산화공정 oxidation

목차

1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 이론적 배경
4. 실험결과
5. 결론 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나 수증기(H2O)를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성 시키는 공정이다. 실리콘 산화 막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체 소자에서 매우 우수한 절연체(insulator)로 전류와 도핑물질(dopant)의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO2 박막을 성장시키는 산화 기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.

2. 실험 방법
1) wafer cleaning
wafer를 각각 1cm x 1cm 크기로 3개를 준비한다. 알코올과 아세톤에 차례대로 wafer를 넣어 표면에 있는 먼지를 제거 한 후 D.I. water로 행궈준다. 희석된 HF(HF:D.I water = 1:6)에 넣어 native oxide를 제거해준다. 그 후 다시 한번 D.I water로 행궈주고 DRY과정을 거친다.

<중 략>

소자의 동작이 바뀌게 된다. 산화 실리콘의 층은 두 가지 방법으로 오염을 방지한다. 첫째, 오염물이 실리콘에 닿는 것을 막아준다. 둘째 산화층이 아래로 성장해감에 따라 새로운 표면이 형성된다. 원래 표면에 있던 오염물이 산화층 위로 올라가 덜 위험하게 된다.
(3) 소자간의 격리 - LOCOS(Local Oxidation of Silicon), STI
(4) Gate capacitor
(5) MOSFET에서의 유전체 : MOSFET에서는 source와 drain을 연결하는 channel을 형성하는 전하를 유기시키기 위해 의도적으로 gate에 충분히 얇은 산화막을 성장시킨다. 이러한 산화막을 게이트 산화막(Gate Oxide)이라고 한다.

참고자료

· 없음