인하대 패터닝 결과보고서

소개

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목차

1. 서론
2. 실험방법 및 이론
3. 실험결과 분석 및 고찰
4. 결론
5. Process problem
6. 참고문헌

본문내용

21세기 현대 사회는 20세기를 거치는 동안 기계공학적인 기술로 만들어진 생산제품이 전자공학 기술로 초점이 맞춰지기까지의 기술혁명을 목격했다. 디지털 콤팩트디스크 플레이어는 레코드 플레이어를 대체하고 자동추진 엔진은 전자점화 시스템에 의해 조절된다. 전자식 컴퓨터는 거의 모든 사회적인 관점에서 빠른 수행능력을 보이며 자원의 효율적인 사용을 촉진시킨다. 최근에는 4차 산업혁명이 화두로 떠오르면서 인공지능(AI), 사물인터넷(ioT), 스마트팩토리 및 자동차의 전장화, 친환경차의 비중 확대를 비롯한 태양광, 풍력발전, 송전, 전력소비 등에 이르기까지 전력부품 수요 증가로 인하여 전력반도체 시장이 크게 주목받고 있다. 이러한 변화의 폭은 전자기술에 의해 결정되고, 반도체 산업은 기술혁명의 중심에 놓여있다. 반도체 공정 중에 설계한 회로패턴을 웨이퍼로 옮기는 Lithography 공정과 그 패턴을 정밀하게 완성하는 Etching 과정은 반도체가 의도한 대로 작동하게 하는 핵심 과정이다. 특히 식각 공정의 경우 물질이 식각에 의해 제거되면 실수를 바로 잡기 어려워지며, 이러한 웨이퍼는 대부분 조각이 나버린다. 그 결과 회사의 입장에서는 반도체의 상품성이 현격히 저하되거나 없어지기 때문에 이 공정은 더욱 중요하다. 이에 따라, 본 실험에서는 마스크에 의해 형성된 패턴을 정밀하게 새기는 식각 공정에 대해 이해하고, 이 공정 전후의 두께 변화를 측정하는 과정을 이해한다.

참고자료

· Michael Quirk, Julian Serda, 『반도체 소자 공정기술』, 최성재 옮김, 청문각
· Atkins’ Physical Chemistry 10th edition, 1B kinetic model
· 화학공학의 이론과 응용 제8권 제2호 2002년, “고밀도 플라즈마를 사용한 polysilicon 박막의 nanometer 크기의 패터닝”, 인하대학교 화학공학부(변요한, 김혜인, 송영수, 정지원), (C2F6/Ar ratio – etch rate 부분 참조)
· Young H. Lee and Zhen H. Zhou, 『Feature-Size Dependence of Etch Rate in Reactive Ion Etching』, Journal of Electrochemical Society, (식각 rate의 요인 중 압력 부분 참조)
· Hojoon Lee and Samuel Wood, 『Optimization of Reactive Ion Etching (RIE) Parameters for Selective Removal of MOSFET Gate Dielectric and Evaluation of its Physical and Electrical Properties』, Journal of Undergraduate Research at Minnesota State University, Mankato
· - Edited by G.S.Mathad, Plasma Etching Processes for Sub-quarter Micron Devices, The Electrochemical Society Inc., p101 ~ p 104