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[응급처치]심폐소생술(CPR)에 대하여

◎ 심폐소생술의 역사 및 개요1958년 Gordon과 1960년 Kouwenhoven에 의해 구강대 구강 호흡법과 흉부압박에 의한 심폐소생술의 효과가 인정되면서 심폐 소생술의 영역이 확대되었다. 1958년 Safar에 의해 일반 대중에 대한 심폐 소생술의 교육에 대한 효과성이 인정되면서 전 국가 차원에서 교육방법과 기술이 발전되어 왔다.성서의 기록에 의하면 심폐 소생술은 인류의 역사와 더불어 공존된 하나의 수기로 구강대 구강법과 흉부 강타법 등을 시행했다는 기록이 있지만 별로 많이 사용되지는 않았다. 그후 세계 제2차 대전을 치르는 동안에 용수 인공호흡법이 실제 사용되고 또한 심장수술이 시작됨에 따라 심장 소생에 더욱더 관심을 가지게 되었다.1950년대에는 개흉 심장 압박법, 심장에 약물을 사용하여 소생시키는 법, 전기제세동법이 널리 사용되였고, 또한 구강대 구강법과 같은 접구 인공 호흡술이 용수 인공 호흡법(manual veniiation method)보다 효과적이라고 인식되기 시작했다. 1960년대에는 개흉 심장법(open cadiac massage)보다 폐흉 심장 압박법(closed cadiac massage)을 많이 사용하게 되었다. 심폐 소생술은 심정지와 호흡정지시 뿐만 아니라 중요 장기에는 산소나 혈액 공급이 잘되지 않을 때 어느 때나 필요한 수기로써 현재 많이 사용되고 있으며 과거에는 주로 심정지 치료에 중점을 두었지만 최근에는 조기 중재로 갑작스러운 사망을 예방할 수 있음에 착안하여 1차 소생술 개념에 예방적 측면까지 포함시키고 있다. 현재의 심폐 소생술은 갑작스러운 사고나 질병에 대해 심장이나 뇌에 혈액을 공급하고 원래의 호흡과 순환을 회복시키는 것을 말하며 증가추세에 있는 각종 사고에 응급의료의 한 대책으로써 보다 많은 인명을 구조하는데 심폐 소생술이 더욱더 필요할 것으로 생각된다.

의/약학| 2005.10.27| 24페이지| 1,000원| 조회(66)

