MOSFET과 short channel effect에 관하여

목차

1. MOSFET
2. Short channel effect
3. punch through
4. DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)
5. GIDL(Gate Induced Drain Leakage)
6. Reverse short channel effect
7. Narrow width effect
8. inverse narrow width effect

본문내용

MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로 아래의 그림의 구조를 가지고 있다. 아래의 MOSFET의 NMOS로 carrier가 흐르는 channel이 n-type인 형태입니다.
MOSFET의 원리는 Gate에 전압을 주어서 Gate의 아래에 있는 산화막으로 인해 Gate를 통한 전류의 흐름을 차단하고 산화막 아래에 carrier들이 모여 channel을 형성하게 합니다. 그 이후에 도핑 되어있는 Source와 Drain 영역에 전압을 인가하여 평소에는 흐르지 못했다가 channel이 형성됨으로써 전류가 흐를 수 있게 되는 원리입니다.

channel이 형성되는 과정

간단히 말하면 gate의 전압으로 source-drain간의 전류의 흐름을 제어할 수 있는 소자로 수도꼭지와 유사한 역할을 한다고 생각한다면 편합니다. 이런 mosfet은 1960년대에 개발되어 이후로 성능을 향상시키고 고집적화를 시키기 위한 노력이 진행되고 있습니다.

참고자료

· 네이버블로그- 물리학의 새로움 패러다임 - 순환법칙 . MOSFET의 원리
· 네이버 지식 백과
· DIBL-http://blog.naver.com/dia830/220236664351
· WIKIPEDIA-Reverse short channel effect