Mosfet 특성 및 바이어스 회로

소개

ch11. Mosfet 특성 및 바이어스 회로

예비, 결과 포함하고 있으며 100점 받았습니다.
실험 이론, 오차 원인, 진행 과정 등 상세하게 설명하고 있으며 교수님이 사진을 좋아하지 않으셔서 대부분 표와 그래프를 통해 나타냈습니다.

목차

1. 실험 진행 주의사항
2. Mosfet 특성 실험
3. 전압분배 방식의 bias회로
4. 정전류원 방식의 바이어스 회로
5. 결과 및 고찰 정리

본문내용

실험 결과:
Pinch off 상태가 되면 더 이상 전류는 상승하지 않는 Saturation 상태가 된다. 이후 Drain 전압을 상승시키면 Drain 쪽 채널이 점점 Drain 에서 멀어지는 길이 변조가 발생한다.
실험 결과를 통해 Drain 전류가 saturation 영역 이후에도 상승하는 것을 관찰 할 수 있다. BJT에 비해 Drain 전류의 상승이 가파르며 VGS가 커질 수록 기울기 또한 커진다.

→ VA는 무한대에 가까울 수록(=saturation 영역에서 Drain 전류가 상승하지 않을 수록)좋기 때문에 더 큰 전압 이득이 필요할 경우 mosfet에 비해 bjt가 적합하다는 것을 알 수 있다.

→ 그래프를 참고하여 실험과 시뮬레이션 결과를 비교해 본다.
시뮬레이션의 경우 saturation 영역 이후 Drain 전류의 상승이 관찰되지 않은 반면 실험의 경우 Drain 전류의 상승이 크게 나타났다.

참고자료

· 없음