심폐소생술, 심정지, CPR, 기도유지

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Raman & FTIR 에 대하여 평가C아쉬워요

..PAGE:1FTIR & RAMAN..PAGE:2ContentsIntroductionPrinciple of IR spectroscopyCharacteristics of IR spectroscopyCharacteristics of FTIRInstruments of FTIRInterferometer & InterferogramSampling method of FTIRAnalysisSummaryIntroductionPrinciple of Raman spectroscopyRaman vs IR spectroscopyMethodSelection ruleSpectrumMacro Raman vs Micro RamanAnalysisSummaryFTIRRAMAN..PAGE:3FTIR..PAGE:4Introduction적외선 흡수를 측정하기 위한 기기분산형 적외선 분광광도계 (Dispersive Infrared Spectrometer)FT/IR (Fourier Transform Infrared spectrometer)IR spectroscopy0.78μm에서 1000μm까지의 영역을 적외선 영역이라함근적외선(NIR), 중적외선(Mid IR) 및 원적외선 (Par IR) 로 구분적외선은 시료 내에 존재하는 진동 운동에 의해서 흡수스펙트럼은 분자내에 존재하는 기능기에 관한 정보를 줌정량과 정성분석의 중요한 정보를 제공수용액상에서 이용할 수 없다...PAGE:5Principle of IR spectroscopyBasic principle of IR spectroscopy : Molecular vibrationsWhen the frequencies of IR radiation match the natural vibrational frequencies of molecule, Molecules absorb IR radiation → excited to higher energy state.고유 진동주파수에 의한 흡수에너지에 대응하는 특성적인 적외선스펙트럼 표시흡광도의 크기 → 분자의 농도Seferencesample is placed in one beamThe other beam is used as a referenceMonochromatorBeam chopper : let two beams pass monochromator altenativelyDiffraction grating (prism) : slowly rotates, detector에 닿는 파장 변화시킴Detector : reference beam과 sample beam의 intensity ratio를 측정 (보통 열을 측정)ThermocoupleBolometer..PAGE:8FTIR spectroscopyFT-IR 분광법과 분산형 적외선 분광광도계의 차이단색화장치를 사용하지 않고 복사선을 변조시키며 수학적 공식을 사용하여 시료의 스펙트럼을 얻음변조장치 : Interferometer변조된 빛 : Interferogram → Fourier Transform(수학적 공식)Time domain spectrum → Frequency domain spectrumCharacteristics측정시간이 신속하여 짧은 시간 내에 여러 번 측정 반복가능.간섭계는 기기의 분해능이나 검출기에 도달하는 빛의 양을 제한하는 슬릿이 없음.측정 파수의 정밀도가 우수.거울의 속도를 일정하게 유지시키면 분해능 일정하게 유지컴퓨터에 디지털 형식으로 기억- PC가 필수..PAGE:9Instruments광원의 빛살을 이등분한 후 한쪽 빛살의 광로의 길이를 주기적으로 변환시켜 간섭무늬가 생기게 한 후 Fourier 변환법을 사용하여 데이터를 처리거울의 움직이는 거리 : 1~20cm주사속도 : 0.01~10cm/sec.정확한 데이터 측정을 위해동일 시간에 신호 측정정확한 이동거울과 고정거울의 위치 파악..PAGE:10Interferometer & InterferogramInterferometerBeam SplitterFixed MirrorMoving Mirror복사선은 Beam splitter에서 반으로 나뉘어져 두 종류의 거환P(υ) : radiant power of incident light, frequency domainP(δ) : interferogram, time domain..PAGE:12Fourier TransformFT instrument 에서는 interferogram P(δ)를 δ의 함수로 얻은 후, 수학적으로 FT하여 B(υ)를 얻는다.FT를 사용하여 스펙트럼으로 변환하면 흡수가 일어난 파장의 빛의 세기는 약함Continuous source의 경우단색광일때Fourier Transform하여 IR spectrum 얻는다...PAGE:13Sampling method of FTIRTransmission : 빛이 시료를 직접 통과한 후 검출기에 도달하는 방식흡광도가 높고, 스펙트럼의 질이 좋음, 시료의 전처리 복잡액체시료 : 두개의 window 사이에 시료를 밀착시킨 후 분석, 액체 cell 이용고체시료 : 녹는점이 낮거나, 적당한 용매에 잘 녹는 경우 열이나 용매에 녹여 얇은 박막으로 시료용기 판에 발라 분석기체시료 : 적외선을 흡수 또는 산란시키지 않는 재질 즉, KBr 등의 창에 부착된 진공용기에 넣어 측정, 수십 mmHg의 압력이 필요Reflection : 빛이 시료에 직접 투과하지 않고 반사되어 검출기에 도달하는 방식흡광도가 낮고, 스펙트럼 질이 떨어짐, Sampling 편리Internal reflection : 굴절률이 큰 재질로 만들어진 crystal 내부에서 여러 번 반사를 일으키며 시료의 정보를 얻는 방법 ( 예 : Attenuated Total Reflectance )External reflection : 시료에 직접 적외선을 조사하여 시료로부터 반사되어 나오는 빛을 이용하여 시료의 정보를 얻는 방법 ( 예 : Diffuse Reflectance )..PAGE:14Analysis process of SpectrumFTIR 분광기는 single-beam 이므로시료의 스펙트럼에서 background 스펙트럼을 보정해 주어야 한다...PAGE:15Analy 지님전파장의 적외선 영역을 동시에 측정, 측정횟수 증가시킬 수 있음.Data를 컴퓨터를 사용하여 Digital로 처리.광로차와 복사선의 세기로부터 Interferogram을 얻어내고, Interferogram을 Fourier Transform을 통해 스펙트럼의 주파수와 세기를 얻음.물질의 구조확인, 반응속도 및 반응 과정의 연구, 정량 분석 가능...PAGE:17RAMAN..PAGE:18IntroductionRaman effect투명한 물질에 단일 파장의 강한 빛을 비출 때 산란광 속에서 입사광과는 다른 파장의 빛이 섞여 나오는 현상.입사광과 물질 사이에서 에너지의 왕래 → 원자, 분자의 진동상태, 회전상태가 변화Ramam spectroscopyEnergy transition을 Raman scattering에 의한 Raman shift를 이용하여 측정Characteristics비파괴적 분석 가능하며 온도,압력 등의 조건을 변화시키면서 분석 가능시료의 표면적이 작아도 가능수용액상의 시료 측정 가능흡습성 또는 공기에 민감한 시료는 유리 튜브에 넣어 측정가능색이 있는 시료는 레이저에 의해서 분해될 수 있음자외선이나 가시광선에 의한 형광이 유발되면 Raman신호를 판독할 수 없음..PAGE:19Principle of Raman spectroscopy..PAGE:20Principle of Raman spectroscopyStrokes and anti-strokes lines in the Raman spectrum of CCl4A rayleigh scattered peakHigh intensitySame wavelength as excitationA series of Strokes-shifted peaksLow intensityLonger wavelengthA series of Anti-Strokes shifted peaksStill lower intensityShorter wavelength..PAGE:21Raman vs IR spectroscopyDifferencedening 현상 나타남Glass & Crystal비결정질 고체의 구조를 확인하는데 유용Microscopic Analysis라만분광기에 광학현미경을 결합시킴으로써 수 μm의 분해능을 갖는 스펙트럼을 얻을 수 있음.다양한 기판에 있는 박막이나 coating의 특성분석가능.Quantitative Analysis..PAGE:26Summary of Raman SpectroscopyRaman : Energy transition을 Raman scattering에 의한 Raman shift를 이용하여 측정IR spectroscopy 에 나타나지 않는 일부 진동들이 Raman에 나타날 수 있음(O2, H2, CO2, CH4 의 일부 진동들)IR spectroscopy 에서는 약한 흡수를 보이는 진동이 Raman에서는 매우 강함(S-S, C=C, C≡C)4000~50cm-1 영역을 한번에 측정이 가능용기로 물이나 유리 사용 가능.색이 있는 시료는 레이저에 의해서 분해될 수 있음.Difference in Measurement method, Selection rule & spectrum from IRFingerprinting, Defects & Structure Disorder, Glass & Crystal , Microscopic Analysis, Quantitative Analysis에 사용...PAGE:27ATR (Attenuated Total Reflectance)크리스탈과 외부환경의 굴절률 차이가 크면 투과가 아닌 반사가 일어나는 원리를 이용 (ZnSe)물질 표면을 분석할 수 있는 기법으로 시료량이 적을 경우에도 액체, 고체, 파우더, 필름 등의 시료를 매우 간단하게 분석할 수 있다.불투명하거나 표준 투과법으로 분석하기에 너무 두꺼운 시료를 분석하는데 아주 좋다...PAGE:28DRIFT (Diffuse Reflectance)산란이 큰 시료에 적외선을 조사하면 빛이 사방으로 반사되는데, 이 빛을 모아 시료의 정보를 얻는 장치이다. 이 분석법은 주로 파우더 시료나 산란이 타낸다.

