BJT 회로의 특성 실험 결과 레포트

소개글

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목차

1. 실험 목적
2. 실험 기기 및 부품
3. 관련 이론
4. 실험순서
5. 검토사항 및 기초문제
6. 실험결과
7. 결론

본문내용

□ 관련 이론

○ 트랜지스터의 구조
다이오드와 유사하게 트랜지스터도 반도체 물질로 구성된다. 그러나 다이오드와 트랜지스터의 차이점은 다이오드가 두 개의 반대로 도핑된 영역과 한 개의 PN 접합을 갖는 반면 트랜지스터는 교대로 도핑 되는 3개의 영역과 두 개의 PN 접합을 가진다는 점이다. 아래 그림과 같이 표시된 NPN형 트랜지스터는 베이스로 표시되는 얇고, 약하게 도핑된 p형 영역이 컬렉터와 이미터로 알려진 두 개의 n영역 사이에 샌드위치의 형태로 되어있다. NPN형 트랜지스터의 회로기호는 아래 그림처럼 표시되어있다. PNP형 트랜지스터는 쌍극형 트랜지스터이다.
이미터는 전자를 베이스 쪽으로 방출 시키거나 투입되며 베이스보다 두껍게 도핑되어 있다. 이미터의 두께가 강하게 도핑 된 이유는 이미터에서 방출된 전자의 대부분을 컬렉터로 통과시키기 위해서이며 컬렉터의 도핑 정도는 이미터의 강한 도핑과 베이스의 약한 도핑의 중간 크기이며 컬렉터는 베이스로부터 전자를 모으기 때문에 컬렉터라고 부르며 세 영역 중에서 가장 큰 면적을 차지하여 전력을 더 소비한다.

참고 자료

[인하대학교 기초실험1] 트랜지스터의 스위치 특성 및 전류 증폭기 실험 (트랜지스터의 종류 및 사용법에 대해 알아보고 이를 이용한 응용 회로 실험 진행)
Multisim으로 배우는 전자회로실험, 김동식, 생능출판사, 2016