전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)

소개

"전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 개요

2. 실험 기자재 및 부품

3. 회로의 이론적 해석

4. 실험 절차 및 PSpice 시뮬레이션
1) NMOS
2) PMOS

5. 예비 보고 사항

본문내용

1. 실험 개요
MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이
- 디지털 멀티미터
- 오실로스코프
- 함수 발생기
- 2n7000 (NMOS) (1개)
- 저항
- 커패시터
- FQP17P10 (PMOS) (단, 모의실험은 FDC6322CP 사용)

3. 회로의 이론적 해석
NMOS 회로는 공통 소스 증폭기 회로로, 입력 신호가 NMOS 트랜지스터의 게이트에 인가되어 출력 전압을 변조하는 구조다.

동작 원리:
- 입력 신호 V_sig는 R_sig를 통해 NMOS 트랜지스터의 게이트로 전달된다.
- 게이트와 소스 간 전압 V_GS가 임계 전압 V_th보다 클 때 트랜지스터가 켜져서 드레인에서 소스로 전류가 흐르게 된다.
- 이 전류 I_D는 드레인 저항 R_D에서 전압 강하를 일으키고, 그 결과 출력 전압 V_o가 형성된다.
- 출력 전압은 V_DD - I_D * R_D로 계산된다.

참고자료

· 없음