공학/기술| 2006.08.29| 30페이지| 1,000원| 조회(1,984)

적외선분광법, IR, 라만, FTIR, Raman, 푸리에변환, 라만분광

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[전자재료]SEM&XPS에 대하여 평가A+최고예요

PVD CVD supplementWhere the receiving surface is spherical having radius r0, (for the plane source)sourceΦr0r0rθMass evaporation rate ☞ Point source ☞ Surface sourceAssuming the material has a density and the deposited film thickness l,Growth rate ☞ Point source ☞ Surface sourceGrowth RateMagnetic polesHopping e-Erosion areaMagnetic field linesTheory Electric field 가 magnetic field에 수직으로 Helix 형성 e- ionization 될때까지 cathode 근처에서 hopping motion ┴BCharacteristics Increased ionization efficiency → High plasma density Deposition rate increase Localized erosion of the targetUnbalanced magnetron 내부자석과 외부자석의 자장의 세기가 다르다 자장이 내부와 외부 사이를 벗어나 기판의 표면 쪽으로 향하는 유속이 생긴다. 자장이 전기장 방향과 가까워 전자가 자장을 따라 스프링 모양을 그리면서 나선운동을 하여 기판으로 향함 플라즈마 전체적으로 유지 가능. 낮은 기판바이어스에서 강화된 이온충돌-박막의 특성변화 유도 이온의 흐름이 기판근처에서 퍼짐 – 박막의 평탄도 문제 해결Magnetron sputteringNi-Fe(50:50) target, Sputtering yield(S) for 1000eV Ar+ ions SNi = 2.1, SFe = 1.4 Initial sputtering rate Ni : Fe = 50×2.1 : 50×1.4 = 62: 38 The surface of the target becomes F하는 전자빔 제거, 전자빔 집광Coherent 한 전자빔 형성scanningScanning beam 초점 맞춤Vacuum system Remove air molecules Electrical Optical System Focus and control the e-beam Specimen stage insertion and manipulation Secondary electron (SE) detector Collect signal Electronics Display imageElectrical Optical SystemCathode : negative electrode Tungsten filament cathode Heating the filament, 2700 K, 10-5 Torr Lifetime : 40~100hr, Brightness : 105 (A/cm2) Lanthanum Hexaboride(LaB6) Electron Guns Heating filament, 1400~2000 K Lifetime : 200~1000 hr, Brightness : 106 (A/cm2) Field Emission Electron Guns Electrons tunneling through potential barrier under the electric field (108 V/cm) at R.T. Lifetime : 1000 hr, Brightness : 108 (A/cm2)Wehnelt cylinder (Grid cap) : control electrode Anode : positive electrodeElectron gunElectrical Optical SystemPrinciple Helical movementElectromagnetic lensDemagnificationElectrical Optical SystemCondenser lens Demagnification Lens strength↑ : dp↓, ip↓Electromagnetic lensObjective le :Depth of fieldDefinition 시편에 높낮이가 있을 경우 초점이 맞는 범위에 해당하는 높낮이 또는 깊이 화소의 면적과 Z축에 따른 샘플링 면적과의 관계에 의해 결정(∵tanα≈α for small α)EX) 가로,세로가 각각 10cm모니터의 화소 갯수가 1000개 일 때의 depth of field수렴각은 작동거리(WD)와 조리개의 크기(RAP)의 함수Depth of field 증가시키려면 WD↑, RAP↓, M↑Performance in the SEM modesHigh Resolution mode 높은 배율로 매우 작은 물체를 관찰하려 할 때 Small size probe Short working distance High depth-of-field mode 파단면, 입체 구조물 등 높낮이가 있는 시편을 관찰하려 할 때 Long working distance Low magnification Microanalysis and low magnification mode 관찰 대상물의 크기가 작지 않을 때, 또는 성분 분석할 필요가 있을 때 Low resolution High current Large size probeExample대물렌즈와 시편 사이의 거리가속전압Spot size배율눈금의 크기Detector 종류EDS (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)Definition 시료에서 발생되는 특성 X-선을 에너지의 형태로 검출하여 각각의 원소를 분석Principle 입사된 X-선은 반도체 소자 내 원자, 전자와 충돌하면서 VB의 전자를 CB로 천이시키고 hole을 남김 X선의 에너지에 따라 달라지는 천이 전자와 공공의 개수는 전류로 측정 한 개의 e-h pair 생성하는데 평균 3.8eV의 X-선 에너지 소모 전류가 전압펄스로 변환되고 증폭된 후 X-선 스펙트럼으로 display Characteristics 검출기 위치이동이 가능, 수집효율을 높일 수 있음. 낮은 전자빔 전류로 분석가능, 프로브 크기도 수nm로 줄일 수ng the junction → signal reduced Junction area Below the contrastEBSD(Electron Back Scattered Diffraction)Principle 결정질 시료를 비교적 큰 각도로 기울여 전자빔을 조사 탄성산란에 의해 시료표면 바로 아래에서 모든방향으로 진행하여 결정질 시료내의 모든 격자면과 만남 후방 산란되는 전자빔과 브래그 조건을 만족시키는 격자면들과의 회절 카메라가 부착된 형광판에 띠모양으로 패턴형성 영상화 분석 software로 indexingApplication Orientation image mapping작성 결정구조에 따른 pattern변화를 이용한 상분석 Grain boundary misorientation분석Summary of SEMSecondary electron, Backscattered electron by incident electron beam Instrument Electron gun, electromagnetic lens, specimen, detector Resolution - 현미경 관찰시 작은 부위를 확실히 분간할 수 있는 성능 Depth of field - 시편에 높낮이가 있을 경우 초점이 맞는 범위에 해당하는 높낮이 또는 깊이 Imaging mode High resolution mode High depth of field mode Microanalysis and low magnification mode Application – EDS, WDS, EPIC, EBSD…IntroductionWhat is XPS? An electron spectroscopic technique for determining the elemental and chemical composition of materials' surface ESCA (Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)Characteristics X-ray source A high vacu펙트럼에는 각 원소의 satellite lines가 존재 source교환 또는 손상된 anode 재조정 등으로 원하지 않는 peak 제거 가능 시료에 따라 광전자의 방출에 의한 전자부족으로 charging effect가 일어나 peak이동 공기오염에 의한 C 1s peak 위치(284.6eV)나, 기준 peak인 Au 4f7/2 peak 위치(83.3eV), 또는 Cu 2p3/2 peak 위치(932.4eV)를 이용하여 보정한 후 원소 확인Chemical state analysis (chemical shift)Chemical shift Change in binding energy of a core electron of an element due to a change in the chemical bonding of that elementDue to changes in oxidation state and chemical environment Oxidation : “removal” of electronic charge ⇒ increase in Binding energy Reduction : “Add” of electronic charge ⇒ decrease in Binding energyQuantitative analysisFor a sample that is homogeneousIA=Intensity for “A” element K=constant, I0=X-ray flux, nA=atoms/cm3 σ=photoelectric cross-section(cm2), λ=mean free path(cm), L=Luminosity (analysis areaⅹtransmission efficiency) SA=atomic sensitivity factor CA= Concentration of element1.0351sMg121.1021sNa111.2151sNe101.001sF90.7331sO80.4991sN70.3141sC60.1711sB5ASFSubshellElementZw}

