(해당학기A+) 전자회로실험 BJT스위칭 예비보고서

소개

A+보장하는 자료로 엄선했습니다.

목차

1. 실험 개요
2. 실험 원리
3. 시뮬레이션
4. 실험 결과 예상

본문내용

1. 실험 개요
이번 실험은 바이폴라 접합 트랜지스터의 기본 구조와 전류-전압 특성을 이해하는 실험이다. 실험을 통해 BJT 스위칭 회로를 이해한다.
2. 실험 원리
[바이폴라 접합 트랜지스터 (BJT)]
BJT는 두개의 p-n접합을 갖는 3단계 소자로, 이미터(Emitter), 베이스(Base), 콜렉터(Collector)의 소자를 갖는다. 이미터는 다수의 전하를 공급하는 역할을 하고 베이스는 얇고 약하게 도핑된 층이다. 콜렉터는 전하를 수집하는 부분이다. BJT는 NPN형과 PNP형으로 나누어지며, 이들의 구분은 PN접합인 다이오드 방향을 보고 구분한다.

위 그림은 N형-P형-N형 반도체 구조로, 컬렉터(C), 베이스(B), 이미터(E)로 구분되는 연결선을 가지고 있다. 베이스(B)에 인가되는 전류의 양으로 컬렉터(C)에서 이미터(E)로의 전류 흐름을 제어한다. 컬렉터(C)에서 이미터(E)로 도통되어 전류가 흐를 때 다이오드와 같이 공핍층이 존재하는데 컬렉터와 이미터간의 전압차가 발생된다. 베이스 전압이 이미터의 전압보다 약 0.7V 이상 높아야 한다.

위 그림은 P형-N형-P형 트랜지스터이다. NPN형과 다른 점은 베이스와 이미터 사이의 다이오드의 방향과 전류가 이미터에서 컬렉터로 흐른다는 것이다. NPN형과 다르게 이미터에서 컬렉터로 흐를 때 공핍전압이 존재하며, 이미터 전압이 베이스 전압보다 약 0.7V 높아야 한다.

[컬렉터 특성곡선]
컬렉터 특성곡선은 그림 5-1의 회로에서 베이스 전류 IB를 매개변수로 하여 컬렉터 전류 lC와 컬렉터-에미터 양단전압 VCE와의 상관관계를 정량적으로 나타낸 것으로 트랜지스터의 동작영역을 구분하는데 중요한 지표로 이용된다. 여러 가지 베이스 전류값을 기준으로 하여 lC와 VCE와의 그래프를 그리게 되면 그림 5-2와 같은 컬렉터 특성곡선군이 얻어진다

참고자료

· 없음