[전자회로설계및실습A+] Common source Amplifier 설계 결과 레포트 입니다

최초 등록일
2017.10.06
최종 저작일
2015.03
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목차

1. 요약
2. 서론
3. 본론
4. 결론

본문내용

요약.
NMOS 의 특성을 이용하여 Common Source Amplifier를 설계해 보았다.

서론.
트랜지스터는 실리콘이나 게르마늄으로 만들어진 반도체를 세겹으로 겹쳐만든 전자회로 구성요소로써 전류나 전압흐름을 조절하여 증폭, 스위치역할을 한다. 가볍고 소비전력이 적어 진공관을 대체하여 대부분의 전자회로에 사용되며 이를 고밀도로 집적한 집적회로( IC )가 있다. 접합형 트랜지스터(BJT)와 전계효과 트랜지스터(FET)로 구분된다. 이번 실험은 Field Effect Transistor(FET)를 이용하여 Common source Amplifier를 설계해 봄으로써 트랜지스터의 특성을 알 수 있었다.

본론
4. 설계실습 내용 및 분석
4.1(a)계획서의 3.1.2의 (c)에서 설정한대로 function generator를 맞추고 다음 그림(a)와 같이 연결하여 오실로스코프로 측정한 파형이 200mVac(peak to peak)의 주파수가 2kHz인 정현파임을 확인하고 그 파형을 제출하라.

참고 자료

없음

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