공학/기술| 2006.08.07| 41페이지| 1,000원| 조회(836)

분석, 주사전자현미경, sem, 전자현미경, XPS

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[전자재료]PVD&CVD에 대하여 평가A좋아요

..PAGE:1PVD & CVD..PAGE:2ContentsPVDCharacteristics of PVDEvaporationTypes, Characteristics, and mechanism.SputteringTypes, Characteristics, and mechanism.CVDCharacteristics of CVDTheory and mechanismTypes목차는 다음과 같습니다.우선 PVD의 특성에 대해 살펴본후 PVD의 대표적인 방식 중 Evaporation과 Sputtering방식의 각각의 종류와 그에 대한 특징 및 메커니즘 등 그에 따른 내용에 대해 자세히 살펴보겠고, CVD에서는 CVD반응의 특성, 원리및 성장기구에 대해서 자세히 살펴보고, 마지막으로 우리 실험실에서 사용하고 있는 여러종류의 CVD방법에 대해 살펴본후 발표를 마무리짓도록 하겠습니다...PAGE:3PVD..PAGE:4Definition and Characteristics of PVDDefinitiona group of vacuum coating techniques used to deposit thin films of various materials onto various surfaces by physical means, such as evaporator and sputter.Characteristics증착 속도는 표면의 증발 흐름 속도에 비례Deposit의 purity가 매우 높다.Step coverage가 좋지 못함.증기 생성 방법의 차이에 따라 두가지 방법으로 분류됨금속의 증기를 사용하는 evaporation 방법물질에 물리적인 충격을 주는 방법인 sputtering 방법PVD란 기판 위에 증착재료를 물리적 mechanism에 의해 증착시키는 방법을 일컫는데 증기화, 증기화된 재료의 기판으로의 이동, 기판에서의 필름증착의 3단계로 이루어진다. 그 특징을 살펴보면, 증착속도는 표면의 증발 흐름속도에 비례하고, CVD에 비해 증착의 순도가 높은 편이고, CVD에 비해 Step c지 이유 때문에 대부분의 실리콘 기술에서는 스퍼터링으로 대체되고 있다고 한다. 첫째는, 뒤에서 다루게 될 Step coverage라고 불리는 표면의 요철문제를 해결하는 능력때문에 그렇고, 두번째로 이베포레이션으로는 잘 제어된 합금을 만들기가 어렵다고 한다.어떤 Ⅲ-Ⅴ족 합성 기술은 이베포레이션이 표면 요철 극복력이 부족한 점을 장점으로 사용하기도 한다. 금속층은 증착하고 식각하기 보다는 패턴된 포토레지스트층의 상부에 증착한다. 그 막은 자연적으로 포토레지스트의 가장자리에서 깨지기 쉬운 경향이 있어서 레지스트는 상부 막에 충분히 용해된 후에느 빨리 떼어낸다. 이런 기술은 합금을 형성하기 위해 사용되기보다는 여러가지 얇은 금속에 사용된다. 다층은 식각하기가 어렵지만 Lift-off로 교묘히 극복해낸다...PAGE:6Evaporation mechanismJimpingement : the number of gas molecules striking a unit area of surface per unit timeJevaporation: the number of molecules evaporation from a unit area of surface per unit timeHertz-Knudsen eqTransportThe directionality of evaporation molecules from an evaporation source ⇒ cosine law (j ∝ cosΦ)The mass deposition rate per unit area☞From a point source ☞From surface sourceEvaporation 이론은 Hertz에 의해 처음으로 체계적으로 연구되었는데, 일련의 실험을 통해 증발속도가 평형증기압 P*와 정수압P 와의 차이에 비례한다는 것과 액체가 증발될때 증발속도가 어떤 최대값을 넘지 못한다는 것을 알아내었다. 여기서 평형증기압은 증발되는 양과 응축되는 양이 같은 동적평형상태이고, 정수압은 흐름이 멈춰있는 물속에서 생기는 압력 수 있는데, Langmuir는 앞에서 얘기한 J값인 molecular evaporation rate에다가 분자량을 곱하여 mass evaporation을 유도하였는데, 그값을 면적에 대해 적분하면 도가니에서의 mass loss rate값을 알수 있다. 이 적분값은 도가니에서 물질 표면 전체에 대해서이다. 이 식은, 물질이 완전히 녹지 않았을때, 자연적인 대류와 열적전도가 도가니를 가로질러 물질의 온도를 거의 일정하게 유지시킬 것이라는 가정이 없다면 매우 복잡할 것이다.만약 이때 도가니의 열린영역의 넓이가 A로 일정하다고 한다면 mass loss rate값은 다음의 식과 같이 표현할 수 있다. 이 때 비례상수 k는 단지 도가니로부터 보여진 웨이퍼에서 제한된 전체 고체 각의 비율이다, 이때 r값은 도가니 표면과 웨이퍼 표면간의 거리이고 θ,Φ는 r과 도가니와 웨이퍼 표면의 법선이 이루는 각도이다. 