[회로 실험] BJT 특성

소개

ORCAD PSPICE 시뮬레이션을 통해 프리랩을 하였고 그것을 바탕으로 실험을 하여 실험값을 가지고 액셀을 이용해 그래프, 표를 그리고 해석하였습니다. 정말이지 따로 자료를 사는 것보다 제가 모든 자료를 정리하고 제 말로 해석해 놓아서 더 쉽게 이해하실수 있을거라 생각합니다. 학교에서도 좋은 평 받았고요~!
많이 이용해 주세요~!

목차

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본문내용

이번 실험은 BJT 회로를 구성하면서 그 특성을 이해하고 NPN 형에서 Common Base circuit과 Common Emitter circuit을 사용하여 전압을 재어 옴의 법칙을 사용하여 전류를 구하고 전류 이득과 기울기에서 어떤 특성이 나타나는지 알아보는 실험이었다. 이번실험의 키포인트는 EArly Voltage와 Base circuit 일 때와 Emitter circuit 일 때의 특성이 가장 중요한 것 같다. 우선 Common Base circuit에서 확인할 수 있었던 내용은 전류가 흐르나 전자의 움직임이 diffusion에 의해 일정양만 움직여서 어느 정도 올라가면 전류 값이 변하지 않고 일정한 것을 그래프를 통해 확인 할 수 있었고 -0.7 내외 에서는 전류가 급격하게 변화되는 것을 확인하였다. 반면 Common Emitter Circuit에서는 전압이 Vce로 측정되므로 전류는 전압 크기를 바꿔주면 전체 트랜지스터 전압이 바뀌어서 전류가 전압에 비례해서 부드럽게 올라가는 것을 확인할 수 있다.

이는 이번 실험에서 중요시 봐두어야 하는 EARLY VOLTAGE를 나타내는 그림이다.


전류 Ic가 Active region에서 Saturation region으로 되는 V값의 위치가 중요한데, 실험 1에서 <table3-1>의 값을 참고할 때, -0.7V 근처에 접근함을 보인다. 또한 이때 이 기울기의 역수가 저항이다. 그리고 실험 2에서 Va값은 정확히 측정이 되지 않았지만 굳이 계산을 한다면 우선 각 구간의 순간 기울기를 구한 뒤, 그래프가 완만해 지기 시작하는 기울기를 구한 값과 같은 값을 앞의 순간 기울기에 비교해서 비슷한 값을 가진 지점을 찾는다. 이때 한점과 기울기를 알기에, 네 개의 직선의 방정식을 구할수 있고 각각의 그래프가 X축과 만나는 지점을 구해서 평균을 내고 Va값을 구하였다. 낮은 전압부터 나온 Va값을 살펴보면 각각 -0.479V, -2.210V, -3.120V, -3.89V가 나왔다. 각 값의 합의 평균은 약 -2.425V가 나옴을 확인할 수 있다. 이로서 이번 실험에서의 Va값은 -2.425V임을 알 수가 있다. 보통 평균 Va 값이 -50~500V 이므로 이번 실험의 값은 매우 적었다. 실험에서는 Va가 비록 적게 나왔지만 실험을 Vcb로 하였더라면 제대로 나왔을 것 같다는 생각이 들었다.

참고자료

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