전자기적특성평가_다이오드 결과보고서

소개글

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목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 실험방법
4. 실험결과
5. 결론 및 고찰
6. 참고문헌

본문내용

1. 실험목적
반도체 다이오드의 원리를 이해하고, P-N 접합과 역바이어스, 정바이어스 그리고 정류 다이오드와 제너 다이오드의 차이점을 이해하고, 실험을 통해 도출된 측정값으로 I-V curve를 그려본다. 또한, 실제로 브레드보드에 직접 전기회로도를 만들어 봄으로써 저항, 전류, 사용법 및 특성을 알아본다.

2. 이론
⦁P형, N형 반도체
intrinsic semiconductor에 사용되는 대표적인 원소 Si는 최외각 전자 4개가 서로 공유결합하고 있으며 0K에서는 최외각 전자가 모두 공유결합에 참여하고 있어 자유전자가 존재하지 않는 상태이다. 즉, 거의 부도체에 가깝다. 따라서, 도핑이라는 공정을 통해서 진성반도체에 극소량의 불순물을 주입하여 홀이나 자유전자의 수를 늘린다. 이렇게 불순물 원자가 도핑된 반도체를 extrinsic semiconductor라 하며, 13족 원소를 도핑하여 정공이 다수 캐리어면 P형 반도체, 15족 원소를 도핑하여 전자가 다수 캐리어면 N형 반도체라 한다.

<중 략>

⦁정류 다이오드
1) 정류 다이오드가 설계된 브레드보드를 연결한다.
2) 한 명은 정방향으로 0~2V까지 천천히 0.2씩 증가시킨다.
3) 한 명은 측정되는 전압과 전류를 영상 촬영한다.
4) 2V까지 측정이 끝나면 다이오드의 극을 바꾸어 역방향 측정을 시작한다.
5) 똑같이 0~2V까지 측정하고 측정된 전압과 전류를 영상 촬영한다.
6) 측정된 전압과 전류를 바탕으로 I-V Curve를 그려본다.

참고 자료

https://terms.naver.com/entry.naver?docId=750493&cid=42341&categoryId=42341
https://terms.naver.com/entry.naver?docId=5937556&cid=60217&categoryId=60217
https://blog.naver.com/songsite123/223005114865
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https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%B8%8C%EB%A0%88%EB%93%9C%EB%B3%B4%EB%93%9C
https://boaaaang.tistory.com/entry/%EB%AA%A8%EC%8A%A4%ED%8E%ABMOSFET%EC%9D%98-%EB%8F%99%EC%9E%91%EA%B3%BC-%EB%AC%B8%ED%84%B1%EC%A0%84%EC%95%95-Vth
https://blog.naver.com/sannywoo/222493678400