전자회로설계실습 5번 결과보고서

소개

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목차

1. 서론
2. 설계실습 결과
3. 결론

본문내용

1. 서론
MOSFET은 bias 조건에 따라 Cutoff 영역, Triode 영역, Saturation 영역 중의 하나에서 동작하게 된다. 따라서 MOSFET을 switch로 동작하게 할 수 있다. Cutoff 영역에서는 Drain과 Source가 끊어진 상태로 동작하는 반면에 Triode 영역에서는 Drain과 Source가 연결되어 그 사이의 저항이 대단히 작아지기 때문에 switch로 동작할 수 있다. 이번 실험에서는 BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨이 전압(5V)으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가한다.

2. 설계실습 결과
4.1 부하가 emitter에 연결된 LED구동회로 구현 및 측정
(A) 3.3과 같이 function generator를 조정하고 오실로스코프로 확인한다.

(B) 3.1에서 설계한 그림1의 회로를 가능한 한 그림1과 거의 같은 배치로 브레드 보드의 왼쪽에 구현한다.

(C) Function generator의 출력과 LED에 걸리는 파형을 동시에 오실로스코프에 나타나도록 하여 저장, 제출한다.
Vb = 3.27V Vc = 2.79V
Ve = 2.24V

(D) LED에 걸리는 전압의 risetime 과 falltime(10%↔90%)을 측정, 기록한다.
risetime: 1.5us falltime: 560us

참고자료

· 없음