비례상수의 식에서 볼 수 있듯이 이베포레이터의 증착률은 챔버내의 웨이퍼의 방향과 위치에 따라 달라질 것이다. 도가니 바로 위의 웨이퍼는 옆으로 비껴서 놓여있는 웨이퍼보다 두껍게 증착된다. 양질의 균일도를 얻기위해 일반적으로 사용하는 방법은 구의 표면에 도가니와 웨이퍼를 위치시키는 것으로써. 이때 코사인세타와 코사인파이는 같고 그값은 r/2r0일때이다. 위 세가지 식을 결합하여 증착률을 나타내보면 다음의식과 같게 되는데. 이것은 막의 질량밀도로 단위면적당 질량도착률을 나누는 셈이 된다. 이 식에서 첫번째부분은 증발된 물질에 의존하며, 두번째부분은 온도에, 세번째부분은 챔버의 기하학적형상에 따라 달라진다.한편 큰 증착률을 얻기 위해 이베포레이터는 도가니의 온도를 매우 높여 사용하기도 한다. 또한, 좋은 균일도를 얻기 위해서 이베포레이터는 천천히 동작해야 하며 동시에 박막의 응축을 피하기 위해 매우 높은 진공이 필요하다...PAGE:8Thermal EvaporatorResistance Heated Source도선에 흐르는 전기의 순수 저항을 이용하여 가열하는 방법으로 W,T 수 있도록 증착소스 면적과 열적접촉을 크게하는 것이 바람직하며, 이 방법은 다양한 크기와 형상의 증착 소스를 이용할 수 있는 장점이 있다.한편, Induction Heated Source에 의한 방식도 있는데, 이 방법은 RF or magnet field를 이용해 electon의 displacement로 인하여 발열시키는 방법으로 Filament 증발의 경우 적은 양의 소스를 이용하는 반면에 Crucible을 이용하여 비교적 많은 양의 source를 사용할 수 있으므로 대량생산이 가능해지게 된다. 가열기와 증발체간의 직접적인 열교환이 필요없고, 코일자체에 100℃이하의 온도로 유지되도록 냉각수가 존재할수 있기때문에 증발과정에서 증발체의 용기 온도를 낮추는 것이 최대장점이다. 또한, 용융증발체와 용기간의 상호반응과 열충격을 최소화할 수 있다. 그러나 Inductor로 가열하는 것은 내열성 물질을 증기화시킬 만큼 충분히 높은 온도로 도가니를 가열할 수 있는 반면 도가니 자체로부터 오염이있을 수 있기 때문에 문제가 될 수 있다. 이러한 효과는 도가니를 냉각하고 증발원만 가열하는 것으로 극복할 수 있다...PAGE:9E-beam EvaporatorDefinitione-beam을 magnetic field를 가하여 bending시켜 source를 국부적으로 melting후 증발시켜 증착하는 방법CharacteristicsCleanThick filmHigh m.p. materialRadiation (X-ray) Damage한편, 저항체로 불가능하거나 어려운 물질은 E-beam evaporator를 이용하여 증발시킬 수 있다. E-beam evaporator을 이용한 증착방법은 증착재료의 용융점이 높은 경우 (W, Nb, Si)에 주로 사용된다. E-beam source인 Hot filamament 에 전류를 공급하여 나오는 e-beam을 전자석에 의한 magnetic field로 유도하여 증발원 표면에 270°정도로 입사되게 하면 집중적인 전자의 충돌로 전자의 운동에너on에 대한 특징에 대해서만 살펴보고 넘어가겠습니다. Laser evaporation법은 E-beam과 마찬가지로 비교적 contamination이 free하고, 매우 짧은 시간동안 순간적으로 고온을 만들어 줄 수 있으나 대신 지속적이지 못하다. 또한 모든것을 순간적으로 날려보낼 수 있는데, e-beam의 경우 한 예로 TaN을 Evaporation 시켜도 1:1 로 날라가지 않는다고 하나(즉 소스의 조성과 증착조성이 다름) Laser 의 경우 매우 고온이기 때문에 소스의 조성과 증착조성이 동일하게 될 수 있다고 한다. 그 때문에 박막의 미세 Control도 가능하게 된다. 한편 단위시간당 Power가 낮으므로 증착속도는 느린편이고, 증착속도가 느리고 소스의 양이 작기 때문에 Uniform Zone이 매우 작다...PAGE:11Step coverage and ShadowingStep coverageMetal contact 내부에 증착된 박막의 두께와 contact 외부에 증착된 박막의 두께의 비sbhdtAspect Ratio =Step coverage(bottom) =Step coverage(side wall) =Step heightStep diameterbtstShadowingSourcePartiallyShadowed regionTotallyShadowed region이전 장에서 언급한 것 처럼 Evaporation의 가장 큰 한계점 중의 한 가지는 Step coverage와 Shadowing 현상이다. Step coverage란 metal contact 내부에 증착된 박막의 두께와 contact 외부에 증착된 박막의 두께의 비로 정의되는데, 우선, 오른쪽의 그림을 살펴보면, 좌측의 3개의 시편에서 볼 수 있듯이, 입사된 원자가 웨이퍼 표면에서 움직이지 않는다고 가정하면, 박막의 일부분은 때때로 불연속적일 것이다. 이러한 요철을 극복하는 문제는 특히 금속을 입히기 위한 층에서 중요하다.이때, 이러한 문제를 개선하기 위해 주로 사용하는 방법은 증발된 빔에 대해(

