[실험레포트] 온도변화에 따르 저항 변화 측정

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 결과
Ⅵ. 토의
Ⅴ. 결론
Ⅵ. 참고문헌

본문내용

Ⅰ. 서론
● two-probe method
two-probe method에서 전극은 측정하는 재료보다 훨씬 작아야 한다. 그렇지 않으면 전극의 저항이 포함되기 때문이다. 예를들면 세라믹 등이 있다. two-probe method는 시료와 전극의 접촉이 잘 안될 가능성이 있다는 단점이 있다.

위와 같은 식으로부터 저항을 계산하는데 측정한 전류에 대한 전압의 그래프를 그려 그 기울기가 저항이 된다.

● PVD
전극을 형성시키는 방법에는 물리적 증착법인 PVD방법이 있다. PVD방법은 전극 형성법중에 가장 좋은 방법으로 압력이 높아지면 끓는 점이 높아지는 것을 이용한 방법이다.
PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링 (Sputtering), 전자빔증착법 (E-beam evaporation),

열증착법 (Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법 (L-MBE, Laser Molecular
Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법 (PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이 있다. 이 방법들이 공통적으로 PVD에 묶일 수 있는 이유는 증착시키려는 물질이 기판에 증착될 때 기체상태가 고체상태로 바뀌는 과정이 물리적인 변화이기 때문이다.
좀 더 풀어서 말하자면, 많이 쓰이는 산화물 반도체나 GaAs 등을 증착시킬 때 PVD 방법들은 그 화합물들을 우선 소결하거나 녹여서 고체 상태의 target으로 제조해서 열이나 전자빔으로 휘발시켜서 기판에 증착시키는 것이고 조금 더 복잡한 방법으로는 각각의 원료 물질을 cell (effusion cell)에 넣은 다음에 cell의 문을 열고 닫는 것으로 원료물질을 열, 레이저, 전자빔 등을 통해 기체상태로 날려서 보내고 날아간 원료 물질이 기판에 닿았을 때 고체 상태로 변화된다. 이때 일단 기판에 붙은 물질의 화학적 조성은 기판에 도착한 기체상태의 물질의 조성과 같다.
PVD는 증착시키려는 물질을 기체상태로 만들어서 날려보내는 것이므로 진공을 요구한다.

참고 자료

http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1115&docId=49645921&qb=UFZEIOymneywqeuylQ==&enc=utf8&section=kin&rank=1&search_sort=0&spq=0&pid=SDuLAlpySpssscT/bfossssssuZ-147170&sid=8YG520uyoLBBU7zS0zoV4A%3D%3D
화학대사전
두산백과
[물리산책] 온도가 변하면 전기 저항도 변한다