CH.8 Common-Source Amplifier설계

소개

전자전기 실험 8장 예비입니다.

목차

1. 목적
2. 실습 준비물
3. 이론 배경

본문내용

2. 실습 준비물
함수발생기 : 1개
Oscilloscope (OSC) : 1개
DC Supply : 1개(동시에 2개의 전압출력 필요)
N-Channel enhancement MOSFET : 2N7000 TO-92 (Fairchild) 1개
DMM : 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 1개
커패시터 : 1μF 1개 10μF 1개

3. 이론 배경
MOSFET은 크게 나누어 n-channel(N-MOS)과 p-channel(PMOS)로 나뉘며 아래는 회로도에서 의 심볼을 나타낸다.

전류-전압 특성
MOSFET은 세 개의 동작영역들, 즉 cutoff 영역, saturation 영역, 을 가지고 있다.
그림은 n-channel cnhancement MOSFET의 VDS - iD 특성곡선으로 이들 세 개의 동작영역을 나타내고 있다.

문턱전압 Threshold Voltage의 정의
MOS 소자를 한번쯤 접해본 사람은 Threshold Voltage 를 들어봤을 것이다. 흔히 말해 일 때 Turn On, 일 때 Cutoff 되었다고 한다. 그런데 실제로
의 단일값을 정의한다는 것은 매우 애매하다.(실제로는 Cut-off 조건에서도 전류가 0이 아니기 때문이다.) 그래서 정해둔 Threshold Voltage 결정의 명확한 조건이 Strong Inversion이다. MOS의 Gate에 주는 전압에 따라 
(1) Accumulation Mode :    (는 Flat Band Voltage)  (2) Depletion Mode :  
(는 Intrinsic Fermi Level 과 Doped Fermi Level 의 전위차)  (3) Strong Inversion :

참고자료

· 없음