공학/기술| 2006.08.07| 35페이지| 1,000원| 조회(1,686)

증착, cvd, PVD, sputter, Evaporation

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[치료레크리에이션]정신장애인에 대한 레크리에이션 프로그램 평가C아쉬워요

{정신장애인을 위한Recreation Program■대상 : 정신장애-정신장애인은 일반장애인들에 비해 사회복지의 관심이 아닌 의료의 대상으로 인식되어져 왔으며 사회적으로 비정상적이고 위험한 존재라는 편견과 선입견에 의해 차별 받아왔다. 적절한 치료를 받아야할 대상이 되기보다는 격리, 수용의 대상이 되어왔으며, 스스로에 의해서 결정이나 선택을 하는 자기결정권의 측면에서 도외시 되어왔었다. 현재 정신보건법의 개정과 지역사회정신건강의 개념의 도입으로 많은 변화가 있었지만 정신장애인의 개인적 기능향상 중심의 개인적인 재활 및 사회적응에만 초점을 두고 환경적 요인들에 대한 활동은 부족한 수준이다. 많은 정신장애인들이 정신병원에서 탈시설화 로 자신이 태어나고 자란 지역사회에서 나와 정신보건센터, 사회복귀시설에서 약물증상관리, 사회기술훈련, 여가활동, 부서 활동, 직업 훈련 등의 서비스를 받고 있지만 아직 사회의 편견의 벽에 막혀 사회로 나오지 못하고 병원에서의 생활보다 더 큰 외로움을 느끼며 집에서만 지내고 있는 경우가 많고 또 그런 소외감과 인간관계, 사회복귀에 대한 고민들로 재발이 되어 다시 입원을 하게 되는 회전문 현상(입 퇴원을 반복하는 현상)을 반복하게 된다. 퇴원한 정신장애인의 빈번한 재입원의 원인이 정신질환 자체의 높은 재발률보다 퇴원 후 적절한 관리 및 사회 재적응이 이루어지지 못한다는 것에 있다. 이들의 사회적응, 복귀를 어렵게 하는 요인들은 퇴원 후에도 남아 있는 증상, 자신감 결여로 인한 사회적 위축과 낮은 자아 존중감, 오랜 질병으로 인한 대인관계기술 및 사회생활기술의 부족 등의 개인적 문제와 장애가 지속됨에 따라 증가하는 가족과의 갈등, 사회적 활동의 제한, 친구와 친척관계에서의 소외, 일반사람들의 편견이나 사회적 낙인 등의 환경적 문제가 있다. 우리 지역의 대부분의 정신장애인들이 퇴원 후 사회생활에 대해 자신감을 상실하고 있으며 주위사람들에 비해 사회적 열등감을 느끼면서 우울감과 위축감을 갖고 있다. 또한 이들을 바라보는 사회의 태도 역시 오해와 편견을 가지고 있고 무관심하고 예측할 수 없는 공포의 대상으로 여기고 있다.■원리:*정신 지체아의 정서함양 프로그램 적용(1) 친구되기 : 정신장애인과 대학생자원봉사자의 1:1 만남을 통해 그들의 친구가 되어 여가활동 및 사회참여 활동을 통해 일상생활 및 대인관계상의 사회기능을 향상시키고 재발률을 낮게 한다.-1 : 정신장애인과의 멘터와의 다양한 여가활동으로 일상생활 및 대인관계상의 사회기능을 향상시킨다.-2 : 정신장애인의 사회참여활동으로 인해 자아존중감 향상과 지역사회 생활만족도를 증진한다.(2) 형님 되기 : 정신장애인의 어린 자녀가 정서적인 안정을 갖고 건강한 성장발달을 도모하도록 대학생자원봉사자와1:1 만남을 통해 형과 누나(오빠/언니)가 되어 정기적인 만남을 통해 지지, 지도한다.-1 : 멘터링 프로그램을 통해 정신장애 자녀들과의 신뢰감을 형성한다.-2 : 여가활동을 통한 사회성 증진과 대인관계 향상 도모한다.-3 : 정서적 지지를 통한 자아존중감 향상시킨다.* 정신지체아의 체육프로그램 적용1 교육가능급, 훈련가능급 정신지체의 체육프로그램-일반적으로 교육가능급 정신지체인은 운동능력이 양호하며, 스포츠는 그들의 성공과 자긍심의 주요한 수단이 된다.2 완전의존급 정신지체인을 위한 체육프로그램-정신, 운동기능의 수준은 매우 기본적이므로 가장 기본적인 기능을 가르쳐야 한다.■주의사항 :1 실패의 예상 : 많은 경도 정신지체 학생들이 초기 학창시절에 자주 실패감에 부딪히기 때문에 그들은 실패를 미리 예상한다. 실패의 쓰라린 경험에서 도피하기 위해 그들은 실패를 야기하는 상황을 피하는 경향이 있고 결과적으로 낮은 기대와 목표를 설정한다(Zigler, 1973). 학업을 성취하지 못한 사람은 곧 그러한 상황을 피하려 하고 싫어한다. 그것이 결국 동기유발에 부정적인 영향을 미친다.2 의존성 : 정신지체인들은 문제상황을 해결하기 위해 일반적으로 다른 사람에게 의존하는 것으로 알려져 왔다. 이것은 때때로 그들 자신의 능력을 불신한 결과라고 볼 수 있다. 많은 교사들은 학생들이 나는 이것을 못해요 하거나 이것은 너무 어려워요 라고 말하는 것을 듣는다. 대부분 이런 유형의 말들은 선생님이나, 조력자나 동료 학생들의 보조가 필요하다는 의존경향을 나타낸다.3 통제의 외적 요소 : 종종 정신지체인들은 운명이나 기호 등 그들의 통제가 미치지 않는 다른 요인과 같은 힘에 성패가 좌우된다는 것을 알아챈다. 이런 인지는 무력함이나 일들을 통제할 수 없을 때 생기는 심리적 상태를 배우는 것과 같다. 아주 어린 아이들이 이렇게 느끼는 것은 발달적으로 적절하다. 그러나 대부분의 사람은 성숙하면서 내적 통제의 요소로 바뀐다.4 부정적 자아개념 : 다소 논란이 있지만 대부분의 연구는 정신지체아들이 열등한 자아개념을 가진다는 입장을 지지한다. 그들은 자신의 능력과 잠재성에 대해 강한 긍정적 느낌을 갖지 못한다. 