[PPT] 반도체 제작공정

*세*
최초 등록일
2017.06.20
최종 저작일
2016.03
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목차

1. 반도체
1) 회로의 구성요소
2) 반도체

2. 제작공정
1) 웨이퍼(Wafer)
2) 산화(Oxidation)
3) 포토(Photo) : Exposure, Develop, Etching
4) 증착(Deposition), 이온주입(Ion Implantation)
5) 금속 배선(Metal Interconnect)
6) 패키징(Packaging)
7) TEST

본문내용

회로의 구성요소
저항 : 전류의 흐름을 제한함으로써 조절
캐패시터 : 전하를 저장
트랜지스터 : 전류를 증폭시키거나 스위치 역할
다이오드 : 전류를 한 방향으로만 흐르게 함

반도체 : 복잡한 회로를 하나로 압축
인텔 4004(1971년 제작)의 내부 회로
평소의 회로라면 복잡한 구조로 인해 고장 잦음
하나의 칩 안에 회로를 집적, 패키징 : 수지로 모듈화 하여 충격에도 안전해짐

1단계 : 웨이퍼(Wafer) 공정
모래에서 추출한 규소가 주 원료
단결정 기둥 형태로 만들어 얇게 썬 형태
회로를 새기고 최종 단계에서 조각 내어 제품화

<중 략>

5단계 : 증착(Deposition), 이온주입(Ion implantation)
분자, 원자 단위의 물질들을 박막의 두께로 입힘
- 웨이퍼에 전기적인 특성을 부여
- 금속막 : 회로들 간 전기신호를 연결하는 역할
- 절연막 : 내부의 연결층을 전기적으로 분리, 오염원을 차단

참고 자료

삼성 반도체이야기(http://samsungsemiconstory.com/)
반도체 제대로 이해하기, 강구창, 지성사

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