PVD Evaporation & Sputtering 종류 및 원리,

최초 등록일
2009.09.28
최종 저작일
2009.09
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소개글

반도체 공정중 물질을 기판에 증착 시키는 방법 중
PVD ( Physical Vapor Deposition) 방법을 Evaporation 과 sputtering 로 구분하여 설명

E-Beam evaporator 사용 가능 물질, 제한 물질

목차

1. PVD 종류 및 특징
반도체 증착 기술
PVD ( Physical Vapor Deposition ) - 물리적 증착 방법
PVD 종류 구분
가) 진공 증발 기술(Evaporation)
(1) 저항가열 (Resistive Heating) 기술
(2) 전자빔 가열기술 (Electron Beam; EB)
(3) 펄스드 레이저 증착기술 (Plused Laser Deposition)
(4) 스파크/아크 기술 (Spark/Arc Processing)
(5) 클러스터빔 증착기술 (Cluster Beam Deposition)
PVD의 기능적 측면으로 응용분야 및 전망
나) Sputtering 기술
(1) 원리
(2) 스퍼터링 증착 방식
다) 활성이온증착 (Reactive Ion Deposition)
2. PVD 증착방식인 E-Beam 원리 간략 설명
3. 기본 E-Beam 증착 가능 물질 및 제한물질에 대한 조사
Reference

본문내용

1. PVD 종류 및 특징

반도체 증착 기술

반도체 증착 기술은 크게 생성전달기술과 기판제어기술, 그리고 이 두 가지 기술을 융합하여 반도체를 기판과 동일한 결정구조로 성장시켜 소자의 특성을 향상시키는 에피택시 증착 기술로 나뉘어진다. 생성전달 기술이란 증착에 필요한 원소 또는 분자들을 생성하여 전달하는 기술이고, 기판제어기술은 증착에 필요한 원소들의 생성 및 전달 과정과는 별도로 기판에서의 박막 증착조건을 제어함으로써 박막의 성질 및 구조 등을 변화시키는 기술을 의미한다. 또한 에피택시 증착 기술은 3차원적인 증착 기술과는 달리 기판위에 2차원적인 qkrar을 증착하는 기술로서 기판과 동종 물질을 증착하는 호모에피택시증착기술(Homo-Epitaxy)과 이종의 물질을 증착하는 헤테로에피택시증착기술(Hetero-Epitaxy)이 있다. 호모 에피택시의 경우 결정 격자구조는 기판과 같으나 물질의 조성, 도핑의 종류, 농도 등은 다르게 성장시킬 수 있다는 특징이 있다.
생성전달기술은 크게 물리적 증착기술(Physical Vapor Deposition)과 화학적 증착기술(Chemical Vapor Deposition), 그리고 플레이팅(Plating) 증착기술로 나뉘어진다. PVD기술은 목적하는 박막의 구성 원자를 포함하는 고체의 타겟을 물리적인 작용(증발, 승화, 스피터링)에 의해 원자·분자·클러스터 상태로 해서 기판 표면에 수송하여 박막을 형성하는 방법이다. 한편 CVD 기술은 목적으로 하는 박막의 구성 원자를 포함하는 원료 가스를 기판이 놓여진 공간에 공급하여 원료 가스 분자의 들뜸·분해를 통하여 기상 및 기판 표면에서의 화학반응으로 박막을 형성하는 방법이다. 또한 플레이팅 기술은 열속도보다도 큰 운동에너지로 가속된 원자나 이온을 증착 입자에 포함시켜 박막 형성을 하는 기술이다.
기판제어기술은 에너지빔 보조기술로 이온빔보조증착기술(Ion Beam Assisted Deposition; IBAD)과 바이어스증착기술(Biased Deposition)이 있으며, 이 밖에 원자층 증착기술 (Atomic Layer Deposition; ALD)이 있다.

참고 자료

2003 신기술동향조사 보고서-반도체제조용 증착기술, 특허청
E-beam Evaporator Manual Ver. 2.2 - 한만희,이강원 2006.6
네이버 백과사전 ( http://100.naver.com)

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