, 식각, 이온 주입
  • 파워포인트파일 반도체 전/후공정과 자동화 관점 장비분류 32페이지
    ▪ 장비 자동화 제품 개발의 접근 방향을 마련반도체공정 및 ... 장비 →웨이퍼 제조 →회로설계 및 마스크제작 →웨이퍼 가공(Fabrication) →패키징 →검사 (Test) ... 정의 ▪ 반도체 장비 자동화 시장 조사 → 수요예측, Target 설정
  • 한글파일 반도체공정 장비 이론 교육 (Wire bonding) 9페이지
    1. INTRODUCTION1)목적 : Bonding이 이루어지기 전, Bonder가 Lead를 개별적으로 탐색하여 Bonding 위치를 보정할 수 있도록 함2) VLL이 필요한 이유 - Internal Lead 폭이 8+/-1mil..
더보기
우수 콘텐츠 서비스 품질인증 획득
최근 본 자료더보기
상세우측 배너
상세우측 배너
반도체공정 (Packaging)