[전자재료실험]e-beam evaporator에 대하여

소개

e-beam evaporator에 대한 이론을 다룬 레포트 입니다.
A+자료입니다

목차

박막증착과 e-beam Evaporator의 개요

e-beam evaporation의 특징

e-beam evaporation 과정

e-beam evaporation 원리

e-beam evaporation 기술의 응용

본문내용

박막증착과 e-beam Evaporator의 개요
증발원의 두가지 형태
ⓐ 필라멘트 증발
- 철사고리들이 가열된 필라멘트로부터 매달려 있다.
ⓑ 전자선 소스
- 전자선이 장입 금속에 집중되어 있다. 선은 자기장에 의해 휘어진다.
전자선 증발
15keV 까지의 에너지를 가진 고강도 전자선이 증발될 물질을 포함하고 있는 소스 표적에 집중된다. 전자선으로부터 나오는 에너지가 표적의 일부분을 녹인다. 물질은 소스로부터 증발되어 실리콘 웨이퍼를 얇은 층으로 덮는다.
작은 평판 소스를 사용하면 그림2의 기하학적 구성에 대하여 성장속도가 다음 식으로 주어진다.
여기서 Φ는 수직에서 소스면까지 측정한 각도이고, Θ는 증발류에 대한 기판의 각도이다. ρ와 m은 각각 증착되는 물질의 밀도(g/cm³)와 질량증발속도(g/sec)이다.
일괄증착을 위해 회전하는 구로 구성된 행성 모양의 기판 받침대가 사용된다. 각 웨이퍼는 그림3 에서와 같이 반지름 r0를 가진 구의 표면에 접선 방향으로 위치한다.
[그림3]전자선 증발 시스템
기하학을 적용하면 다음과 같이 된다.
행성 모양의 웨이퍼 받침대에 대하여, G는 웨이퍼 위치와 무관하게 된다.
웨이퍼들은 소스 위에 위치하고 증착하는 동안 균일한 점유율을 얻기 위해 보통 소스 주위를 회전하며, 증발된 물질의 부착성과 균일성을 향상시키기 위해 종종 복사 가열된다.

참고자료

· 없음