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BLDC 모터 동작원리, 유니버셜 모터, 유도모터 장단점2025.05.081. BLDC 모터 동작 원리 BLDC 모터는 기계적 스위치인 브러시와 정류자를 없애고 전자적인 스위치로 바꾸어 놓은 모터입니다. 자기의 흡인력과 반발력에 의해 토크가 생성되어 회전하게 됩니다. 하지만 전류가 들어가도 정류해주는 구성품이 없으면 회전할 수 없기 때문에 구동회로를 통해 정류를 해주어 회전할 수 있게 만들었습니다. BLDC 모터는 회전 위치에 맞게 구동 회로가 전류를 공급해주지 않으면 자기 흡인력과 반발력을 제대로 적용시킬 수 없기 때문에 회전각 센서가 필요합니다. 별도의 센서를 사용하지 않는 센서리스 방식은 회로가 단...2025.05.08
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운동역학_스포츠 동작 분석_스포츠 종목을 하나 정하고, 그 스포츠의 동작을 운동 역학적으로 분석하시오.2025.01.191. 태권도 차기 동작의 운동역학적 분석 태권도는 전통적인 무예·무술로서 한국뿐만 아니라 세계적인 운동을 받돋움하고 있다. 이러한 태권도의 다양한 동작들은 단순한 무예·무술 동작이 아닌 과학적인 운동 역학적 원리가 적용된 고차원적 스포츠로서 현재 이러한 운동 역학적 원리에 기반한 운동효과는 이미 입증되었다. 태권도 차기 동작은 발을 사용하여 다른 물체에 충격을 주는 동작으로, 고관절 굴곡, 무릎 관절 신전, 골반 회전 등의 운동역학적 원리가 적용된다. 차기 동작의 수행 시 상체 회전, 지지발의 위치, 발의 속도와 각속도 등이 중요한...2025.01.19
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)2025.01.291. MOSFET 기본 특성 MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. NMOS 동작 원리 NMOS의 동작 원리는 다음과 같다. ...2025.01.29
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MOSFET 기본 특성2025.01.021. NMOS 동작 원리 NMOS의 기본적인 동작 원리는 소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어하는 것입니다. NMOS는 스위치와 같이 작동하며, MOS 커패시터를 기반으로 합니다. 소스와 드레인 단자 사이에 위치한 산화층 아래의 반도체 표면은 게이트 전압을 인가함으로써 P형에서 N형으로 반전될 수 있습니다. 2. NMOS 동작 영역 NMOS는 차단 영역, 트라이오드 영역, 포화 영역의 세 가지 동작 영역을 가집니다. 각 영역에서 소스-드레인 전압, 게이트-소스 전압, 드레인 전류 사이의 관계가 다릅니다. 3. PMO...2025.01.02
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BJT 1-Large Signal Analysis 1_예비레포트2025.01.121. BJT 소자의 구조 및 동작 원리 BJT 소자는 3개의 불순물 영역으로 구성되어 있으며, Emitter, Base, Collector로 명명된다. NPN 트랜지스터와 PNP 트랜지스터로 구분된다. Emitter-Base 접합은 순방향으로, Base-Collector 접합은 역방향으로 바이어스된다. BJT의 동작 영역은 Cut-Off, Active, Saturation 영역으로 나뉘며, 이에 따라 다른 특성을 보인다. 2. BJT의 특성 실험 실험을 통해 BJT의 IC-VCE 특성과 Beta 특성을 확인하였다. 실험 회로 1-a...2025.01.12
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 4 BJT 기본 특성)2025.01.291. NPN형 BJT의 동작 원리 NPN형 BJT는 이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)로 구성된 3단자 반도체 소자다. 이미터는 N형 반도체로 주로 전자를 공급하는 역할을 하고, 베이스는 얇은 P형 반도체로 전류 제어의 핵심 역할을 한다. 컬렉터는 N형 반도체로 이미터에서 방출된 전자를 모은다. 동작 원리는 베이스-이미터 전압(V_BE)과 컬렉터-이미터 전압(V_CE)에 따라 달라진다. 베이스에 약 0.7V(실리콘 기준)의 전압이 가해지면 베이스와 이미터 사이의 PN 접합이 순방향 바이어스가 되어...2025.01.29
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트랜지스터 기초실험 결과보고서2025.01.201. 트랜지스터 동작 원리 실험을 통해 쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작 원리를 익히고, 트랜지스터 회로에서 부하선과 동작점의 개념을 이해하였다. 또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인하였다. 2. 트랜지스터 특성곡선 실험 결과를 통해 트랜지스터의 특성곡선을 분석하여 동작 영역을 이해하고, 입력 전압과 출력 전압의 변화에 따른 트랜지스터의 동작 변화를 확인하였다. 3. 트랜지스터 동작점 실험에서 측정된 데이터를 통해 동작점에서의 전압과 전류의 상호 관계를 확인하고, 이를 토대로 트랜지스터가 올바르게 작동하는지를 파악하였다. 1...2025.01.20
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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LED의 특징과 아두이노에서의 동작 원리2025.01.281. LED의 특징 LED(Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 방출하는 반도체 소자입니다. LED는 현대 전자기기에서 가장 널리 사용되는 광원 중 하나로, 에너지 효율성, 긴 수명, 빠른 응답 속도, 다양한 색상 구현, 소형화 및 경량화 등의 다양한 특성과 장점을 가지고 있습니다. 하지만 역방향 전압 민감도와 열 관리 필요성과 같은 한계점도 있습니다. 2. 아두이노에서의 LED 동작 원리 아두이노는 오픈 소스 기반의 마이크로컨트롤러 플랫폼으로, LED와 같은 전자 소자를 간단히 제어할 수 있습니다. LED...2025.01.28
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트랜지스터의 기본 동작 원리와 특성 분석2025.05.041. 트랜지스터의 기본 동작 원리 트랜지스터는 기본적으로 두 가지 형태인 2극 접합 트랜지스터(BJT)와 필드효과 트랜지스터(FET)가 있다. 이번 실험에서는 BJT 중 npn 트랜지스터를 사용했다. npn 트랜지스터는 n형 반도체와 p형 반도체가 접합된 구조로, 이미터-베이스-컬렉터 단자로 구성된다. 트랜지스터는 차단동작영역, 선형동작영역, 포화동작영역의 3가지 동작 모드를 가진다. 실험을 통해 각 동작 모드의 특성을 확인할 수 있었다. 2. 트랜지스터의 증폭 특성 실험 2에서 베이스 전류 I_B와 컬렉터 전류 I_C의 관계를 확...2025.05.04
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