이와 같은 부정적 자아개념은 생활에서의 부적응과 중요한 상관관계를 가진다.■시행방법 :1. 정신 지체아의 정서함양 프로그램 적용{사업명목표/세부사업명사업진행내용친구되기신뢰감 형성1.오리엔테이션(프로그램 소개, 멘터, 멘티 정하기)2.공원나들이여가활동1.동물과 함께2.나도 영화인3.컴퓨터 배우기(pc방에서 컴퓨터 활용능력 배우기)4.야구 관람5.우리도 물놀이 가자 - 수영장6.eye쇼핑7.농구 관람자아존중감 향상1,사랑의 나무심기2.사회봉사활동3.야유회 (단풍놀이)4.우리동네는? (문화탐방)형님되기신뢰감 형성1. 만남의 장(오리엔테이션): 형님 되기 프로그램 소개, 자기소개 게임, 짝궁정하기, 느낌나누기, 다과.2. 우리 서로 알아가요~(가정방문) : 아우집 방문/형님집방문, 느낌나누기.여가활동1. 신나는 놀이동산2. 컴퓨터는 내 친구 (PC방에서 인터넷검색 배우기, 게임, 메일주고 받기)정서적 지지자아존중감 향상1. 알고싶어요~ 우리 엄마, 아빠(부모의 장애에 대한 교육): 가족소개, 강의듣기, 느낌 말하기2. 나는 커서 무엇이 될까? (명사와의 만남)-장래희망을 조사하여 그 분야의 명사와 만남의 기회제공, 자신의 꿈에 대한 동기부여.2. 정신지체아의 체육프로그램 적용정신지체의 분류는 학자들이나 분류의 관점에 다양하다. 종종 인용되는 정신지체의 분류방법은 미국정신지체협회에서 구분하고 있는 것으로, 정신지체의 정도에 따라 경도, 중도, 최중도 등으로 분류하는 것이다.교육학자들은 정신지체아를 교육적인 능력에 따라 세 집단으로 분류하였으며, 각 집단의 특징은 다음과 같다(이태영, 1976 ; winnick, 1990).a 교육가능급 (educable)교육가능급의 정신지체 아동은 지능 지수가 50-75의 아동으로서 어느 정도의 학교 교육이 가능한 아동들이다. 일반적으로 이들은 초등학교 1,2학년일 경우 일반 아동의 유치원 수준이고, 초등학교 졸업 시에는 초등학교 3학년 정도의 실력을 갖는 아동이며, 반숙련 또는 비숙련 작업에 종사할 수 있어 직업 영역에서는 어느 정도 성공을 성취할 수 있다.b 훈련가능급 (trainable)훈련가능급의 정신지체 아동은 지능이 20-50으로서 학교교육을 통한 지적 영역의 성취가 어려운 아동들이다. 이들에 대한 교육의 의의는 생활에 관한 것, 직업에 관한 여러 가지 훈련을 시키는 데 있다. 주로 특수학교에서 이들을 담당하는데 아동의 특성을 최대한 고려하여야 한다.c 완전의존급 (totally dependent)완전의존급 정신지체 아동은 지능이 20 이하인 아동을 말한다. 이런 아동은 식사, 대소변 가리기 등 기본 신변 처리조차도 스스로 하기 곤란한 아동들이다. 따라서 보호해주고 의료적 조취를 취해주어야 한다. 이들에게는 의료와 보호가 필수적이다. 그래서 보호시설에 수용하는 것이 타당하다.1 교육가능급, 훈련가능급 정신지체의 체육프로그램일반적으로 교육가능급 정신지체인은 운동능력이 양호하며, 스포츠는 그들의 성공과 자긍심의 주요한 수단이 된다. 그들의 신체 및 운동욕구는 정상 동료들과 같거나 비슷하므로 다른 학문적 과제들에 비해서 정규 체육수업에 합류될 수 있는 가능성이 더욱 많다. 그러나 훈련가능급 정신지체인은 대체로 고등기술 수준들은 성취하지 못한다. 단체경기, 전술 등의 규칙들은 그들이 습득하기에는 어려움이 있으나 농구, 축구, 하키, 야구, 무용 등은 훈련가능급 정신지체인들 사이에서 인기 있는 활동이다.일반적으로 교육가능급과 훈련가능급 정신지체인을 위해 좋은 활동들을 소개하면 다음과 같다.1 기본 움직임 : 균형 잡기, 기어 다니기, 매달리기, 미끄러지기, 팔 휘젓기, 몸통 비틀기, 걷기, 달리기, 발로차기, 한발로 뛰기, 잡아당기기, 물체 들어올리기, 공 던지기, 날아오르는 공 잡기, 방향 바꾸기 등2 신체적성 활동 : 웨이트 트레이닝, 서킷트 트레이닝, 인터벌 트레이닝, 등척성 운동, 릴레이, 기어오르기, 술래잡기 등3 팀 스포츠 및 개인경기 : 축구, 농구, 배구, 탁구, 야구, 배드민턴, 핸드볼, 테니스, 볼링, 하키, 골프 등4 개인스포츠 : 양궁, 사격, 하이킹, 원반던지기, 낚시, 트랙과 필드경기 등5 경쟁적 스포츠 : 팔씨름, 다리씨름, 발끝으로 걷기, 등으로 밀어내기 등6 수상경기 : 다이빙, 낚시, 수영, 스쿠버 다이빙, 파도타기, 보트, 카누, 수상스키 등7 동계활동 : 스키, 아이스하키, 스케이트, 눈사람 만들기, 눈에서 걷기 등이상과 같은 교육가능급과 훈련가능급의 정신지체인들을 위한 체육프로그램 구성은- 팀 활동보다는 개인 활동- 개인스포츠- 음악이 관련된 활동- 전술, 규칙, 기억의 강조를 요구하지 않은 활동- 소근육 운동 협응보다는 대근육 운동활동- 비활동성의 장시간 운동하는 것보다는 끊임없이 운동을 제공하는 것이 좋다.2 완전의존급 정신지체인을 위한 체육프로그램완전의존급 정신지체인은 일반적으로 정규 공공학교 학급에 배치하기보다는 특별학급, 학교 혹은 교육기관에 배치하는 것이 좋다. 그들의 정신, 운동기능의 수준은 매우 기본적이므로 가장 기본적인 기능을 가르쳐야 한다.

예체능| 2005.12.21| 7페이지| 1,000원| 조회(850)

정신지체, 프로그램, 장애인, 정신장애인, 치료레크리에이션

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