MOSFET 기본 특성 및 바이어스 회로 예비레포트

소개글

전자공학응용실험 과목의 MOSFET 기본 특성 및 바이어스 회로 예비레포트입니다.

목차

1. Object
2. Related theories
3. Equipment and instrument
4. Experimental procedure
5. References
6. Preliminary report question & Simulation results based on PSpice

본문내용

1. Object
MOSFET 기본 특성에 관한 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동적 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 바이어스 회로에 관한 실험에서는 MOSFET을 이용한 증폭기의 DC bias를 잡아주기 위한 bias회로에 대해서 공부하고, 실험을 통하여 그 동작을 확인하고자 한다.

2. Related theories
MOSFET에서 MOS는 “Metal Oxide Semiconductor”의 약자로서 Gate와 산화막, Body 및 Source, Drain을 구성하고있는 물질을 나타내며, FET는“Field Effect Transistor”의 약자로서 전압에 의해 생기는 전기장으로 움직이는 본 소자의 동작 원리를 나타낸다.

위 제시된 그림과 같이 Body를 p형 기판으로 사용하고, Source와 Drain 영역을 n+로 도핑한 MOSFET을 NMOS라고 한다. 이와 반대로 Body에 n형, Source와 Drain에 p형을 사용한 MOSFET을 PMOS라고 한다.
위 우측 그림에서 보면 Gate 영역에 전압을 걸어주지 않았을 경우 우측의 n형과 p형의 접합부는 역방향이 되어서 전류가 흐르지 않게 된다. Gate에 전압을 걸어주면 전기장이 아래방향으로 생성되어 양공들을 밀어내고 전자를 위로 강하게 당긴다. 이로 인해 고농도로 전자가 밀집되고, Source영역과 Drain영역 사이에 전자가 지나갈 수 있는 일종의 통로(Channel)가 만들어지는데 이를 통해 전류가 흐르게 된다. 이를 이용해서 게이트에 전압을 걸어주는 정도에 따라서 일종의 ON/OFF의 역할을 만들 수 있다.

참고 자료

단계별로 배우는 전자회로실험
Microelectric_circuit.sedra/smith