CVD

목차

Ⅰ. CVD(Chamical Vapor Deposition) 의 정의와 원리
1. CVD의 정의
2. CVD 성장기구
3. CVD반응의 분류

Ⅱ. CVD 장치의 기본원리, 박막 증착, 분석
1. CVD 장치
2. CVD를 이용한 증착 과정

Ⅲ. CVD의 종류
ⅰ. PECVD(plasma enhanced Chemical Vapor Deposition)
ⅱ. Photo-Assisted Chemical Vapor Deposition (photo-CVD)
ⅲ. MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition)

Ⅳ. 결론

본문내용

1. CVD의 정의
박막과학과 기술은 중요한 산업으로 성장해 왔으며, 많은 연구의 대상이 되어왔다. 이유는 박막이 반도체의 제조에 중요하기 때문이다. 박막은 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)과 화학기상증착(Chamical Vapor Deposition)등의 다양한 방법으로 성장되며, 일단 형성된 박막은 어떤 형태로든 최종적으로 기판에 남아 제품의 신뢰성에 깊이 관여하게 된다. 표면위로의 물질의 수송과 증착에 있어서의 과정에 대한 근본적인 이해와 정교한 기술의 개발을 통하여 많은 다른산업에서 요구되는 수준의 박막증착이 이루어지고 있으며 개선되어지고 있다.
이러한 박막증착 방법중에서 무엇보다도 CVD (Chamical Vapor Deposition)가 가장 널리 쓰이고 있다. CVD란 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 반응실로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 위에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 반응온도는 100 ~ 1200℃ 범위로 광범위하게 사용되고 유입된 반응가스를 분해시키는데는 열, RF전력에 의한 Plasma 에너지, 레이저 또는 자외선의 광에너지가 이용되며 기판의 가열에 의하여 분해된 원자나 분자의 반응을 촉진하거나 형성된 박막의 물리적 성질을 조절하기도 한다. CVD로 얻어지는 박막의 물리적 성질은 증착이 일어나는 기판(비정질, 다결정, 결정)과 온도, 증착속도 등의 증착조건에 의하여 결정된다.

참고 자료

없음