서울과학기술대_반도체제조공정_클린룸 견학 보고서 A+

소개

서울과학기술대학교
기계시스템디자인공학과
반도체제조공정 수업 클린룸 공정 보고서 입니다.
A+ 받은 보고서 입니다.

목차

제 1 장 서 론

제 2 장 Photo & Etching 공정

제 1 절 Photo 공정
1. PR 처리
2. 노광(Exposure)

제 2 절 Etching 공정
1. BOE(Buffered Oxide Etching) 공정
2. PR 제거
3. Etching

제 3 장 결론

Equipments

참고문헌

본문내용

제 1 절 Photo 공정

1. PR 처리

Photo는 산화 공정이 끝난 wafer를 통해 이루어진다. 산화 공정을 거치게 되면 bare wafer에 산화막이 씌워지게 되는데 우리 실험에서 쓰인 산화막은 약 5,000Å이며 이때의 wafer는 기존 은색에서 산화막으로 인해 붉은색을 띠게 된다.

여기서 PR(Photo Resist)을 도포(Coating)하게 되는데 그 전에 친수성인 산화막과 소수성인 PR을 잘 접착 시키기 위해 프라이머(HMDS)를 뿌리는 과정을 거친다. 이후 PR을 뿌리게 된다.

PR은 Photo Resist의 약자로 빛에 민감하게 반응하기 때문에 실험실에서는 주로 파장이 짧은 노란 조명을 사용한다.

PR은 Solvent와 Resin, PAC(Photo Active Compound)를 혼합하여 만든 용액으로 positive PR과 negative PR로 나뉘게 되며 positive PR은 노광 된 부분이 develop 과정에서 사라지게 되는 것이고 미세 패터닝 능력이 뛰어나 대부분의 공정에서 사용되며, negative PR은 노광 된 부분이 남게 되는 것이며 특수한 경우에만 사용된다. 우리 실험에서 사용하는 PR은 positive PR로 gxr 601을 사용한다.

<중 략>

제 3 장 결 론

우리가 실제 Clean room에 들어갈 기회도 많지 않고 wafer를 직접 만져 보거나 여러 장비들을 실제로 볼 일이 많지 않은데 이번 기회에 실제 4inch wafer를 포토, 식각 공정하는 과정을 볼 수 있어 책으로 공부하는 것과는 달리 쉽게 이해하고 과정이 이뤄지는 순서와 인과 관계를 명확히 할 수 있어 좋았다...

참고자료

· 반도체제조공정 강의 자료
· 삼성디스플레이, “SamsungDisplayNews”,https://news.samsungdisplay.com/22278
· 과학기술정보통신부,『2022나노기술교육과정 나노소자 공정』, 나노기술연구협의회
· 김상완, 김태성, 황의성, 오재형, 박종천, 서민석, 박용신, 함호찬, 이공수 『SEMI 반도체공정기술교육2022』, SEMI, 2022
· 김용현,『반도체 전공면접 한번에 통과하기』, (주)시대고시기획, 2021