MOSFET 전압-전류 특성 예비레포트

소개

MOSFET 전압-전류 특성 예비레포트

목차

■ 제 목
■ 목 적
■ 이 론
■ 시뮬레이션
■ 참고문헌

본문내용

■ 목 적
금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : MOSFET)의 다음에 대한 관계를 알아본다.
1. 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효과
2. 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계

■ 이 론
FET(Field Effect Transistor)는 다음 그림과 같이 N형 또는 P형의 반도체 벌크(bulk)에 드레인(drain), 소스(source)라 불리는 bulk와 반대인 반도체형의 확산영역(diffusion)을 만들고, 그들 사이에 SiO2 절연층으로 분리된 게이트(gate) 전극이 놓인 구조이다.

FET제조 공정이 개발된 초기에는 게이트 전극으로 금속을 사용하여 단면에서의 층을 나타내는 Metal-Oxide-Semiconductor(MOSFET)라 불리었으나 현대의 공정세서는 게이트 전근에 실리콘의 전도율을 놓이기 위하여 불순물이 첨가된 ploy실리콘이 주로 사용된다. 그러나 이러한 구조의 FET도 MOS-FET라 부른다.

□ MOSFET의 동작원리
소스와 벌크, 드레인과 벌크 접합은 역방향 바이어스 되어야 하며 이때에는 소스와 드레인 주변에 공핍층이 형성된다.
편의상 모든 전압을 소스를 기준으로 표시할 때 게이트에 인가되는 전압이 0(Vg=0)일 경우 소스와 드레인 사이가 공핍층에 의하여 분리되어 전류가 흐르지 않는다.

게이트에 전압이 가하여지면 그림.2와 같이 아래쪽의 벌크에 있던 정공은 아래쪽으로 밀려나가게 되어 게이트 아래부분의 벌크면에 공핍층이 형성된다. ➩ 그림.1, 2같이 공핍층에 의해 드레인과 소스사이에 전류가 흐를 수 없는 상태의 동작영역이 Cut-off영역이다.

참고자료

· - 전자회로(임신일, 한건희)
· - 전자회로공학(최성재, 박종란, 윤석창)