[전자공학]BJT의 특성 및 바이어스

소개

그림도 있고 셀프테스트와 예비과제도 있슴

목차

목적
방법
예비문제
요약
주의사항
등

본문내용

출력특성은 입력전류(IB)의 변화범위에 대해서 출력전압(VCB )대 출력전류(IC)의 도시(plot)이고, 입력특성은 출력전압(VCB)의 변화범위에 대한 입력전압(VBE)대 입력전류(IB)의 도시이다. 콜렉터전류 IC 가 [㎃]단위의 크기인데 비하여 베이스전류 IB 는 [㎂]단위의 크기이다.
출력특성 곡선상에는 활성영역, 차단영역, 포하영역의 세 가지 영역이 있다. 활성영역에서는, 콜렉터접합은 역바이어스되고, 에미터접합은 순바이어스되어 있다.
에미터공통구성의 활성영역에서 전압, 진류 및 전력증폭이 일어난다.
IC = αIE + ICO , IE = IC +IB 이므로,
따라서 IC = α( IC +IB ) + ICO
∴ IC =[ (αIB / 1-α) + ( ICO / 1-α)]
IB = 0일 때는 IC = ICEO = ICO / 1-α (IB = 0)
여기서 ICEO 는 베이스단자 개방시 콜렉터에서 에미터로 흐르는 누설전류이다.
에미터공통구성에서는, 콜렉터-에미터 전압 (VCE)이 일정할 때, 베이스전류 변화에 대한 콜렉터전류 변화의 비를 에미터공통시 순방향 전류 증폭계수라 부르며 β(베타)로 표시된다.
β = ⊿IC / ⊿IB ( VCE = 일정 )


β 의 크기는 근사적으로 β ≅ IC / IB
전형적인 β 의 값은 20~600 사이에 있다.
α 와 β 의 관계식은 β = α / 1-α , α = β / 1+β , ICEO = ICO / 1-α = ICEO / 1-α
이므로 ICEO = (β+1)ICBO ≅ βICBO

(3) 콜렉터공통구성
~ 트랜지스터의 콜렉터공통구성은 그림 10-8에 나타내었다. 이 콜렉터구성은 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 갖기 때문에 임피던스 정합(matching)목적으로 주로 사용되고 있다.

참고자료

· 없음